20n06参数

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【性能 参数】
N沟 60V 21A 3.75W 带阻尼内部结构图:
【互换 兼容】
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型号:PHD21N06LT,118
制造商:NXP Semiconductors
RoHS: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装:带卷 (TR)说明:MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
标准包装:2,500
类别:分立式导体产品
家庭:FET - 单
系列:TrenchMOS??
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25& C 时):19A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):650pF @ 25V
功率 - 最大值:56W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK
其它名称:PHD21N06LT /T3PHD21N06LT /T3-ND
电话:0、035161、
地址:深圳市福田区福华路29号京海花园 26A((深圳市华美锐科技有限公司)
PHD20N06T118
电话:深圳分公司8//799993
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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澧肩典俊涓$ヨ璇FQPF20N06C现货库存、热门库存,FQPF20N06C资料详细参数、FQPF20N06CPDF下载 -
您现在的位置: >
> FQPF20N06C
型号:FQPF20N06L
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装:管件说明:MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220F
标准包装:50
类别:分立式导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET?
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25& C 时):15.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 7.85A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):630pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220F
其它名称:FQPF20N06L-NDFQPF20N06LFS
地址:深圳市福田区金田路卓越世纪中心一号楼19层
FQPF20N06C
电话:086-010-001623
地址:北京海淀区知春路118号知春大厦A座0404室
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电话:086-8
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