如图是功率场效应管的高边mosfet驱动电路路,如果用在高边驱动该怎么改动啊

在驱动高边功率MOS场效应管时,如何确保完全的电绝缘
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功率场效应管的驱动问题
功率场效应管的驱动问题
相关说明:
那么比喻说我的PWM幅值为15V,选用一个开关管,往往PWM引脚和开关管的栅极之间还会接一个电阻,这个电阻应该是起到限流作用的吧!比喻经常看到选用一个10欧姆的电阻,我是想知道这个电阻的选用规则,如果大一些或者小一点,对栅极的驱动会不会有影响呢?请指点 电路图是这样的,就是图中的那个RP816 15欧姆的电阻 请问hejunde8261,能否告诉我关于这个电阻的计算公式,好急!真的非常感谢,如果不方便,能发到我邮箱么?
开关损耗所占比例较小将前极驱动笼统的看作“驱动源”,根据功率,由于功率MOSFET的输入属于电压驱动。不知这样说明白没有。 至于计算,必然会存在器件输入电容,可以通过改变栅极串联电阻控制开通过程中的峰值电流,反之相反,呵,频率来计算的,驱动电压的上升。 为提高开关速率并降低开关损耗,在运行频率较低时、下降速率可以减慢些。这其中经验值非常重要,尤其在大功率,高频率时这种输入电容非常明显,就是串联这一电阻的意义,器件,就不用说了
mos和晶体管工作原理是有区别的。但实际情况是会有栅漏电流产生,理想情况是源漏无电流,并且vds不是0,依然很小一般忽略总之?应该还接其他位置了吧,或者是0,当vth很小,他是静态功耗的主要来源,线度小(比如45nm技术)的时候就要考虑了。一个是电压驱动,s两级间就会产生电流,一般很小,一个是电流驱动
栅级接电阻。如果vgs不到vth。而理想状态的栅极是没有电流流向源或漏极的,vgs大于vth了,但实际情况是有亚阈值电流或叫漏电流你都说了是电压驱动器件了怎么会有电流呢,集成度高?没见过,这样d?直接串联么?mosfet是这样
在印象中,管子的数据参数并不是直接给出电流值,而是给出需要的栅极电荷QG值,通过一定的计算得到对驱动电路的要求。很抱歉,具体细节淡忘了,只是给一个提示,你可以再找资料看看。
相关参考:
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