三极管的开关作用。三极管开关作用的原理是什么？三极管做开关时的特 - 爱问知识人
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三极管的开关作用。
开关作用的原理是什么？三极管做开关时的特性是什么？
　　三极管在饱和导通(发射结和集电结都是正偏置)时，其CE极间电压很小，比PN结的导通电压还要低(硅管在0.5V以下)，CE极间相当“短路”，即呈“开”的状态。
　　三极管在截止状态(发射结、集电结都是反偏置)时，其CE极间的电流极小(硅管基本上量不到)，相当于“断开(即‘关’)”的状态。
　　三极管开关电路的特点是开关速度极快，远远比机械开关快；没有机械接点，不产生电火花；开关的控制灵敏，对控制信号的要求低；导通时开关的电压降比机械开关大，关断时开关的漏电流比机械开关大；不宜直接用于高电压、强电流的控制。
空气开关也就是断路器，在电路中作接通、分断和承载额定工作电流，并能在线路和电动机发生过载、短路、欠压的情况下进行可靠的保护。断路器的动、静触头及触杆设计成平行状...
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三极管做开关管的一些总结（理解三极管）收藏
大学时，老师就告诉模电重要，确实重要，可是如何学好模电那，我觉得三极管很重要，三极管学会了，再不深究的情况下，mos管我们也能运用自如。我们不要想着去学，要想着去用，为什么要学三极管，是因为我们设计电路时要去用三极管我一直在想一个软件工程师和一个硬件工程师对电路的理解差别是什么。那就是软件工程师只在意电压，我们会经常发现嵌入式软件工程师会总说多少伏多少伏的。而一个硬件工程师我们要理解功率，也就是要多出了一个电流的概念。因为涉及电路就要涉及功率了，也就是电压和电流的综合考虑！打个比方用一个极其细的导向去导通大功率的电流。此时导线发热设置烧焦，这时我们硬件工程师就该明白功率过大，导线不行。下面我把网上找的以及个人的总结对三极管的理解发上来。大家在看时发现哪里有纰漏要及时告诉我，以免误人子弟！下面是我个人总结： 三极管理论知识不是很容易理解，在大学里学习的时候总是不理解，等到工作后实际应用到了三极管还是不理解，于是重新翻开模拟电子线路这本书又上网搜索了很多相关知识，终于有了一点理解，在这里与大家分享。首先，需要看几遍模电书，大致上要了解些二极管，三极管的知识。1、三极管的形象解释：（来自网上）对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流去控制大电流。放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。如果某一天，天气很旱，江水没有了，也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门，并使之开启，但因为没有水流的存在，所以，并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。饱和区是一样的，因为此时江水达到了很大很大的程度，管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管二极管
的击穿。在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。2.三极管知识的讲解-新解：（来自网上）随着科学技的发展，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件，其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点:1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。2、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关；即：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄，但只要Ib为零，则Ic即为零。3、饱和状态下，Vc电位很弱的情况下，仍然会有反向大电流Ic的产生。
很多教科书对于这部分内容，在讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书，大多采用了回避的方法，只给出结论却不讲原因。即使专业性很强的教科书，采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当，使讲解内容前后矛盾，甚至造成讲还不如不讲的效果，使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。笔者根据多年的总结思考与教学实践，对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新讲解方法，并通过具体的教学实践收到了一定效果。虽然新的讲解方法肯定会有所欠缺，但本人还是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来，以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善。一、 传统讲法及问题：
传统讲法一般分三步，以NPN型为例（以下所有讨论皆以NPN型硅管为例），如示意图A。1.发射区向基区注入电子；2.电子在基区的扩散与复合；3.集电区收集由基区扩散过来的电子。”（注1）问题1：这种讲解方法在第3步中，讲解集电极电流Ic的形成原因时，不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通，从而产生了Ic，而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用，同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。以为只要Vc足够大基区足够薄，集电结就可以反向导通，PN结的单向导电性就会失效。其实这正好与三极管的电流放大原理相矛盾。三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic与Vc在数量上必须无关，Ic只能受控于Ib。 问题2：不能很好地说明三极管的饱和状态。当三极管工作在饱和区时，Vc的值很小甚至还会低于Vb，此时仍然出现了很大的反向饱和电流Ic，也就是说在Vc很小时，集电结仍然会出现反向导通的现象。这很明显地与强调Vc的高电位作用相矛盾。问题3：传统讲法第2步过于强调基区的薄，还容易给人造成这样的误解，以为是基区的足够薄在支承三极管集电结的反向导通，只要基区足够薄，集电结就可能会失去PN结的单向导电特性。这显然与人们利用三极管内部两个PN结的单向导电性，来判断管脚名称的经验相矛盾。既使基区很薄，人们判断管脚名称时，也并没有发现因为基区的薄而导致PN结单向导电性失效的情况。基区很薄，但两个PN结的单向导电特性仍然完好无损，这才使得人们有了判断三极管管脚名称的办法和根据。问题4：在第2步讲解为什么Ic会受Ib控制，并且Ic与Ib之间为什么会存在着一个固定的比例关系时，不能形象加以说明。只是从工艺上强调基区的薄与掺杂度低，不能从根本上说明电流放大倍数为什么会保持不变。问题5：割裂二极管与三极管在原理上的自然联系，不能实现内容上的自然过渡。甚至使人产生矛盾观念，二极管原理强调PN结单向导电反向截止，而三极管原理则又要求PN结能够反向导通。同时，也不能体现晶体三极管与电子三极管之间在电流放大原理上的历史联系。二、新讲解方法：1、切入点：
要想很自然地说明问题，就要选择恰当地切入点。讲三极管的原理我们从二极管的原理入手讲起。二极管的结构与原理都很简单，内部一个PN结具有单向导电性，如示意图B。很明显图示二极管处于反偏状态，PN结截止。我们要特别注意这里的截止状态，实际上PN结截止时，总是会有很小的漏电流存在，也就是说PN结总是存在着反向关不断的现象，PN结的单向导电性并不是百分之百。
为什么会出现这种现象呢？这主要是因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外，还总是会有极少数的本征载流子“电子”出现。N区也是一样，除了多数载流子电子之外，也会有极少数的载流子空穴存在。PN结反偏时，能够正向导电的多数载流子被拉向电源，使PN结变厚，多数载流子不能再通过PN结承担起载流导电的功能。所以，此时漏电流的形成主要靠的是少数载流子，是少数载流子在起导电作用。反偏时，少数载流子在电源的作用下能够很容易地反向穿过PN结形成漏电流。漏电流只所以很小，是因为少数载流子的数量太少。很明显，此时漏电流的大小主要取决于少数载流子的数量。如果要想人为地增加漏电流，只要想办法增加反偏时少数载流子的数量即可。所以，如图B，如果能够在P区或N区人为地增加少数载流子的数量，很自然的漏电流就会人为地增加。其实，光敏二极管的原理就是如此。光敏二极管与普通光敏二极管一样，它的PN结具有单向导电性。因此，光敏二极管工作时应加上反向电压，如图所示。当无光照时，电路中也有很小的反向饱和漏电流，一般为1×10-8 —1×10 -9A(称为暗电流)，此时相当于光敏二极管截止；当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向饱和漏电流大大增加，形成光电流，该光电流随入射光强度的变化而相应变化。光电流通过负载RL时，在电阻两端将得到随人射光变化的电压信号。光敏二极管就是这样完成电功能转换的。
光敏二极管工作在反偏状态，因为光照可以增加少数载流子的数量，因而光照就会导致反向漏电流的改变，人们就是利用这样的道理制作出了光敏二极管。既然此时漏电流的增加是人为的，那么漏电流的增加部分也就很容易能够实现人为地控制。2、强调一个结论：
讲到这里，一定要重点地说明PN结正、反偏时，多数载流子和少数载流子所充当的角色及其性质。正偏时是多数载流子载流导电，反偏时是少数载流子载流导电。所以，正偏电流大，反偏电流小，PN结显示出单向电性。特别是要重点说明，反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。为什么呢？大家知道PN结内部存在有一个因多数载流子相互扩散而产生的内电场，而内电场的作用方向总是阻碍多数载流子的正向通过，所以，多数载流子正向通过PN结时就需要克服内电场的作用，需要约0.7伏的外加电压，这是PN结正向导通的门电压。而反偏时，内电场在电源作用下会被加强也就是PN结加厚，少数载流子反向通过PN结时，内电场作用方向和少数载流子通过PN结的方向一致，也就是说此时的内电场对于少数载流子的反向通过不仅不会有阻碍作用，甚至还会有帮助作用。这就导致了以上我们所说的结论：反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。这个结论可以很好解释前面提到的“问题2”，也就是教材后续内容要讲到的三极管的饱和状态。三极管在饱和状态下，集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位，集电结处于零偏置，但仍然会有较大的集电结的反向电流Ic产生。3、自然过渡：
继续讨论图B，PN结的反偏状态。利用光照控制少数载流子的产生数量就可以实现人为地控制漏电流的大小。既然如此，人们自然也会想到能否把控制的方法改变一下，不用光照而是用电注入的方法来增加N区或者是P区少数载流子的数量，从而实现对PN结的漏电流的控制。也就是不用“光”的方法，而是用“电”的方法来实现对电流的控制（注2）。接下来重点讨论P区，P区的少数载流子是电子，要想用电注入的方法向P区注入电子，最好的方法就是如图C所示，在P区下面再用特殊工艺加一块N型半导体（注3）。
图C所示其实就是NPN型晶体三极管的雏形，其相应各部分的名称以及功能与三极管完全相同。为方便讨论，以下我们对图C中所示的各个部分的名称直接采用与三极管相应的名称（如“发射结”，“集电极”等）。再看示意图C，图中最下面的发射区N型半导体内电子作为多数载流子大量存在，而且，如图C中所示，要将发射区的电子注入或者说是发射到P区（基区）是很容易的，只要使发射结正偏即可。具体说就是在基极与发射极之间加上一个足够的正向的门电压（约为0.7伏）就可以了。在外加门电压作用下，发射区的电子就会很容易地被发射注入到基区，这样就实现对基区少数载流子“电子”在数量上的改变。4、集电极电流Ic的形成：
如图C，发射结加上正偏电压导通后，在外加电压的作用下，发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区，它们在基区（P区）的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述，少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结，所以，这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结到达集电区形成集电极电流Ic。由此可见，集电极电流的形成并不是一定要靠集电极的高电位。集电极电流的大小更主要的要取决于发射区载流子对基区的发射与注入，取决于这种发射与注入的程度。这种载流子的发射注入程度及乎与集电极电位的高低没有什么关系。这正好能自然地说明，为什么三极管在放大状态下，集电极电流Ic与集电极电位Vc的大小无关的原因。放大状态下Ic并不受控于Vc，Vc的作用主要是维持集电结的反偏状态，以此来满足三极管放大态下所需要外部电路条件。
对于Ic还可以做如下结论：Ic的本质是“少子”电流，是通过电子注入而实现的人为可控的集电结“漏”电流，因此它就可以很容易地反向通过集电结。5、Ic与Ib的关系：
很明显，对于三极管的内部电路来说，图C与图D是完全等效的。图D就是教科书上常用的三极管电流放大原理示意图。
看图D，接着上面的讨论，集电极电流Ic与集电极电位Vc的大小无关，主要取决于发射区载流子对基区的发射注入程度。
通过上面的讨论，现在已经明白，三极管在电流放大状态下，内部的主要电流就是由载流子电子由发射区经基区再到集电区贯穿三极管所形成。也就是贯穿三极管的电流Ic主要是电子流。这种贯穿的电子流与历史上的电子三极管非常类似。如图E，图E就是电子三极管的原理示意图。电子三极管的电流放大原理因为其结构的直观形象，可以很自然得到解释。
如图E所示，很容易理解，电子三极管Ib与Ic之间的固定比例关系，主要取决于电子管栅极（基极）的构造。当外部电路条件满足时，电子三极管工作在放大状态。在放大状态下，穿过管子的电流主要是由发射极经栅极再到集电极的电子流。电子流在穿越栅极时，很显然栅极会对其进行截流，截流时就存在着一个截流比问题。截流比的大小，则主要与栅极的疏密度有关，如果栅极做的密，它的等效截流面积就大，截流比例自然就大，拦截下来的电子流就多。反之截流比小，拦截下来的电子流就少。栅极拦截下来的电子流其实就是电流Ib，其余的穿过栅极到达集电极的电子流就是Ic。从图中可以看出，只要栅极的结构尺寸确定，那么截流比例就确定，也就是Ic与Ib的比值确定。所以，只要管子的内部结构确定，的值就确定，这个比值就固定不变。由此可知，电流放大倍数的β值主要与栅极的疏密度有关。栅极越密则截流比例越大，相应的β值越低，栅极越疏则截流比例越小，相应的β值越高。
其实晶体三极管的电流放大关系与电子三极管类似。晶体三极管的基极就相当于电子三极管的栅极，基区就相当于栅网，只不过晶体管的这个栅网是动态的是不可见的。放大状态下，贯穿整个管子的电子流在通过基区时，基区与电子管的栅网作用相类似，会对电子流进行截流。如果基区做得薄，掺杂度低，基区的空穴数就会少，那么空穴对电子的截流量就小，这就相当于电子管的栅网比较疏一样。反之截流量就会大。很明显只要晶体管三极管的内部结构确定，这个截流比也就确定。所以，为了获大较大的电流放大倍数，使β值足够高，在制作三极管时往往要把基区做得很薄，而且其掺杂度也要控制得很低。
与电子管不同的是，晶体管的截流主要是靠分布在基区的带正电的“空穴”对贯穿的电子流中带负电的“电子”中和来实现。所以，截流的效果主要取决于基区空穴的数量。而且，这个过程是个动态过程，“空穴”不断地与“电子”中和，同时“空穴”又不断地会在外部电源作用下得到补充。在这个动态过程中，空穴的等效总数量是不变的。基区空穴的总数量主要取决于掺“杂”度以及基区的厚薄，只要晶体管结构确定，基区空穴的总定额就确定，其相应的动态总量就确定。这样，截流比就确定，晶体管的电流放大倍数的值就是定值。这就是为什么放大状态下，三极管的电流Ic与Ib之间会有一个固定的比例关系的原因。6、对于截止状态的解释：
比例关系说明，放大状态下电流Ic按一个固定的比例受控于电流Ib，这个固定的控制比例主要取决于晶体管的内部结构。
对于Ib等于0的截止状态，问题更为简单。当Ib等于0时，说明外部电压Ube太小，没有达到发射结的门电压值，发射区没有载流子“电子”向基区的发射注入，所以，此时既不会有电流Ib，也更不可能有电流Ic。另外，从纯数学的电流放大公式更容易推出结论，Ic=βIb，Ib为0，很显然Ic也为0。三、新讲法需要注意的问题：
以上，我们用了一种新的切入角度，对三极管的原理在讲解方法上进行了探讨。特别是对晶体三极管放大状态下，集电结为什么会反向导电形成集电极电流做了重点讨论，同时，对三极管的电流放大倍数为什么是定值也做了深入分析。这种讲解方法的关键，在于强调二极管与三极管在原理上的联系。其实，从二极管PN的反向截止特性曲线上很容易看出，只要将这个特性曲线转过180度，如图F所示，它的情形与三极管的输出特性非常相似，三极管输出特性如图G所示。这说明了二极管与三极管在原理上存在着很必然的联系。所以，在讲解方法上选择这样的切入点，从PN结的偏状态入手讲三极管，就显得非常合适。而且，这样的讲解会使问题变得浅显易懂生动形象，前后内容之间自然和谐顺理成章。
这种讲法的不足点在于，从PN结的漏电流入手讲起，容易造成本征漏电流与放大电流在概念上的混肴。所以，在后面讲解晶体管输入输出特性曲线时，应该注意强调说明本征载流子与掺杂载流子的性质区别。本征载流子对电流放大没有贡献，本征载流子的电流对晶体管的特性影响往往是负面的，是需要克服的。晶体管电流放大作用主要靠掺杂载流子来实现。要注意在概念上进行区别。另外，还要注意说明，从本质上晶体内部有关载流子的问题其实并不简单，它涉及到晶体的能级分析能带结构，以及载流子移动的势垒分析等。所以，并不是随便找一种或两种具有载流子的导体或半导体就可以制成PN结，就可以制成晶体管，晶体管实际的制造工艺也并不是如此简单。这样的讲解方法主要是在不违反物理原则的前提下，试图把问题尽量地简化，尽量做到浅显易懂，以便于理解与接受。这才是这种讲解方法的主要意义所在。注1：见《电子技术基础》第33至35面，华中工学院出版，康华光主编，第三版，模拟部分。注2：光照增加的是本征载流子，而后面讲的电注入增加的是掺杂载流子，本征载流子是成对出现，是电子空穴对，正负对应。这与掺杂载流子是有区别的。注3：此处涉及到三极管的制造工艺，以及半导体材料有关载流子的能级问题。能级结构不同的晶体材料，相互之间载流子的注入及移动会很复杂，也不容易实现。所以，晶体管的整体一般都用相同的半电体物质构成。要么是硅管，要么是锗管，很少有一部分是硅而另一部分是锗的情况。
3.三极管做开关管：（来自网上）开关只有两种状态通和断，三极管和场效应管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。开关电路用于数字电路时，输出电位接近0V时表示0，输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。晶体管饱和的条件, V(工作电压) / Rc(负载电阻阻值) = Ic,
Ic / β & Ib .晶体管截止的条件, Ic≈ 0 Ib ≤ 0 (基极不能悬浮至少有电阻接地,必要时可用反偏置) N沟道场效应管NFET，DS间加正向电压，GS极间加电压Vgs，例如Vgs－Vdson＝5v，则NFET导通，等效于三极管的饱和导通状态。
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4.实例计算：（来自实践）R1=4.7K,R2=10K假设饱和状态，Uce=0；Ic=3.3V/10K=0.33mA;
Ib=12V/（47K+4.7K）- 0.7V/10K =0.162mA;
Ib*β = 0.162*30= 4.863mA;
Ic & Ib*β 为饱和状态
R1=4.7K,R2=10K假设饱和状态，Uce=0；Ic=12V/4.7K=2.553mA;
Ib=3.3V/（10K+4.7K）- 0.7V/10K =0.154mA;
Ib*β = 0.154*30= 4.635mA;
Ic & Ib*β 为饱和状态
若R518为1KR1=4.7K,R2=10K假设饱和状态，Uce=0；Ic=12V/1K=12mA;
Ib=3.3V/（10K+4.7K）- 0.7V/10K =0.154mA;
Ib*β = 0.154*30= 4.635mA;
Ic & Ib*β 为放大状态放大状态也是导通的只是消耗的电流大了，Uce压降变大
三极管的比喻很贴切哦，虽然模电学的很渣，但三极管那段比喻还是看的很明白
截止区那块是不是应该比喻成人打开小阀门的力度不够呢？
一直以来都不知道集电极的反向电流是怎麽形成的，现在晓得了，
很好的帖子
能有mos管的讲解就跟好了 三极管用了好些年都是稀里糊涂的
终于明白点了
现在刚刚接触三极管，有些理论挺模糊的，往楼上一看，有点开窍喽，多谢楼主分享
全现场面授,高级工程师手把手辅导;从51单片机到32位CORTEX-M4系列芯片,每个模块和设计思想都从实战中提炼.
楼主，我想问一下Vcc比喻成大坝的话，为什么电路图都没标出来？只标出信号源us呢？我们现在正在上放大器基础,希望帮忙解答一下，急。。。。。。。
楼主，这篇文档的图还可以找到吗？
不好意思，挖个坟，只是感觉这帖子写的真心不错，当时模电没学懂，现在做东西碰到要用三极管的都绕着走。。。
本人学电，大一大二不懂事，跑去学游戏开发，用的是unity,会c#，和一点java,大三由于课程需要学习了c++,和51单片机，感觉不错，然后玩了会单片机，能够做一些小制作？比如带闹钟的时钟，然后又做了用51的简易光电迅迹小车，能跑，于是乎去参加飞思卡尔，我主程序，组长选了x128芯片，说要自己写库，然后参照k60学习底层库，后来在参考资料上了解到了嵌入式，但不知道什么是嵌入式，请问我干的这些属于嵌入式么？
14年我大学刚毕业，本来对未来的发展很迷茫，现在干老本行又有些力不从心，今天看到这个帖子，让我的心暖暖，谢谢楼主，不知道现在顶这篇帖子是否来得及，嘿嘿。谢谢你的感受，让我受益匪浅
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为兴趣而生，贴吧更懂你。或要使三极管起放大作用，其发射结和集电结的偏置电压应如何连接?_百度知道关于三极管的开关作用我知道三极管截止相当于断开,饱和相当于导通,但如果三极管在放大状态呢?在设计三极管开关电路的时候,应该考虑些什么因素呢?
在回答问题之前,需要先说说三极管的结构,这样方便理解.以NPN管为例,它是由三层半导体材料构成的（N型半导体材料 + P型半导体材料 + N型半导体材料）.在中间的P型半导体材料与两端的N型半导体材料之间,都存在一个PN结（N - PN结 - P - PN结 - N).结合PN结的特性,我们就可以很容易的理解三极管的饱和、截止、放大三种状态了：饱和：只要给予一个足够突破PN结的正向电压和电流（不超过三极管的额定正向电压和电流）,三极管就会处于导通状态,当这个正向电压和电流产生变化时,三极管的导通状态维持不变,这个时候我们就说三极管饱和了.截止：当给予PN结一个反向电压和电流（不超过三极管的额定反向电压和电流）,三极管就会处于截止状态.放大：给予PN结一个合适的正向电压或电流,让三极管进入导通状态,而又不达到饱和的状态,此时,当这个正向电压或电流产生变化,则三极管的导通能力也会随之有一个相应的变化（类似于一个可调电阻）,这就是三极管的放大状态.需要解释一下的是：三极管并不是把一个电信号凭空变大了,而是在基极的偏置电压或电流产生微弱变化时,能相应的引起集电极产生一个相应的成倍数变化的电压或电流,所以,要用三极管做放大电路,必须匹配相应的偏置电路,否则放大无从谈起.所以,如果你要用三极管设计开关电路,那么你必须考虑以下两点：1、让三极管得到一个明确的饱和或是截止的状态.因此,你需要给三极管的基极一个偏置电路.例如：我们用NPN管做开关,我希望三极管平时是关断的,在我需要的时候才导通,那么我要把三极管的基极通过一个电阻接到电源地.PNP管反之.这是最常用也是最简单的办法.2、需要按电路的驱动能力和开关频率去选择三极管的型号.驱动能力是指电路控制三极管所能输出的电压和电流的强度.开关频率则是三极管在饱和状态和截止状态之间的切换时间（响应延时）.3、至于三极管的工作电压、电流、内阻、压降等等因素,需要结合电路的实际需求进行考虑.
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一些三极管放大作用并不是很明显，比如C9013，特别是贴片的。如果三极管做开关作用，需要满足的条件是VBC>0，VBE>0。这样就可以实现开关作用，一般其基极控制由单片机或者光耦什么的控制。这样就可以实现由截止状态直接变为饱和状态。这种情况就是三极管的开关作用。...
为使三极管工作在放大状态，在三极管电路中设定了偏置电阻和集电极电阻，通过两个电阻分压得到输出电压，这是固定偏置放大电路，还有一种分压偏置放大电路。我最近也在学习，只能解释这么点，后面的内容还很多。很复杂
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