什么杂质半导体易形成有效的复合中心

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P型杂质Ga在SiO-%2c2--Si内界面的分凝特性的研究与探讨.pdf59页
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山东师范大学
硕士学位论文
P型杂质Ga在SiO ,2 -Si内界面的分凝特性研究与探讨
姓名:张晓华
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:裴素华
今于受主杂质Ga3-1Si0,/Si系统进行开””杂的研究已“几十年的历史
研究的内容与追求的目标主要集中在如何获得高均匀性、重复性的扩散表面和
提高器件电学性能的硅体内杂质分布形式,而对Ga在Si0,-Si内界面上分凝
效应的各种表现,以及由此造成的近硅表面杂质浓度动态变化趋势尚未见报
导。为了全面认识Ga在SiO /Si系的扩散机理及分布行为,为P型杂质Ga在
新一代亚微米器件、功率器件、电力电子器件中的更广泛应用提供理论依据,
本文借助二次离子质谱分析等手段,对不同条件下Ga在Sio,-Si内界面的分
凝特性及浓度动态分布行为进行系统的阐述,并从中得出其分凝所遵循的新规
本文首先概括介绍了硅中Ga扩散的原理以及Si0-S:内界面的结构与特
性,简要叙述硅中G掺?杂的研究现状。伽过又寸G掺?杂微“电子学和电力电子
学领域中应用的分析,展望了硅中 Ga掺杂的广泛应用前景,尤其是 Si0./Si
系开管Ga扩散在功率器件和电力电子器件制造中有着不可比拟的优势。但是
开管Ga扩散理论还不够完善,对应用中出现的问题,如负阻效应,还未给出
系统全面的解释。少
第二章介绍进行开管Ga扩散所用的氧化和扩散系统、样品制备过程
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