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STD2HNK60Z 全新TO-252封装货源稳定长期供应
STD2HNK60Z 全新TO-252封装货源稳定长期供应
发货地广东 广州
发货期限不限
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经营模式|经销批发
企业类型|其他
公司地址|广东 广州 越秀区 中国 广东 广州市越秀区 惠福西路175号(精鸿电子城)
供应产品分类
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应用范围:功率品牌:ST型号:STD2HNK60Z材料:其他封装形式:TO-252 =DPAK
STD2HNK60Z 全新TO-252封装货源稳定长期供应
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供应商信息
公司秉承&顾客至上,锐意进取&的经营理念,坚持&客户&的原则,是专业生产电子元器件的厂家。本店以质量,价格优势,经销品种齐全,为客户打造一个应有尽有的配套服务平台,让客户省心省力,买得开心,用得放心。
主要产品有:船形开关、自锁开关、按钮开关轻触开关、DC电源插座、AC电源插座微动开关、2.5/3.5耳机插座、卡座、AV同芯插座、限位开关、USB插座、摇头/多功能开关、斯卡特(21芯、42芯)插座等,:供应各种类型元器件:电容、电阻、磁珠、钽电容、电感、排容、排阻、各种封装形式的二极管、三极管、碳膜电阻、稳压管、发光管、涤涤纶电容、半导体、IC、可调电容、可调电阻等配套。
产品广泛应用于电脑周边、家电仪器、视听设备、通讯设备、地面卫星接收设备、数字网络等,。产品销售长虹、九州、金网通等国内知名电子企业和TCL电器、超迪等知名洗衣机企业以及澳大利亚、印度等电子企业。拥有完整、科学、质量管理体系,公司拥有大量先进、专业的生产设备和检测仪器,产品畅销国内市场,出口多个国家和地区。欢迎各界朋友莅临指导、参观和业务洽谈。
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类型:通信IC
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绝缘栅(MOSFET)
MOS-INM/独立组件
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
沟道类型:其他,类型:其他IC,批号:N/A,封装:TO-3
种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:A/宽频带放大,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:GE-N-FET锗N沟道,最大漏极电流:,,,,,,开启电压:,,,,,,,夹断电压:,,,,,,低频噪声系数:,,,,,,极间电容:,,,,,,最大耗散功率:,,,,,,,,低频跨导:,,,,,,
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:P沟道,导电方式:增强型,用途:V-FET/V型槽MOS,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:P-FET硅P沟道,最大漏极电流:1500,开启电压:12,夹断电压:20,最大耗散功率:560
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沟道类型:其他,材料:锗(Ge),功率特性:中功率,封装形式:贴片型,最高反向电压VR:1,结构:点接触型,正向直流电流IF:1,产品类型:稳压管,封装材料:塑料封装,频率特性:中频
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种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:A/宽频带放大,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:GE-N-FET锗N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:S/开关,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:6A,低频噪声系数:1,极间电容:1
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沟道类型:其他,材料:硅(Si),产品性质:热销,功率特性:中功率,营销方式:现货,极性:NPN型,封装形式:直插型,结构:点接触型,封装材料:金属封装,频率特性:中频,应用范围:功率
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沟道类型:其他,材料:硅(Si),产品性质:冷门,功率特性:中功率,营销方式:现货,极性:NPN型,封装形式:直插型,结构:点接触型,频率特性:中频,应用范围:功率
沟道类型:其他,材料:硅(Si),结构:面接触型,加工定制:否,静态功耗:10,击穿电压VCEO:10,应用范围:振荡,集电极最大耗散功率PCM:10,导电类型:双极型,极性:NPN型,集电极最大允许电流ICM:10,封装形式:直插型,截止频率fT:10,规格尺寸:10,封装材料:金属封装
沟道类型:其他,材料:硅(Si),结构:点接触型,加工定制:否,静态功耗:10,击穿电压VCEO:10,应用范围:放大,集电极最大耗散功率PCM:10,导电类型:双极型,极性:NPN型,集电极最大允许电流ICM:10,封装形式:直插型,截止频率fT:10,规格尺寸:10,封装材料:金属封装
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品牌:ST/意法
型号:STF2HNK60Z
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沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:N-FET硅N沟道
产品:STF2HNK60Z
封装:TO-220FP
属性:原装
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