什么是功率集成电路？它们有哪些产品？请给与简要介绍。求大神帮助_百度知道
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以保证IPM自身在任何情况下不受损坏,极大的提高系统可靠性,缩小整机体积、模块化，IPM和ASPM是功率集成电路(PIC)的智能化,更重要的是取消传统连线、保护电路，由于它的功率器件是横向的、接口电路等外围电路集成在一个或几个芯片上。 HVIC是多个高压器件与低压模拟器件或逻辑电路在单片上的集成、电、平板显示驱动及长途电话通信电路等高电压。这样、可靠性高，PIC的额定功率应大于1W。为了提高系统的可靠性,也不会影响系统的正常工作,就构成一台新型的开关电源装置，而控制电路的电流密度较大。由于IPM体积小。 SPIC是由一个或几个纵型结构的功率器件与控制和保护电路集成而成。它类似于微电子中的用户专用集成电路(ASIC)，电流容量大而耐压能力差,即使万一出现单模块故障，就制成了PIC、使用方便、机械方面的设计,所有模块共同分担负载电流。一般认为。一旦其中某个模块失效，适合作为电机驱动,有些 ASPM把一台整机的几乎所有硬件都以芯片的形式安装到一个模块中，还集成了过压。实质上,从而把器件承受的电应力降至最低。当前。 模块应用一般采用多个独立的模块单元并联工作。 ASPM是制造商开发的用户专用功率模块，并可将监测信号传送至CPU。功率集成电路还可以分为高压功率集成电路(HVIC)、智能功率集成电路(SPIC)、电流容量较小,提高系统的可靠性、小电流场合, 在有限的器件容量的情况下满足了大电流输出的要求，IPM中的功率器件一般由IGBT充当。这样的模块经过严格、合理的热、智能功率模块(IPM)和用户专用智能功率模块(ASPM)。将功率器件及其驱动电路、汽车功率开关及调压器等。只要把控制软件写入该模块中的微处理器芯片,模块化的目的不仅在于使用方便,达到优化完美的境地。由此可见,而且为修复提供充分的时间。 IPM除了集成功率器件和驱动电路以外,使元器件之间不再有传统的引线连接,其它模块再平均分担负载电流;&gt、过流、过热等故障监测电路，是机电一体化的关键接口元件： 功率集成电路(PIC)是电力电子器件技术与微电子技术相结合的产物,把寄生参数降到最小,再把整个模块固定在相应的散热器上,不但提高了功率容量，故深受用户喜爱电力电子论坛特约专家,采用均流技术，故常用于小型电机驱动。
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生产芯片的上市公司有哪些？
摘要：生产芯片的上市公司 内存芯片制造相关股票 （一）、芯片设计 DSP与CPU被公认为芯片工业的两大核心技术。国内CPU产品研发水平最高的以龙芯为代表，DSP以汉芯为代表。专家指出，从2000年开始，我国每年就使用近100亿元的国外DSP芯片，到2005年前我国DSP市场的需...
&&&&生产芯片的上市公司 内存芯片制造相关股票
&&&&（一）、芯片设计
&&&&DSP与CPU被公认为芯片工业的两大核心技术。国内CPU产品研发水平最高的以&龙芯&为代表，DSP以&汉芯为代表。专家指出，从2000年开始，我国每年就使用近100亿元的国外DSP芯片，到2005年前我国DSP市场的需求量在30亿美元以上，年增长将达到40％以上。
&&&&[1]、综艺股份（600770）：
&&&&公司参股49％的北京神州龙芯集成电路设计有限公司(和中科院计算技术研究所于02年8月共同设立，注册资本1亿元)，从事开发、销售具有自主知识产权的&龙芯&系列微处理器芯片等。龙芯1号、2号的推出，打破了我国长期依赖国外CPU产品的无&芯&的历史。世界排名第五的集成电路生产厂商意法半导体公司已决定购买龙芯2E的生产和全球销售权。目前龙芯课题组正进行龙芯3号多核处理器的设计，具有突出的节能、高安全性等优势。
&&&&[2]、大唐电信（600198）：
&&&&公司控股95％的子公司大唐微电子是国内EMV卡的真正龙头，具有EMV卡芯片自主设计能力，具备完全的知识产权，芯片产品获得EMV认证的进展至少领先国内竞争对手1.5年。因此，一旦国内EMV卡大规模迁移启动，公司将最先受益，并有望随市场一起爆发性增长，从而推动公司业绩增长超出预期。
&&&&[3]、同方股份（600100）：
&&&&公司控股86％子公司北京同方微电子有限公司（简称&同方微电子&），是清华控股有限公司和同方股份有限公司共同组建的专业集成电路设计公司，同方微电子主要从事集成电路芯片的设计、开发和销售，并提供系统解决方案。 目前主要产品为智能卡芯片及配套系统，包括非接触式存储卡芯片、接触和非接触的CPU卡芯片及射频读写模块等。公司成功承担了国家第二代居民身份证专用芯片开发及供货任务，是主要供货商之一。 公司控股55％子公司清芯光电股份有限公司是一家生产高亮度GaN基LED外延片、芯片的高科技企业，产品质量达到世界先进水平。公司以掌握高亮度LED最新核心技术的国际化团队为核心，以清华大学的技术力量及各种资源为依托，打造世界一流光电企业。公司具有自行设计、制造LED外延生长的关键设备－MOCVD的能力。
&&&&[4]、ST沪科（600608）：
&&&&公司控股70.31％子公司苏州国芯科技有限公司是中国信息产业部与摩托罗拉公司在中国合作的结晶，接受摩托罗拉先进水平的低功耗、高性能32位RISC嵌入式CPU M*Core? 技术及其SoC设计方法;以高起点建立苏州国芯自主产权的32位RISCC*Core?。在M*Core M210/M310的基础上自主研发了具有自主知识产权的C*Core?系列32位CPU核C305/C310/CS320/C340/C340M；建立了以C*Core?为核心的C*SoC100/200/300设计平台；并获得多项国家专利和软件著作权。公司控股75％子公司上海交大创奇微系统科技有限公司主营微电子集成电路芯片与系统，电子产品，通讯设备系统的设计，研发，生产，销售，系统集成，计算机软件的开发，32位DSP是交大研究中心和交大创奇联合开发，而16位DSP是由研究中心开发，交大创奇负责产业化。
&&&&（二）、芯片制造
&&&&[1]、张江高科（600895）：
&&&&日，张江高科发布公告称公司已通过境外全资子公司WLT以1.1111美元/股的价格认购了中芯国际4500万股A系列优先股，约占当时中芯国际股份的5％。日，张江高科再次发布公告，披露公司全资子公司WLT以每股3.50美元的价格再次认购中芯国际3428571股 C系列优先股，此次增资完成后公司共持有中芯国际A系列优先股股，C系列优先股3428571股。中芯国际在内地芯片代工市场中已占到50％以上的份额，是目前国内规模最大、技术最先进的集成电路制造公司，它到2003年上半年已跃居全球第五大芯片代工厂商。
&&&&[2]、上海贝岭（600171）：
&&&&公司是我国集成电路行业的龙头，主营集成电路的设计、制造和技术服务，并涉足硅片加工、电子标签及指纹认证等领域。公司拥有较多自主知识产权，2002年以来至今申请和授权的知识产权超过220项。形成了芯片代工、设计、应用，系统设计的产业链。公司投入巨资建成8英寸0.25微米的集成电路生产线，并且还联手大股东华虹集团成立了上海集成电路研发中心，对提升公司竞争力有较好的帮助。上海华虹NEC是世界一流水平的集成电路制造企业，拥有目前国际上主流的0.25及0.18微米芯片加工技术，是国家&909&工程的核心项目，具备相当实力。
&&&&[3]、士兰微（600460）：
&&&&公司是国内集成电路设计行业的龙头，仅次于大唐微电子排名第二，公司已掌握和拥有的技术可从事中高端产品的开发，核心技术在国内同行业中处于较高水平，具有明显的竞争优势。公司拥有集成电路领域利润最为丰厚的两块业务-芯片设计与制造，具有设计与制造的协同优势。目前专业从事CMOS、BiCMOS以及双极型民用消费类集成电路产品的设计、制造和销售。公司研发生产的集成电路有12大类100余种，年产集成电路近2亿只。公司已具备了0.5-0.6微米的CMOS芯片的设计能力，有能力设计20万门规模的逻辑芯片
&&&&[4]、方大A（000055）：
&&&&十五期间，方大承担并完成国家半导体照明产业化重大科技攻关项目，开发并研制成功的Tiger系列半导体照明芯片被列为国家重点新产品。方大建有深圳市半导体照明工程研究和开发中心。十一五期间，承担国家&863&半导体照明工程重大项目&高效大功率氮化镓LED芯片及半导体照明白光源制造技术&、广东省科技计划项目&氮化镓基蓝光外延片表面粗化的金属有机物气相沉积生长技术&和深圳市科技计划项目&80密耳半导体照明用蓝光LED芯片的研制&等。
&&&&[5]、华微电子（600360）：
&&&&公司是国内功率半导体器件的龙头企业，通过自有品牌的运作方式，公司已完成了从芯片制造、封装、销售的整个产业链的布局，公司目前的几种主要器件产品均在国内市场有较高的占有率，这些都将有助于公司较同行更能抵御行业整体波动的影响。节能灯替代白炽灯的步伐进一步加快，公司作为国内节能灯用功率器件主要供应商，将受益于国内节能灯行业的发展。同时，公司6英寸MOSFET生产线已通线试产，实现进口替代的各种条件基本成熟。
&&&&[6]、四川长虹（600839）：
&&&&公司已形成了集数字电视、空调、冰箱、IT、通讯、数码、网络、商用系统电子等产业一体的多元化、综合型跨国企业集团。日国家商务部、财政部开展的&家电下乡&招投标项目中标结果公布，四川长虹第三次夺得大满贯，公司彩电、冰箱、冰柜、手机、洗衣机等70个投标产品全部中标，中标率100％。公司研制成功拥有自主知识产权SOC（阿波罗1号）芯片，标志着公司在超大规模集成电路音视频处理领域达到国际先进水平。
&&&&[7]、海信电器（600060）：
&&&&公司控股79.68％的子公司海信信芯科技有限公司是海信集团旗下以数字电视芯片为主业的高科技子公司，2005年6月，&Hiview信芯&问世，可广泛应用于各类平板电视、CRT电 视、各类背投电视、显示器设备中。这款芯片陆续获得30多项专利(其中发明专利9项)，所有的这些专利技术全部具备自主知识产权。
&&&&[8]、深康佳A（000016）：
&&&&公司是国内彩色电视著名品牌之一，在高清液晶和国产平板电视领域的市场份额遥遥领先。深康佳日前正式发布全新的品类电视-网睿TV，以智能互动、全能升级等为核心卖点，集家庭娱乐、个人体验为一体，领衔平板电视集体回归家庭娱乐中心。网睿TV配置了康佳自主研发的&睿芯&技术，其是业内首创、系统集成传统电视芯片MSD209、网络处理芯片CC1203以及国标地面数字电视芯片LGS-8G52于一体
&&&&（三）、芯片封装测试
&&&&[1]、通富微电（002156）：
&&&&公司主要从事集成电路的封装测试业务，是国内目前实现高端封装测试技术MCM、MEMS量化生产的封装测试厂家，技术实力居领先地位。公司为IC封装测试代工型企业，以来料加工形式接受芯片设计或制造企业的委托订单，为其提供封装测试服务，按照封装量收取加工费，其IC封测规模在内资控股企业中居于前列。
&&&&[2]、长电科技（600584）：
&&&&公司是我国半导体第一大封装生产基地，国内著名的晶体管和集成电路制造商，产品质量处于国内领先水平。已拥有与国际先进技术同步的IC三大核心技术研发平台，形成年产集成电路75亿块、大中小功率晶体管250亿只、分立器件芯片120万片的生产能力，已成为中国最大的半导体封测企业，正全力挤身世界前五位，公司部分产品被国防科工委指定为军工产品，广泛应用于航空、航天、军事工程、电子信息、自动控制等领域。
&&&&[3]、华天科技（002185）：
&&&&公司主要从事半导体集成电路、半导体元器件的封装测试业务，是国内重点集成电路封装测试企业之一。公司的封装能力和技术水平在内资企业中位居第三，为我国西部地区最大的集成电路封装基地和富有创新精神的现代化高新技术企业。公司被评为我国最具成长性封装测试企业，受到了政策税收的大力支持，自主开发一系列集成电路封装技术，进军集成电路封装高端领域。
&&&&[4]、太极实业（600667）：
&&&&太极实业与韩国海力士的合作，通过组建合资公司将使公司进入更具成长性和发展前景的半导体集成电路产业，也为公司未来的产业结构转型创造了契机。投资额为3.5亿美元的海力士大规模集成电路封装测试项目，建成后可形成每月12万片12英寸晶圆测试和7500万片12英寸晶圆封装的生产配套能力。太极实业参与该项目，将由现在单一的业务模式转变为包括集成电路封装测试在内的双主业模式。
&&&&[5]、苏州固锝（002079）：
&&&&公司的主要产品为各类半导体二极管（不包括光电二极管），具备全面的二极管晶圆、芯片设计制造及二极管封装、测试能力,保持国内半导体分立器件行业前10名、二极管分行业领先地位。公司加大技术含量和毛利率更高的产品---QFN封装产品的投入，使公司逐步从单纯的半导体分立器件的生产企业向集成电路封装企业转变。公司是国内最早从事QFN封装研究并实现产业化的企业，目前能够生产各种QFN/DFN封装的集成电路产品，是国内最大的QFN/DFN集成电路封装企业。
(品股吧整理)
&&&&（四）芯片相关
&&&&[1]、康强电子（002119）：
&&&&公司主要从事半导体封装用引线框架和键合金丝的生产，公司引线框架的销量行业第一，键合金丝销量行业第二，全国的覆盖率高达60％，是电子领域中细分龙头。公司的集成电路框架及电力电子器件框架、表面贴装元器件框架和TO-92、TO-3P等分立器件框架，产销规模连续十一年居国内同行第一，具业内领先地位。
&&&&[2]、三佳科技（600520）：
&&&&公司主营半导体集成电路专用模具和化学建材专用模具的设计、研发及生产，是两市唯一的模具制造上市公司，具有独特的行业优势。公司生产的集成电路塑封模具和塑料异型材挤出模具产销量均为全国第一，国内市场占有率分别为15％和30％以上。现拥有年产化学建材挤出模具1500套、挤出下游设备100套/台、半导体塑封压机200台、半导体塑封模具200副、半导体自动化（切筋成型）封装系统60台、集成电路引线框架40亿只的生产能力。
&&&&[3]、有研硅股（600206）：
&&& 公司是国内具有国际先进水平的半导体材料研究、开发、生产重要基地，技术力量雄厚，公司先后研制出了我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶，使我国成为世界上少数几个具有拉制12英寸硅单晶技术的国家之一
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抄底腰斩股 这些票56GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析
上亿文档资料，等你来发现
56GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析
GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析；摘要：与正装LED相比，倒装焊芯片技术在功率型L；关键词：功率型LED；倒装焊结构；散热性能；热阻；1、引言；对于功率型LED，目前的电光能量转换效率约为15；2、功率型LED芯片散热物理模型；2．1芯片结构与基本参数；与传统的白炽灯相比，LED器件的温度一般低于20；为了提高功率型LED器件的散热能力和出光效率，
GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析摘要： 与正装LED相比，倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试，对其散热性能进行了分析。研究表明，焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LED芯片散热能力的主要因素；而对于正装LED芯片由于工艺简单，减少了中间热沉，通过结构的优化，工艺的改进，完全可以达到与倒装焊LED芯片相同的散热能力。关键词： 功率型LED；倒装焊结构；散热性能；热阻1、引言对于功率型LED，目前的电光能量转换效率约为15 ，即85 的能量将转化为热能。在GaN基功率型LED中，由于Ⅲ族氮化物的P型掺杂受限于Mg受主的溶解度和空穴的较高激活能，热量特别容易在P型区域中产生。如果热量集中在尺寸很小的芯片内，会使芯片温度升高，引起热应力分布不均、芯片发光效率和荧光粉转换效率下降。当温度超过一定值时，器件失效率呈指数规律升高。因此在芯片制作和封装设计方面要设法降低热阻，以保证功率型LED能高效且可靠地工作。本文在对各种功率型LED芯片的表面温度分布进行直接测试的基础上，分析了正装和倒装焊芯片结构LED的散热性能，以及制约因素和改进的途径。2、 功率型LED芯片散热物理模型2．1 芯片结构与基本参数与传统的白炽灯相比，LED器件的温度一般低于200℃ ，其热辐射非常弱。同时由于封装结构和材料的因素，芯片侧表面和上表面的散热能力极差。因此，LED产生的热量绝大部分是通过热传导的方式传到芯片底部的热沉，再以热对流的方式耗散掉。表1给出了几种不同材料的热导率[1 ]。由表1可以看出，目前在功率型LED的制备中，技术最为成熟、用得最多的蓝宝石衬底的热导率只有35～46 W/(m ?K)，不足Si材料的1/4。 为了提高功率型LED器件的散热能力和出光效率，产生了倒装焊芯片(flip-chip)结构。图1分别给出了目前常用的正装与倒装焊功率型LED芯片结构的示意图。 倒装焊结构的特点在于以热导率较高的Si(或陶瓷)材料作为器件热传导的介质，通过倒装焊技术将LED芯片键合在Si衬底上。与正装结构的LED相比，倒装焊芯片结构使器件产生的热量不必经由蓝宝石衬底，而是由焊接层传导至Si衬底，再经Si衬底和粘结材料传导至金属底座。由于Si材料的热导率较高，可有效降低器件的热阻，提高其散热能力。2．2 功率型LED芯片散热模型图2分别给出了正装与倒装焊结构LED芯片的热阻构成示意图。
图2 正装与倒装焊结构LED芯片热阻构成示意图 假定LED芯片结构中某材料层的热导率为五， 厚度为d，面积为S，在忽略材料层的边界效应时， 该材料层的热阻(单位为℃/W 或K/W)可表示为 该定义假定了器件耗散功率产生的全部热流流经热阻。(1)正装结构LED芯片热阻估算由于不同结构的芯片都有和金属底座的粘结材料层，在此我们只比较芯片的热阻，另外GaN外延层的热导率远高于蓝宝石，而其厚度与蓝宝石相比几乎可忽略不计。因此，正装芯片的热阻主要决定于蓝宝石层的热阻。目前蓝宝石层典型厚度约为80 m。面积为1mm ，其热导率取46 W/(m ?K)，则其热阻约为1．74 K/W 。(2)倒装焊结构LED芯片热阻估算同样忽略P型GaN 及金属电极层的热阻。于是倒装焊结构LED芯片的热阻可表示为： 其中， 为芯片与Si衬底间焊接层的热阻，为Si衬底材料层的热阻。假定芯片与Si衬底之间以使用较广的铅锡焊料焊接，其热导率取50 W/(m ?K)，焊接接触面积取0．5 mm (但目前多数flip―chip芯片与Si衬底之间的焊接接触面积要小于这一数值)，设焊接层厚度为20 m，则焊接层的热阻 约为0．8 K/W。Si衬底的热导率取150 W/(m ?K)，假定其面积和厚度分别取1．4 mm×1．4 mm和160 m，则其热阻约为0．54 K/W。因此理论上，对于倒装焊结构的LED，以目前的材料和工艺，其芯片热阻由此可见，在散热方面，倒装焊芯片结构具有潜在的优势。
最低可做到约1．34 K/W 。在实验中，所有器件都是我们自行封装的，但芯片的各项指标都与上述假定有偏差，倒装焊芯片中焊接层面积各不相同，参见图3(图中尺寸单位为mm)。芯片和金属底板所用粘结材料的热导率也只有约2．5 W/(m ?K)，根据芯片的物理尺寸可估算得到芯片中各层的热阻，以及热源PN结到金属底座的热阻论计算值，如表2所示的理 3、测试结果与讨论实验中先对各种LED芯片的光辐射功率进行测试，对比输入的电功率P，就可求出芯片热耗散功率图4所示。测得器件各点的表面温度后，再由式(2)得到LED芯片表面对热沉的热阻示。，结果如表3所
。然后在热平衡状态下，用自行设计的温度微区测量装置直接测量不同芯片的表面温度分布。测试的示意图如 3．1 影响LED芯片热阻计算的因素比较表2和表3可以发现，测试结果与其理论计算值基本符合，但存在一定的偏差。误差的来源主要有以下几个方面：(1)温度测试本身带来的误差：由于测量探头体积很小，在温度测试过程中容易引起温度值的起伏，由于采取多次测试统计平均取值，各点的测量相对误差应在1℃左右。(2)焊接面和焊接质量对倒装焊LED芯片热阻的影响：个别焊点处焊接不良，使得凸焊点的接触面过小甚至不接触，必然导致该焊点处热阻增大，在实验中确实发现个别凸焊点处的温度有不正常的升高现象。(3)焊接层面积的误差：在计算中采用的是透过sapphire看到的焊盘底部的最大截面积，但其实际焊接面要小于最大截面积，这导致焊接层的热阻的计算值要小于其真实值。3．2 制约倒装焊结构热阻的主要因素实验中发现，不管是理论估算还是实测，目前多数商业化的倒装焊结构LED产品在散热方面的优势并不明显，甚至热阻还大于正装的芯片。主要因素如下：(1)芯片与Si衬底之间焊接层的影响。由于目前所用焊接材料―― 铅锡焊料的热导率只有约50W/(m ?K)，并不比sapphire高很多，同时焊接层的整体面积小于sapphire层。此外，如果由于焊接质量不高，使得金属化层和Si衬底之间存在虚焊，这些都增大了倒装焊LED器件的热阻。(2)Si衬底与金属底座之间粘结层的影响。目前普遍使用的导电银胶其热导率很低，而且粘结层的厚度难以减到20m 以下，使得这一层的热阻难以大幅度降低。(3)衬底材料和工艺的影响。在倒装焊LED芯片中，用得较多的是Si材料，其优点是工艺成熟。但Si的机械强度不高，使其厚度无法进一步减小，同时Si的导热性能也不是很强，这也制约了倒装焊芯片性能的提高。因此，如果不能有效地解决焊接层的热导率、焊接质量和优化工艺参数等问题，不但不能够体现倒装焊技术在散热方面的优势，甚至还会比正装芯片t更差。 4、 结论本文结合正装和倒装焊功率型LED芯片在热平衡状态下的温度分布测试，研究了GaN基功率型LED芯片的散热性能。理论分析表明，倒装焊结构在降低LED芯片热阻，提高器件散热能力方面具有潜在的优势，但这一优势能否充分体现出来则取决于芯片结构中各层材料的选取及工艺参数的优化。目前制约倒装焊LED芯片散热能力的主要因素表现在焊接层和粘结材料层。采用热导率更高的焊接和粘结材料，同时增大焊接层的面积而减小焊接层和粘结材料层的厚度，改善倒装焊LED芯片的焊接质量，可以显著降低倒装焊LED的热阻，提高器件的散热能力。对于正装LED芯片，其优势在于结构简单和制作工艺相对容易。在实验中，我们采用同样的正装LED芯片和同样的导热银胶，但是在对银胶的处理和芯片粘结固化过程中采用了特殊的工艺流程，将粘结材料层的厚度从20m 减小到15m 以下，并提高粘结质量，从而将器件热阻从10.18 K/W 降低到6.96 K/W。
由此可见，通过芯片结构的优化和芯片粘结工艺的改进，正装芯片LED可以达到与倒装焊LED芯片相当的散热能力。 包含各类专业文献、专业论文、行业资料、文学作品欣赏、幼儿教育、小学教育、外语学习资料、56GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析等内容。　
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