多晶硅电阻率的单位N型和P型有什么区别？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2011-10-21 19:22 标签： 电阻率的单位
P型和N型单晶硅片的区别?可以说具体点吗,现在有些太阳能公司开始采用N型单晶硅片生产电池片,据说效率高,原理是什么?
N型是电子导电,P型是空穴导电.单晶硅中掺磷是N型,掺磷越多则自由电子越多,导电能力越强,电阻率就越低；单晶硅中掺硼为P型,掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多,导电能力越强,电阻率就越低.
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多晶硅电阻电阻率很小,与掺杂的程度相关.一般通过各种沉积方法在硅衬底上沉积而成的.生产的方法有很多种,常见的是化学气相沉积.
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多晶硅电阻率
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请教高人，对于原生多晶硅都会有关于电阻率和少子寿命的技术参数，请问电阻率和少子寿命对应于多晶硅的品质上有什么影响，是不是影响到以后做成片的转换率？谢谢
多晶硅, 积分 67, 距离下一级还需 133 积分
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电阻率和少子寿命是多晶硅最重要的质量控制指标。电阻率体现多晶硅杂质含量多少。
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TA的每日心情郁闷 08:07签到天数: 62 天[LV.6]常住居民II
这是我百度的 具体的 可以看下电阻率是多晶硅产品质量检验最主要的指标之一，其数值高低可以反映出由其生产的硅片的转化率的大小。在多晶硅生产中，电阻率的高低可以反映出多晶硅产品中金属杂质含量的多少，因此，其也是多晶硅生产中过程控制的主要参考数据。一般而言，金属杂质含量越高，则多晶硅的电阻率越低，金属杂质越低，则对应多晶硅的电阻率越高。当然，多晶硅的少子寿命也相同于此。/ r$ D/ x" V( J3 a" A/ _/ m
) B/ y&&F" V- H$ F0 _5 }# U
& & 由此可以看出，金属杂质含量是影响多晶硅电阻率的主要因素之一。在多晶硅生产中，金属杂质主要来源于进入还原炉中的精制三氯氢硅原料，因此精制三氯氢硅中的金属杂质含量决定着多晶硅的电阻率。在一般的多晶硅生产中，三氯氢硅的来源一般有四种途径，即合成生产，氢化生产，还原自循环及外购料。
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& & 在这四种途径中，合成生产的三氯氢硅对多晶硅产品质量影响最大，这是因为合成生产使用的原料就是工业硅粉和氯气、氢气，而金属杂质主要来源于工业硅粉。因此，对于合成生产的三氯氢硅的工艺处理除自身的洗涤塔洗涤和精馏外，还要注重于工业硅粉的质量，使用高质量的硅粉作为生产原料，即尽可能的在源头进行控制。当然，在实际生产中，精馏是质量控制过程中最主要的一个工序，其运行的好坏及控制水平的高低决定着多晶硅产品质量的好坏。但是，从目前实际情况来看，国内绝大多数企业并未迈过这个门槛。3 \/ j6 b& F: k4 A% I&&_
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感谢感谢感谢
[]：一个袋子砸在了 徐州瑞晶 头上，徐州瑞晶 赚了 1
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百度上有，多晶硅等级标准
[]：XYONG 被钱袋砸中进医院，看病花了 1
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厉害，支持
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金属杂质影响的不是电阻率　整个误人子弟　金属杂质影响最大的是少子寿命！！
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回复 1 g. Q4 e# ?% U% e7 F; F
我给你补充点。金属杂质的状态影响少子寿命。; i4 W9 s, ^/ E
间隙金属大影响。
替位金属小影响。/ H: W4 O3 y: F&&M5 H" C6 u2 w: S8 q
沉淀金属是隐患。
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哎。。。这种问题楼主不好直接去问你们的研发部或者工艺部的人吗？3 {$ Y$ |6 l# e% C$ w8 }2 y
% m- a* C, \) t+ W" F7 B
/ _% C1 v) M! J% w1 l" I
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自己做下PC1D的模拟就全出来了
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[]： 在论坛发帖时没有注意，被小偷偷去了 2
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TA的每日心情开心 16:07签到天数: 586 天[LV.9]以坛为家II
金属杂质影响的不是电阻率　整个误人子弟　金属杂质影响最大的是少子寿命！！
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TA的每日心情奋斗 21:38签到天数: 837 天[LV.10]以坛为家III原生多晶硅_百度百科
原生多晶硅
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原生多晶硅具有灰色金属光泽。密度2.32-2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。
原生多晶硅化学性质
常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。
原生多晶硅应用
具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下反应（氯化），再经冷凝、精馏、还原而得。 多晶硅是单质硅的一种形态。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，用于（是）半导体行业和太阳能。从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。
多晶硅技术指标：电阻率&100Ω·cm(N型），电阻率&1000Ω·cm(P型）；少子寿命&25μs;C&1ppma.

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