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求解一个电源控制电路设计问题，谢谢！
16:04:49　　
如附件，Q10为：P-Channel MOSFET(Si3457CDV) ，Q11为：NXP-PMV65XP；
工作时，其Q10/Q11Q都导通，给相关电源模块供电，待工作完成后，设计初衷是
通过GPIO口控制Q14三极管，来达到控制电源目的；
但是，现在的电路设计实际上是：Q11 的5V电压可控制，但Q10的24V没有达到设计目的，
不管，Q10的3PIN是高或低，其Q10端漏极都有24V电压输出！！！！
& &请赐教，谢谢！
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15:55 上传
16:54:04　　
用5V去控制24V，建议加光耦隔离，直接用三极管控制&&最容易出现这样的问题&&
18:21:01　　
1. 取消Q14，同时Q12和Q13的发射极接地；
2. GPIO控制端接到Q12和Q13的基极电阻。
10:16:18　　
用5V去控制24V，建议加光耦隔离，直接用三极管控制&&最容易出现这样的问题& &...
谢谢发绕友宝贵的建议！增加光耦隔离可以解决，但是，我想明白我这样的设计，错误之处在哪？谢谢！
10:20:30　　
1. 取消Q14，同时Q12和Q13的发射极接地；
2. GPIO控制端接到Q12和Q13的基极电阻。 ...
感谢你的提议，可以试试，理论看可行，但是我之前有确认，Q10的3PIN脚，不管是高还是低状态，其漏极都有输出。
11:13:30　　
1. 取消Q14，同时Q12和Q13的发射极接地；
2. GPIO控制端接到Q12和Q13的基极电阻。 ...
刚实验跳线测试完毕，还是无法达到设目的，NG。谢谢！
14:34:20　　
刚实验跳线测试完毕，还是无法达到设目的，NG。谢谢！
测量下Q10和Q11的GS电压，看看是不是正常。
14:43:39　　
测量下Q10和Q11的GS电压，看看是不是正常。
都正常（根据你的设计跳线测试），详细如下：1.GPIO口控制三极管导通时，其Q10，G端为低状态，输出端为：24V；Q11 G端为低状态，输出端为：5V；
2.GPIO口控制三极管截止时，其Q10，G端为高状态（24V），输出端为：24V；Q11 G端为高状态（5V），输出端为：0V；
感谢您的回复！
16:21:27　　
都正常（根据你的设计跳线测试），详细如下：1.GPIO口控制三极管导通时，其Q10，G端为低状态，输出端为： ...
所以结论是，要么Q10管子坏了、要么管子极性错误……猜不出来是什么情况，除非给出GS电压的测量值（不是高电平或者低电平什么的）。
16:44:53　　
所以结论是，要么Q10管子坏了、要么管子极性错误……猜不出来是什么情况，除非给出GS电压的测量值（不是 ...
有确认过，Q10未损坏，且封装PIN脚OK；
GS两端的电压如下：
1.GPIO控制其三极管导通时，其GS两端电压为：-20V；
2.GPIO控制其三极管截止时，其GS两端电压为：0V；
17:58:20　　
有确认过，Q10未损坏，且封装PIN脚OK；
GS两端的电压如下：
1.GPIO控制其三极管导通时，其GS两端电压为： ...
Q10恐怕已经坏了，因为GS的击穿电压是±20V，而导通时电阻分压后的GS电压接近-20V……
实际上Q10的开启电压最多只要-3V就够了。搞个-5V～-6V就应该OK了。
17:16:24　　
注意P-MOS的导通条件，Vg-Vs&0 & |Vg-Vs|&Vth；因此建议你量一下GPIO为高和低的时候Q10 gate端的电压，如果是一直导通，调整R58试试
23:11:51　　
R68取值过大，关断时Q10的G对地也有4V的电压，这样就使得Q10过了门电压。你把R68换小一些
16:28:40　　
R68取值过大，关断时Q10的G对地也有4V的电压，这样就使得Q10过了门电压。你把R68换小一些 ...
谢谢你的回复！这个问题我也考虑过，将R68改成1K/0603也是不行，谢谢！
21:00:38　　
漏极没有负载的情况下，会出现你说的现象
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发表于 21:12 |
我主要是要求设计一个能量双向流通的电路。
设计要求：
1.输入端与输出端电压之间相差不大，只有几伏到二十几伏，要求能量可以双向流通。输出电容上电压比较稳定，上下浮动大约只有十几伏，如果大于上限值就要求电容上能量回馈回去，小于下限值，就要求能量正向流动，给电容充电，从而保证输出电容上电压比较稳定在一个范围内。
2。设计的电路要求在10-700伏输出电压下，响应速度满足要求，充放电模式快速切换，0.1ms内实现充电平均电流从200 安培到放电200安培的切换。
下面是我设计的电路图
我的设计思路：&
1.能量正向传输时，前端是逆变电路，后端控制为PWM整流电路，
能量反向传输时，后端是逆变电路，前端是整流电路（变压器变比设计为1.2：1，保证输出电压经过变压器后可以比输入电压高，从而保证能量可以顺利的反向流动）
2.设计难点为，由于输入端电压与输出端电容上电压差别最大只有十几伏，再加上中间器件的损耗，很可能导致输入电压比输出电压要低，这样就无法完成能量的正向传输，因此我设计PWM整流电路就是为了抬高输入电压，使其大于输出电容上的电压（电容上已存在一定的电压）从而可以实现能量的正向传输。
3.正向传输时，控制管子V7，V8一直关断，V9,V10交替导通，从而将PWM整流电路分解为上下二个BOOST电路
4，电感取自变压器的漏感，为了满足响应速度，电感值取很小，30uh。
我以前发的一个关于boost电路仿真问题的帖子就是源于这个电路设计中的。
PWM整流电路分解开就相当于上下二个BOOST电路（没有负载电容）给电容充电，可以通过检测电容上电压来控制开关管，实现能量正向与反向流动，电容上电压太低，需要充电时，只充很短的时间，只要电压上升几伏或者十几伏，达到需要的范围就停止充电了，反之，也一样。
请教各位大师，我这样设计思路，可行吗？或者可以介绍一些别的满足设计要求的拓扑图，小弟非常感谢！
发表于 22:30 |
老兄；你在搞啥科研？就你图上这些参数....反正你也是仿真玩玩。
发表于 09:02 |
发表于： 22:30
老兄；你在搞啥科研？就你图上这些参数....反正你也是仿真玩玩。
高手们帮我看看，看看我的思路对不对，任何思路与建议尽管提奥
仿真仅仅是一开始奥，最后肯定要画板子，出样机的！
发表于 09:37 |
发表于： 09:02
高手们帮我看看，看看我的思路对不对，任何思路与建议尽管提奥
仿真仅仅是一开始奥，最后肯定要画板子，出样机的！
要么请火星人帮你设计；要么再等等。这里能用的IGBT都没发明啊！
发表于 10:51 |
发表于： 09:37
要么请火星人帮你设计；要么再等等。这里能用的IGBT都没发明啊！
不怎么明白你的意思，这里的IGBT，我选的是BSM200GA120D,就是额定电压1200伏，额定电流200安培，频率15K，就满足要求了啊，为什么你认为IGBT很慢满足要求，可以详细说明一下吗？谢谢！
发表于 11:03 |
发表于： 10:51
不怎么明白你的意思，这里的IGBT，我选的是BSM200GA120D,就是额定电压1200伏，额定电流200安培，频率15K，就满足要求了啊，为什么你认为IGBT很慢满足要求，可以详细说明一下吗？谢谢！..
因为你是电压型拓扑；需要用电感稳流。而你要的响应速度非常快，电感量被严格限制了。
为了达到效果；只有提高开关频率。
想要15K在这里只能用做电流模式。
发表于 12:01 |
发表于： 11:03
因为你是电压型拓扑；需要用电感稳流。而你要的响应速度非常快，电感量被严格限制了。
为了达到效果；只有提高开关频率。
想要15K在这里只能用做电流模式。
我感觉10-710伏范围内切换，比较有难度，如果从100多伏-710伏之间切换，还是可以的，算出电感值在20uH,电感值为变压器漏感，按条件设计的变压器漏感控制在20uH以下还是可行的。如果变压器设计的漏感更低，那么满足需要的电压就可以从100伏，继续往下降了！
可否发一个电流模式电路图上来，参考一下，谢谢！
发表于 15:21 |
发表于： 12:01
我感觉10-710伏范围内切换，比较有难度，如果从100多伏-710伏之间切换，还是可以的，算出电感值在20uH,电感值为变压器漏感，按条件设计的变压器漏感控制在20uH以下还是可行的。如果变压器设计的漏感更低，那么满足需要的电压就可以从100伏，继续往下降了！
双向DC-DC电路嘛，看到过
发表于 13:20 |
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应用于Dc-DC变换器的高速高精度电流检测电路的设计.pdf66页
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DESIGNOFHIGH―SPEEDANDHIGH
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万方数据 东南大学学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除
了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获
得东南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献
均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 研究生签名：
堑2整 日期： 矽l垆．j． 口 东南大学学位论文使用授权声明 东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交学位论文的复印件和电子文档，
可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。除在保密
期内的保密论文外，允许论文被查阅和借阅，可以公布 包括以电子信息形式刊登 论文的全部内容或中、
英文摘要等部分内容。论文的公布 包括以电子信息形式刊登 授权东南大学研究生院办理。 研究生签名：丝鱼室导师签 期：鲨!竺：!：翌 万方数据 摘要 摘要 峰值电流模式开关变换器因其动态响应速度快，补偿网络简单并可同时实现过流保护等优点，被广泛
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有个电压检测电路问题请教
用户名：richardvip
注册时间： 16:55:00
有个电压检测电路问题请教
首先祝大家端午节快乐，希望没有打扰到大家过节，我这里有个问题请教，我要做一个-48V直流电压的检测，这个电压是我系统的供电电源，系统中我是通过一个带隔离的电源模块将-48V转换为5V为系统所用，由于这个电源模块是带变压器隔离的，所以-48V的参考地和5V的参考地不是同一个地，也就是说不共地，原来我构想的检测是利用+5V和输入-48V电源构成一个分压电路，使AD口检测的电压大概在0-5V之间，可是我仔细考虑，因为+5V是参考系统的地的5V，而-48V是参考输入地的-48V两个地并不是一个地，如果我把这两个地连在一起，就起不到我把输入与系统隔离的目的，因此我想请教大家，如何做才能解决这个问题，先谢谢了。
用户名：maychang
注册时间： 17:15:00
判断“有”和“无”？测量电压值？
用户名：hq_y
注册时间： 18:00:00
至于如何把-48V转成你需要测量的电压，以及-48V的中心点在0～5V的什么位置...还需要细化你的要求；
用户名：awey
注册时间： 11:44:00
1、简单的用光耦，找出输出电压与输入电压的关系做个表，但精度和一致性很差，不适合产品2、做个方波震荡器，通过变压器降压耦合，再测试3、在源端用V－F转换，加光偶隔离输出4、源断AD，串行加光耦输出……
用户名：richardvip
注册时间： 13:18:00
前两点我感觉太麻烦了，能否就后两点详细说一下3、在源端用V－F转换，加光偶隔离输出是不是要线形光藕呢，我没有用过v-f转换，如何检测频率呀4、源断AD，串行加光耦输出这个我也不明白，能否详细介绍一下
用户名：maychang
注册时间： 13:30:00
3、在源端用V－F转换，加光偶隔离输出此时光耦传递频率量，不必线性。至于测量频率，方法很多，用任何一种方法都可以，怎么方便就怎么测。4、源断AD，串行加光耦输出awey&打错一个字，应该是“源端AD”，这就是3楼&hq_y&所说的方法。
用户名：richardvip
注册时间： 14:34:00
我就是通过一个分压电路将电压传给mcu的ad，然后进行计算，如下图，为了提高抗干扰性，我用了一个带变压器隔离的电源模块，因此-48V和5V的参考基准是不同的，我不清楚斑竹说的“源端AD，串行加光耦输出”是什么意思，如何实现，我是新手，还请各位高手说详细些，谢谢
用户名：maychang
注册时间： 14:54:00
“我的单片机有ad”，这句直到9楼才说出来。如果早说一些，awey就不会提出“源端AD”的方法。已经有了AD，再加个AD，岂非舍近求远？是否一定要用单片机中的AD测量？那倒也未必。单片机用的什么型号？是否有空余的可对外部脉冲计数的计数器？如果有，那么用V/F变换可能是个好办法。如果一定要用单片机中的AD，那么测量48V要求多高的精度？……
用户名：richardvip
注册时间： 15:06:00
到未必用ad，测量精度能达到误差0.1V就可以了，如果用V/F变换是不是要用LM331呀，可是我要测得是负电压呀，如何测呢
用户名：2001myp
注册时间： 7:51:00
光耦吧，通过光耦可以解决这个问题。地隔离以后反正你每一路外接信号都必须要经过光耦了，不然不共地，输入信号会有问题
用户名：richardvip
注册时间： 8:50:00
我原来的电路如上面贴图，我是5V和-48V一起串电阻分压的，楼上的意思是不是我用光藕将系统地和系统输入地隔离，这样就可以实现共地并且实现隔离对吗，如果是这样，电路如何实现呢，还请明示，谢谢
用户名：lai832
注册时间： 12:49:00
隔离的话,就不能共地.共地的话就无法隔离.你可以查一下光耦的DATASHEET,变压器是磁耦合,光耦是光耦合,从而实现隔离.
用户名：richardvip
注册时间： 13:41:00
小弟就是因为这个才困惑的,就是觉得用光藕无法共地,那既然不行,那我如何做才能实现-48V电压检测呢awey版主提的后两点:&3、在源端用V－F转换，加光偶隔离输出4、源端AD，串行加光耦输出第三点的疑问:&1、LM331的输入电压范围是-0.2V至VSS，最大输入电压40V，我要检测-48v直流电可以吗，它不仅是负电压而且还超过了最大输入电压范围2、LM331的地如何连接呢,如果采用系统输入端的地,那么干扰不就又传到系统内(因为LM331的供电是系统内的+5v)，如果采用系统的地,那么-48v不就不是-48v了吗,因为基准变了3、光藕是用来隔离和提高带载能力，如果不需要隔离并且带载能力够就不需要，单片机测量用一个可以用作计数的定时器计数，另一个定时器定时，计算在规定的时间内的计数值，然后就可以计算出频率，再根据公式计算出电压值，对吗第四点的疑问：1、我在前面没有说清楚，我用的单片机有ad，但是-48v如何通过一个电路传给ad呢，因为两个地不是同一个地呀，如果用系统输入端的地做参考，给ad的电压不就成负的啦以上疑惑还请大家帮助，谢谢
用户名：awey
注册时间： 14:03:00
在输入端，将－48V当成地，0V就是48V，通过一个稳压电路为LM311供电，LM311的输入端，用两个电阻对48V分压到正常的输入电压范围内，输出通过光耦隔离，送到MCU测频率。
用户名：richardvip
注册时间： 14:36:00
根据您的讲解我画了个电路,您看看对不对,另外应该是LM331吧,还有一点送到MCU测频率,用我说的用一个可以用作计数的定时器计数，另一个定时器定时，计算在规定的时间内的计数值，然后就可以计算出频率，再根据公式计算出电压值，可以吗非常感谢谢谢
用户名：awey
注册时间： 19:26:00
LM331的供电Vs要单独做个稳压电路供电，另外R2不能接5V，要接到LM331的8脚
用户名：awey
注册时间： 19:52:00
楼主一直没说48V是不是电源？带负载能力怎么样？如果一带负载，电压会变的，那一切都白搭。
用户名：richardvip
注册时间： 9:19:00
根据讲解我修改了图，再帮着看一下，还有一点送到MCU测频率,用我说的用一个可以用作计数的定时器计数，另一个定时器定时，计算在规定的时间内的计数值，然后就可以计算出频率，再根据公式计算出电压值，可以吗
用户名：emailli
注册时间： 14:22:00
虽然用&awey&这样&方式也可以实现电压的检测！但是，我觉得你们还是被LZ带笼子了！如果有一天，还需要检测电流，我看你们怎么出主意？
用户名：richardvip
注册时间： 14:27:00
那有什么办法处理吗，还请帮助，谢谢
用户名：赤铸
注册时间： 15:30:00
不比331的方案贵
用户名：emailli
注册时间： 9:17:00
嘿嘿，我的方式涉及前公司机密。还是少说为好！
用户名：richardvip
注册时间： 11:02:00
我要测的-48v电压基准和系统内的电压基准不同，如何直接用单片机的ad呀
用户名：awey
注册时间： 14:19:00
霍尔定理好象是这么说的：通电导体中的电子在磁场中流动时，会受力的作用，在导体两侧形成电位差。根据此原理，设计的霍尔电流传感器，可以用于电流的检测。电流测量的方法很多，可以用专门的电流检测IC，比如AD8210、INA169等。赤铸&说得对，不如用带AD的单片机来做，价格比用分离件还便宜，而且容易扩充。
用户名：richardvip
注册时间： 14:22:00
我要测的-48v电压基准和系统内的电压基准不同，如何直接用单片机的ad呀，能否说得具体些，我真是想不出如何去做，谢谢
用户名：awey
注册时间： 14:34:00
测到的数值还要通过光耦&&串行传到&次级系统的单片机处理。
用户名：emailli
注册时间： 15:11:00
然后剩下的应该知道怎么做了吧
用户名：richardvip
注册时间： 15:34:00
斑竹你的解释我还有点不明白，把之前的电路替换为单片机后输出的数据如何传到主单片机，是通过串口吗楼上你说的我不是没有想过，可是霍尔电压传感器应该不是很便宜吧，而且比较占地方，楼上有没有性价比比较高的推荐一下。再次感谢两位，谢谢
用户名：emailli
注册时间： 16:55:00
这个是它的一个优势
用户名：luckdog110
注册时间： 10:47:00
时隔三年之后，我看到了这个贴，我也正在为现在的AD转换而疑惑。我的也是检测电源的电压，范围在20~30V。之前的方法是用分压电阻1/6分压到0~5V，然后进入线性隔离放大器输出也是0~5V，在经过分压电阻1/2分压到0~2.5V，再经过一个跟随器，然后进入单片机自带的AIN脚。但是我觉得这样子不是特别好，这样利用了两次电阻分压，误差会很大。看了这个帖子之后，我想利用另一种方法：
1.电阻分压到0到5V，然后经过线性隔离放大器到0到5V，然后经过V~F的芯片，然后到单片机管脚，由单片机测频率。这样子就能够测出电压值了。
一个问题是我的单片机需要大量的通信，再用来测频率的话会不会影响通信？这种方案能用来做产品不？
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