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扫描下载二维码SI1029X-T1-GE3 | Vishay SI1029X-T1-GE3, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=60 V, 6针 SC-89封装 | Vishay
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SI1029X-T1-GE3
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双 N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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通道类型N，P
最大连续漏极电流0.19 (P) A, 0.305 (N) A
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值3 (N) Ω, 8 (P) Ω
最小栅阈值电压1V
最大栅源电压±20 V
封装类型SC-89
安装类型表面贴装
通道模式增强
类别Trench MOSFET
最大功率耗散0.25 W
每片芯片元件数目2
典型关断延迟时间20 ns, 35 ns
典型输入电容值@Vds23 pF@ -25 V, 30 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs750 nC @ 4.5 V (N-Channel), 1700 nC @ -15 V (P-Channel)
最低工作温度-55 °C
最高工作温度+150 °C
尺寸1.7 x 1.7 x 0.6mm
典型接通延迟时间15 (N) ns, 20 (P) ns
全选
1300 现货库存，可%作日发货。网上下单，免运费。
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Vishay SI1029X-T1-GE3, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=60 V, 6针 SC-89封装
SI1029X-T1-GE3
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Vishay SI1029X-T1-GE3, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=60 V, 6针 SC-89封装
SI1029X-T1-GE3
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包装方式：
什么是行业标准包装？
随时可以直接上机的以卷盘或管状包装的产品。为您减少浪费并提高生产效率。
标准包装
行业包装
本声明确认：下述产品符合当前RS媒体中发表的规范并通过RS Components 内部管理系统制定的严格的质量条件检测。此外，本声明确认：所有相关半导体设备的处理和包装条件符合ANSI/ESD S20.20 和EN静电标准的行政和技术要求。
RS 库存编号
产品名称
Vishay SI1029X-T1-GE3, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=60 V, 6针 SC-89封装
供应商/品牌
制造商零件编号
SI1029X-T1-GE3
上述信息与如下所示的产品销售日期或销售后的日期相关.
欧时电子元件（上海）有限公司
日期
Aug 11, 2016
欧时电子元件(上海）有限公司, 上海市黄浦区延安东&#号东海商业中心二 200001
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热线&#7966 电邮:RSCN@80(x-6)=50(x+3)怎么算
数字爱茜茜2062
80x-80×6=50x+50×380x-480=50x+15080x-50x=150+48030x=630x=630÷30x=21
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