光刻胶成分有没有熔点

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2011-09-28 03:03 标签： 光刻胶成分
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脉冲激光曝光SU-8光刻胶的基础与光刻技术研究
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PEGMA的物性数据
有谁接触过PEGMA这个东西么，CAS:,他的沸点，熔点。最近做的一个光刻胶中含有这个东西，能不能通过减压蒸馏，将它蒸出来。
增加悬赏金币至10个，我帮你转至SciFinder/Reaxys求助版块！ 一般做光刻胶都会用到PEGMA做溶剂，你的固含是多少啊，黏度大不？熔点:-87°C
　　沸点:149°C 。你不容直接提纯，把那些溶剂和未反应的小分都除掉得到纯净的聚合物。 : Originally posted by zxf9 at
一般做光刻胶都会用到PEGMA做溶剂，你的固含是多少啊，黏度大不？熔点:-87°C
　　沸点:149°C 。你不容直接提纯，把那些溶剂和未反应的小分都除掉得到纯净的聚合物。 我的粘度不好，想通过减压蒸馏，如何沸点149度的话，应该没问题，但是光刻胶其他的成分对温度很敏感，温度高了会影响其他成分的稳定性，温度低的话蒸馏不出啦，真空度达不到？SU8负性光刻胶,SU8 negative photoresist,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典
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-> SU8负性光刻胶
1)&&SU8 negative photoresist
SU8负性光刻胶
Researches on the two-photon photopolymerization technology of SU8 negative photoresist have been processed.
飞秒激光SU8负性光刻胶双光子聚合工艺研究。
2)&&SU8 lithography
The fabrication of micro-fluidic chips by SU8 lithography on transparent substrate for integrated optical detection was studied,and the factors affect on the quality of lithography such as substrate s thickness,transparency and reflectivity of sample holder surface were discussed.
研究了在透光性基底上直接光刻SU8光刻胶制作可实现光集成微流控芯片的工艺,讨论了基底厚度、透光性和样品承载台表面反射性等因素对透光性基底上SU8光刻图形质量的影响。
3)&&polymeric material for optical process
负性光刻胶
4)&&negative-working photoresist
Two new methods of fabricating micromegas are introduced,one is a quasi LIGA process using SU8 as the insulation layer,and the other is a process using a dry film as a patternable insulation layer.
本文介绍了利用两种方法制作微网气体探测器微结构的工艺,一种是利用准LIGA工艺,以SU8胶为绝缘层;另一种是利用干膜做绝缘层来制作微网气体探测器。
6)&&negative photoresist
负型光刻胶
补充资料：Su
分子式 C4H4O3分子量 100.07CAS号 108-30-5&&& 琥珀酸酐为白色斜方形棱状结晶。熔点119.6℃。相对密度d204=1.2340。溶于乙醇、氯仿和四氯化碳,微溶于水和乙醚。其沸点随压力不同而变化。&&& 用途;琥珀酸酐是重要的有机合成中间体。在医药工业上主要用于合成氯霉素琥珀酸酯钠（Chloramphenicol sodium succinata)、羟孕酮琥珀酸酯钠、氢化可的松琥珀酸酯钠等。
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负性光刻胶显影液(正庚烷)MSDS
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