pspice建立宏模型中光电耦合模型在哪个库

Pspice仿真常用变压器模型_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员,立省24元!
评价文档:
&&¥3.00
喜欢此文档的还喜欢
Pspice仿真常用变压器模型
阅读已结束,如果下载本文需要使用
想免费下载本文?
把文档贴到Blog、BBS或个人站等:
普通尺寸(450*500pix)
较大尺寸(630*500pix)
你可能喜欢 下载
 收藏
该文档贡献者很忙,什么也没留下。
 下载此文档
正在努力加载中...
光电子器件的PSPICE电路模型和数值模拟论文
下载积分:1000
内容提示:光电子器件的PSPICE电路模型和数值模拟论文
文档格式:PDF|
浏览次数:1|
上传日期: 21:14:43|
文档星级:
该用户还上传了这些文档
光电子器件的PSPICE电路模型和数值模拟论文.PDF
道客巴巴认证
机构认证专区
加  展示
享受成长特权
官方公共微信适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建74
上亿文档资料,等你来发现
适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建74
设计与开发;适用于PSPICE图形化输入的四端口;MOSFET模型的创建;霍明旭,丁扣宝;(浙江大学信息与电子工程学系微电子所,杭州310;摘要:OrCADPSPICE是一个在PC机上应用;体偏效应,需要具有栅G、源S、漏D、体B四个端口;关键词:PSPICE;图形化输入;四端口MOS模;CreationofModelfor4-term;HUOMing-xu
设计与开发适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建霍明旭,丁扣宝(浙江大学信息与电子工程学系微电子所,杭州310027)摘要: OrCAD PSPICE是一个在PC机上应用比较广泛的电路模拟工具。在模拟IC设计时为了考虑体偏效应,需要具有栅G、源S、漏D、体B四个端口的器件,但PSPICE并不提供该器件的图形化输入,而且对于不同的生产工艺其SPICE模型也不相同。本文建立了适用于特定工艺的用于图形化输入方式的四端口MOSFET模型。模拟结果表明所建模型具有正确的器件特性,而且在IC中模拟的结果也是正确的,适用在PC机上应用OrCAD PSPICE软件进行含四端口MOSFET的电路的图形化输入工作。关键词:PSPICE;图形化输入;四端口MOS模型中图分类号:TN386.1       文献标识码:A          文章编号:1003-353X(2004)09-0057-03Creation of Model for 4-terminal MOSFETSuitable for Graphic Input in PSPICEHUO Ming-xu   DING Kou-bao(Institute of Microelectronic, Dept. of Info. and Electronics Engineering,Zhejiang University., Hangzhou 310027, China)Abstract: OrCAD PSPICE is a widely used program for circuit simulation on personal computers.4-terminal MOS devices are necessary for analogue integrated circuit design, because usually thebody bias effect cannot be neglected. But PSPICE does not support the method to graphically inputsuch devices, and a SPICE model varies from foundry to foundry. In this paper, the MOSFET modelssuitable for graphical interface are created for a certain technology. The simulation results show thatnot only the characteristics of the created MOSFET device but also the circuits’ function withthese devices are correct. So it is possible to input circuit schematics with 4-terminal devices graphi-cally in OrCAD PSPICE.Key words: PSPICE; graphical Interface; 4-terminal MOS model1 引言变了以往主要使用双极型器件的局面。在进行电路设计时电路模拟占有非常重要的位MOSFET现已成为微处理器与半导体存储器等置。常用的电路模拟程序有Cadence的Spectre和先进集成电路(IC)中最主要的器件单元,它尺寸PSPICE,Synopsys的HSPICE,Mentor的Eldo,小、功耗低、并与数字电路的主流工艺兼容。近Agilent的ADS等。国际上模拟电路模拟软件的事年来,使用MOSFET的模拟IC逐渐成为主流,改实标准是SPICE程序,由美国加州大学伯克莱分校September 2004Semiconductor Technology
Vol. 29 No. 957设计与开发首先推出。PSPICE则是以SPICE为核心的商用电路模拟工具,现为Cadence的OrCAD工具中的一员,可用于PCB,IC/ASIC,PLD等设计。PSPICE收敛性好,适于做系统及电路级模拟,可在微机上使用,应用非常广泛。OrCAD PSPICE进行电路图的输入有两种方式:文本输入方式和图形化输入方式。在文本输入方式中,首先需要对电路的节点进行编号,然后使用PSPICE规定的一系列输入输出控制语句,对电路模拟的标题、电路连接方式及其元器件的名称、参数、模型等进行描述,建立起一个文本文件。显然,这种方式不直观,且对于规模较大的电路就非常麻烦。而图形化输入方式大大减少了手工输入数据量,操作简单,使用方便,可以自动查错并在此基础上生成输入用的网表,可直接调用PSPICE程序进行电路模拟[1]。目前主流的EDA工具均支持图形化输入方式。PSPICE提供大量的元器件库,但未提供针对模拟IC设计所需要的四端口MOSFET。而在模拟IC的设计中,为了实现晶体管之间更好地隔离、减少pn结漏电流及闩锁效应等,往往要把阱和衬底之间的pn结反偏,即将n阱或n衬底接最高电位,将p衬底或p阱接最低电位。这样MOSFET的体端(B)和源端(S)就不是短接的,此时的MOSFET为四端口器件,在模拟时要考虑体偏效应。另外,在模拟IC设计中用到的MOSFET针对不同的生产工艺需要不同的器件模型,因此为了图形化输入电路的需要,必须创建相应的适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型。2 器件模型的创建本文建立的四端口MOSFET模型的依据是MOSIS[2]的TSMC 0.18μm CMOS工艺条件下的SPICE模型及参数。它采用的是适用于数字和模拟电路设计的深亚微米BSIM3V3模型[3]。该模型对短沟道效应和高电场效应等都进行了建模,现已成为工业界的MOSFET模型标准。首先根据所给的参数,使用PSPICE ModelEditor程序,利用.MODEL 语法来定义模型。不同的MOSFET取不同的模型名称,多个模型可以保存在一个模型库文件(*.LIB)中。然后使用PSPICE58半导体技术第29卷第9期Model Editor程序创建不同模型对应的元器件(Part)的图形符号和模板,根据上文创建的模型库来建立元器件库。OrCAD内置的MOSFET图形符号都是体(B)源(S)连接,对外只有栅、漏和源三个端口的三端器件,如图1(a)所示,无法直接使用。在三端口的NMOS图形符号上进行修改,将体源管脚断开,添加一个体端管脚B,然后再修改PSPICEtemplate模版,即可创建出四端器件,其NMOS图形符号如图1(b)所示。NMOSNMOS(a)三端口NMOS             (b)四端口NMOS图1三端口和四端口的NMOS 器件3 模型验证3.1  NMOS晶体管特性模拟模拟NMOS晶体管特性的电路图如图2所示,其中M1采用以上述方法创建的NMOS模型。令栅压VGS=3.3V,体偏电压VBS分别为0.1V, 0.3V和0.5V时,IDS随漏源电压VDS的变化如图3所示。显然,NMOS管输出特性随体偏电压VBS的变化而变化,因而不能简单地采用OrCAD内置的三端口MOS器件模型进行电路模拟。M1VDSVVBSGS0800VBS=0.5V600μA0.1V           0.3V/400DI20000        0.5       1.0        1.5        2.0       2.5        3.0       3.5VGS/V图3 VGS=3.3V时VBS分别为0.1,0.3,0.5V时的输出特性曲线二OO四年九月3.2  在实际电路中的测试图4是应用TSMC 0.18 CMOS工艺设计的无缓冲运放(OTA)电路,具有折叠共源共栅结构的自偏置的特点,其典型的MOSFET尺寸如表1所示。电路中M1, M2, M6, M7的B端接VDD,而M1a, M2a, M8, M9的B端接GND,它们在电路模拟时都要考虑体偏效应,必须采用四端口MOSFET模型。电路的输入采用了图形化输入方式,其中的MOSFET模型使用本文建立的四端口模型。V33.3VM3aM10M11IM2N1M2aM1aM8M9M1IN2OUTM6M7C11mV1pfM5VM32M41.65Vdc图4   测试用OTA的电路图表1 测试用OTA电路中典型MOSFET的尺寸MOSFETM1aM1M3aM3M8M4W/μm188.12.51.21.84L/μm          0.18      0.18      0.18     0.18     0.18     0.18图5是该电路在OrCAD PSPICE下的交流分析结果,表示其增益的幅频特性和相频特性。图6是使用相同的MOSFET模型的同一个电路在SunUltraIIi工作站的Cadence Spectre软件下模拟的结果。表2是电路在两个软件中的低频增益、单位增8001260-2040-40120-6020-100-20-1201.0         10          100        1.0k        10k         100k       1.0M      10M     100M    1.0G1   Nag/dB2 Phase/degreeFrequency/Mz图5  OTA在OrCAD PSPICE下模拟的增益特性曲线September 2004设计与开发121   Nag/dB2 Phase/degreeFrequency/Mz图6   OTA在Cadence Spetre下模拟的增益特性曲线表2  测试OTA电路模拟结果的对比PSPICESpectre误差/%低频增益/dB61.7661.78  0.04单位增益带宽/MHz186.10188.00  1.01相位裕度/Deg84.91184.93  0.02益带宽和相位裕度的结果对比,两者一致。因此,使用本文建立的四端口MOSFET模型做图形化输入的OrCAD PSPICE对电路的模拟的结果与在专业的EDA工具下模拟具有相同的效果。4 结论在模拟IC设计中,电路模拟的工作是必不可少的。而众多的专业EDA软件早期大都源于SPICE程序。OrCAD PSPICE是在PC机上流行的电路模拟工具。本文创建的四端口的MOS管SPICE模型具有正确的器件特性,而且在IC模拟的结果也是正确的,适用于四端口MOS器件的图形化输入,因而在没有专业的EDA软件时,也可以在PC机上应用OrCAD PSPICE软件进行含四端口MOS器件的电路的图形化输入工作。参考文献:[1]  高文焕,等.模拟电路的计算机分析与设计――PSPICE程序应用[M].北京:清华大学出版社,1999.[2]    MOSIS, MOSIS Parametric Test Results for TSMC 0.18 Micron CMOS Runs, 2004.2, [EB/02]HTTP://WWW.MOSIS.ORG,[3]    CHENG Y, et al.BSIM3v3 manual (final version) [M].Berkeley, 1995, 1996.作者简介:霍明旭(1975-),男,浙江大学信息与电子工程学系在职研究生,主要研究方向为模拟和混合信号集成电路设计、EDA技术等;丁扣宝(1965-),男,博士,浙江大学信息与电子工程学系副教授,主要研究方向为微电子器件物理研究。Semiconductor Technology
Vol. 29 No. 959包含各类专业文献、幼儿教育、小学教育、中学教育、生活休闲娱乐、行业资料、应用写作文书、各类资格考试、适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建74等内容。
 [总结]PSPICE模型建立_电子/电路_工程科技_专业资料...MOS 管(图 1)修改为新 MOS 管(图 2)。 (3)...Model/Import...导入多个 NewPartn.MOD 文件; 4....  (一)描点法建模 PSpice 提供 Model Editor 建立...MOSFET、Operational Amplifier、Voltage Regulator、...(2)提取出核心部分后,在输入输出端口上标上相应的...  (Diode、Bipolar Transistor、Magnetic Core、IGBT、JFET、MOSFET、 Operational ...模型,我们利用 PSpice Model Editor 将该模型导入并建立用于仿真的元件模型。下面...  (磁芯) ,传输线耦合 互感 MOS 场效应管(MOSFET)...(4)参数扫描(Parametric Analysis) (5)蒙托卡诺分析...PSpice Model Editor 将该模型导入并 建立用于仿真的...  Integrated Circuit Emphasis,即重点用于集成电路的仿真...1.4 PSpice 元器件模型库 3 PSpice提供的模型库中...晶体管JFET 互感(磁芯),传输线耦合 电感 MOS场...  于
15:37:50 仍然用.cir 文本输入法...进行屏幕图形显示 二、MATLAB 获取 PSpice 数据的...755419 MOSFET drain 电流的问题。当 drain 的电压...  在 PSPICE 中是按器件类型(DEVICE-TYPE)来建立模型...MOSFET P 沟道 MOSFET GaAsFET 非线性磁芯(变压器...数字输入器件 数字输出器件 数字输入输出模型 标准门...  ‘黑盒子’,测量其端口的电气特 性,提取器件模型,...主要应用于集成电路设计;Pspice 是 个人用户的最佳...具有图形化的前端输入环境,用户界面友好,性价比高,...  器件模型参数,对 MOSFET 器件还提供了 6 种不同...1-2-4 PSpice A/D Basic 和 PSpice 针对不同...(2)电路图中用户为电路端口符号确定的名称。例如图...PSpice教程四(编辑和创建模型)_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员,立省24元!
评价文档:
喜欢此文档的还喜欢
PSpice教程四(编辑和创建模型)
阅读已结束,如果下载本文需要使用
想免费下载本文?
把文档贴到Blog、BBS或个人站等:
普通尺寸(450*500pix)
较大尺寸(630*500pix)
你可能喜欢

我要回帖

更多关于 pspice建立宏模型 的文章

 

随机推荐