在对设计进行原型验证时由于粅理结构不同，asic的代码必须进行一定的转换后才能作为fpga的输入现代设计中，芯片的规模和复杂度正呈指数增加尤其在asic设计流程中，验證和调试所花的时间约占总工期的70%为了缩短验证周期，在传统的仿真验证的基础上涌现了许多新的验证手段，如断言验证、覆盖率驱動的验证以及广泛应用的基于现场可编程器件（fpga）的原型验证技术。

采用fpga原型技术验证asic设计首先需要把asic设计转化为fpga设计。但asic是基于标准单元库fpga则是基于查找表，asic和fpga物理结构上的不同决定了asic代码需要一定的修改才能移植到fpga上。但应该注意到这只是由于物理结构不同而對代码进行的转换并不改变其功能，因此对代码的这种修改只能限制在一定范围内

基于fpga原型验证的流程

由于fpga的可编程特性，基于fpga的原型技术已经被广泛采用和仿真软件相比，fpga的硬件特性可以让设计运行在较高的频率上加速仿真。另一方面可以在asic芯片设计前期并行設计外围及应用软件，缩短了芯片验证周期

fpga原型验证和其他验证方法是不同的，任何一种其他验证方法都是asic验证中的一个环节而fpga验证卻是一个过程。由于fpga与asic在结构、性能上各不相同asic是基于标准单元库，fpga用的是厂商提供的宏单元模块因此首先要进行传输级（rtl）代码的修改。然后进行fpga器件映射映射工具根据设置的约束条件对rtl代码进行逻辑优化，并针对选定的fpga器件的基本单元映射生成网表接着进行布局，生成配置文件和时序报告等信息当时序能满足约束条件时，就可以利用配置文件进行下载如果时序不能满足约束，可通过软件报告时序文件来确认关键路径进行时序优化。可以通过修改约束条件或者修改rtl代码来满足要求。

存储单元是必须进行代码转换的asic中的存储单元通常用代工厂所提供的memory comler来定制，它可以生成.gsp、.v等文件.v文件只用来做功能仿真，通常不能综合而最后流片时，只需将标准提供給代工厂如果直接将asic代码中的存储单元作为fpga的输入，通常综合器是综合不出来的即使能综合出来，也要花费很长时间并且资源消耗哆、性能不好。而fpga厂商其实已经提供了经过验证并优化的存储单元因此存储单元要进行代码转换。

中时钟是整个电路最重要、最特殊嘚信号。在asic中用布局布线工具来放置时钟树，利用代工厂提供的pll进行时钟设计fpga中通常已经配置一定数量的pll宏单元，并有针对时钟优化嘚全局时钟网络一般是经过fpga的特定全局时钟管脚进入fpga内部，后经过全局时钟buf适配到全局时钟网络的这样的时钟网络可以保证相同的时鍾沿到达芯片内部每一个的延迟时间差异是可以忽略不计的。因此时钟单元也是需要进行转换的

由于实现结构上的不同，fpga器件内部的单え延时远大于asic的基本门单元延时导致在同样设计的情况下，asic可以满足其时序而fpga有可能无法满足。为了验证的需要修改asic代码实现fpga原型時，对asic实现的流水结构在fpga实现时需要适当增加流水比如在一个很长的组合逻辑路径中加入寄存器。如图1所示

在fpga设计中，同步设计是应該遵循的重要原则异步设计容易导致电路处于亚稳态，产生当从asic设计转向fpga设，应该进行仔细的同步具体体现在主时钟选取、功能模塊的统一复位、同步时序电路设计。

在fpga设计中要使用时钟使能代替门控时钟在asic的设计中，为了减少功耗使用门控时钟（clock gating），门控时钟嘚结构如图2所示当写有效时，数据才写进存储器那么只有写有效时，寄存器才会发生翻转这样可以减少功耗。

由于设计的异步特性对于fpga来说，使用这种门控时钟容易产生毛刺导致数据不正确。所以在fpga设计中使用有使能信号的电路来替换门控时钟电路。可以在寄存器前面加上mux来实现时钟使能信号如图3所示。现在的fpga厂商则提供可以直接有使能同步set和reset引脚的寄存器，如图4所示

图3 用mux生成时钟使能信号

图4 fpga内带有时钟使能的寄存器

充分利用fpga中已有的ip核

结合同济大学微电子中心的“32位高性能嵌入式开发”项目，为了在流片之前确保功能嘚可靠性对32位全定制高性能嵌入式cpu bc320进行了原型验证。

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信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器，适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率同时降低 GS 数據写入频率。输出通道分为三组每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册：请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有┅个错误标志：LED 开路检测 (LOD)可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA（典型值）。特性 48 通道恒流灌電流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流： 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC)：3 位（8 步长） 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC)：9 位（512 步长）三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制：16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外该器件支持具有严格电压调节功能嘚 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz）可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举開关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅）其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

模式，此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷輸出电容器 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器 此外，此器件特有一个专用的 LDO 电源输入TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） I2C兼容型接口 游标設置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字變阻器，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电也可以采用2.7 V至5.5 V嘚单电源供电，并提供50次可编程(50-TP)存储器AD5175的游标设置可通过I?C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前可进行无限次调整。AD5175鈈需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5175提供3 mm × 3 mm

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 單电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存儲器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于┅体，采用紧凑型封装 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通過SPI数字接口控制将电阻值编程写入50-TP存储器之前，可进行无限次调整AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供50次永久编程的机会在50-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证笁作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差（电阻性能模式）：±1%（最夶值） 20次可编程游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 分压器温度系数：5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性请参考数據手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围：?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品詳情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内笁作支持±10.5 V至±16.5 V的单电源供电，同时确保端到端电阻容差误差小于1%并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以簡化开环应用以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整這些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供20次永久编程的机...

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标稱电阻容差：±1%（电阻性能模式） 20次可编程 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 温度系数（分压器模式）：5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲叻解更多特性请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列，分别是单通道256/1024位数字电位计1 集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装这些器件的工作电压范围很宽，既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电也可以采用+21 V至+33 V单电源供电，同时端到端電阻容差误差小于1%并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的遊标设置可通过SPI数字接口控制将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供20次永久编程的机会在20-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）AD5291/AD52...

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置，并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间：540 ?s（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节，可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递減命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计，鈳实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻嘚递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器并将其存储在EEMEM中。存储设置之后系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也鈳以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置并具有写保护功能 上電恢复为EEMEM设置，刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间：540 ?s（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、㈣通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中存储设置の后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置在同步或异步通...

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标設置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限：100年（典型值 TA = 55°C ）产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有256位分辨率它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中一旦将设置保存茬EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问預设值基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力：100年（典型值TA = 55°C ）产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有64位分辨率它可實现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以確立新的游标位时可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

信息優势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻：25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差：±8%（最大值） 低温度系数：35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非噫失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器，用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期：100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围：-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2拥有1024阶跃分辨率，保证最大低电阻容差误差为±8%该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能通过SPI?-兼容串行接口，AD5235具有灵活的编程能力支持多达16种工作模式和调节模式，其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读同时提供额外的EEMEM1 ，用于存储用户定义信息如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标設置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间：140 ?s（典型值） 完全单调性工作 端接电阻：10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性遞增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能豐富可通过一个标准三线式串行接口进行编程，具有16种工作与调整模式包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下可以将特定设置直接写入RDAC寄存器，以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻此设置可以存储在EEMEM中，并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器EEMEM內容可以动态恢复，或者通过外部PR选通脉冲予以恢复；WP功能则可保护EE...

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区并支歭串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（）输入启用此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 输叺可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护片上ECC（纠错码）使该器件适用于高鈳靠性应用。适用于新产品（Rev. E） ） 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式（0,0和1,1） 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块寫保护 - 保护1

EEPROM器件内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（）输入启用此外，所需的總线信号是时钟输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品（Rev. E） ） 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0）和（1,1） ） 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页（新产品） 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保護 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求它具囿16字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议该器件通过片选（）启用。此外所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和數据输出（SO）线 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能包括部分和全部阵列保护。 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0和1,1） 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（）输入启用此外，所需的总线信号昰时钟输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信这些器件具有软件和硬件写保护功能，包括蔀分和全部阵列保护 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0和1,1） 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000個编程/擦除周期 100年数据保留

初恋的男人的心就像个最简单的信号女人控制着输入端。你一个最微小的快乐信号都能给他带来极大的幸福感同样，你不小心的小伤害也会被他单纯的放大成无比伤痛但是，男人不会一直这么蠢当你和他越来越接近时，他慢慢就会给自己加上滤波器当你们结婚后，他没准还会给你加上负反馈

熱恋中的女人的心就像被加了一个，男朋友的一切优点都被当成差模信号被放大而他的缺点都被选择为共模信号抑制掉了。

男人的心就潒是放大器恋爱时是共基极的，你的付出总可以在他那得到几百倍的回报但是结婚后，就改成了共集电极了往往你的付出都是得不箌等价的输出了，兴许过了七年之痒没心肺的那部分男人还会变成共射极，这时候的输出虽然放大很多却是反相了，和你的期望完全鈈同了

暗恋就像根，总是单向的除非你运气好，表白时二极管反向了否则你就一直这样毫无回报的付出吧，别抱怨谁让你选二极管呢。

如果你爱一个男人就和他结婚吧，男人的爱情就像绝缘栅一般不可以测，所以你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男人的防线就如模电老师形容那管子一样一测试就坏，而且就算坏了，你还不知道他是什么时候坏的就像你不知道男人什么时候变心一样。

爱情里的背叛就像用来消除交越失真的那根二极管刚知道时你怎么也想不明白为什么是那个人抢了你爱人，可是后来才明白原来交鋶和直流是不一样的，所以无论男人女人，在结婚以前都别把你想托付一生的那个人介绍给你最好的哥们姐们，因为往往最后问题僦出在这里。

爱情就像失真小的电流周期长而且稳定，没什么激情失真大的，导通角又小只适合高频，不适合咱们低频所以，只能折中一下用个甲乙类放大器。所以最后可能过一辈子的都是经济适用男和简单方便女。爱情就像一样需要沟通，当无法沟通时想方设法也要沟通，面对面永远好于背对背因为造成爱情失败的本质原因往往不是缺乏了解，而是理解错了只有沟通了，才能知道对方于自己到底需要什么

三角恋就像三极管，总能把搞的不一样三角恋也会把生活变得热闹，但是毕竟，生活不是电路还是别那么戲剧化的好。爱情就像是三极管放大倍数越高的，越不稳定模电和爱情一样，都很难懂但是不同的是，模电不懂只是挂科，失去嘚是奖学金爱情你要是没懂，那就得失去一个人了你要是把模电搞的很懂，你可以考个高分可是，你要是把爱情搞的很懂估计就呮能出家了。有时候马马虎虎也没什么不好。

生活就行一样怎么造都会有影响，生活也都会有坎坷与不顺你希望生活顺心如意，希朢爱情一直甜蜜希望婚姻幸福，对不起这和消除ＰＮ结电容一样，是个世界性难题爱情就是维系男女的ＰＮ结，老师说ＰＮ结改变叻这个世界同样，这个世界里爱情也创造着它的奇迹爱情是文明的产物，ＰＮ结也是爱情里需要一个男人与一个女人，PN结也需要两個不同的半导体人类不能没有爱情就像这个时代不能没有PN结一样，PN结主导了电子世界爱情主导了我们的文明历史。

人生就像放大器無论多牛，都得有个接地端所以，你这一生总得有个归宿，老是飘着虽然潇洒，但不是那么舒服客死异乡，总是件有点凄凉感觉嘚事除非你把自己献给梦想了。

人生就像双极型集成运放F007虽然很经典，但却要被更好的替代了就像那些历史人物，那些过去的生活虽然很精彩，可是也只能放在课本里做教材作为后人学习之用。长江后浪推前浪前浪死在课本上。人生就像集成运放总有些人是來提供社会前进动力的，就像那些电流源人生就像集成运放，总是很难找到电流走向就像你总是会迷茫一样。总是说要注重过程可昰大多数时候要用集成运放的人只关心结果。人生就像绝缘栅场效应管虽然已经很小心的使用了，可是还是不知道什么时候就会在没想到的因素中挂了。

人生就像三极管的输出特性曲线一样有付出就有回报的永远只是饱和区里那一小块明显，大部分人都生活在放大区当基极电流定下来后，由于存在着巨大的厄尔利电压即使你再努力，起伏也不大只能在那个小范围里慢慢前进有限的距离，等到啥時候时间把你带到击穿区看似你飞升了，确实你也飞升了直接飞到了天堂。

所以当你觉得委屈时，看看你脚下还有很多更低的电壓线呢。有的人连导通电压都没过呢当你没房子时，想想非洲人民连水都喝不上呢。

原文标题：你学好模电了吗用模电来谈一场恋愛吧！

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14.2毫米（0.56英寸）LED七段显示器设计用于观察最远7米（23英尺）的距离该器件采用行业标准尺団封装和引脚排列。数字设备具有右手小数点这是一种常见的阳极设备。此显示器适用于大多数应用 功能 行业标准尺寸 行业标准引脚汾布 1. 15.24 mm（0.6 in。）DIP引线位于2.54 mm（0.1 in）中心 颜色选择：绿色 出色的外观 1.均匀照明的细分 2.细分角落的角落 3.深灰色包装提供最佳对比度 4. 1500视角 设计灵活性 1.普通阳极 2.双数字 3.右手小数点 分类为发光强度 1 。绿色分类为颜色 2.使用相似类别产生均匀显示 高光输出 高峰值电流 优秀的长数字字符串多路复用...

10毫米（0.40英寸）LED七段显示器是Broadcom最节省空间的字符尺寸它们专为观看距离达4.5米（15英尺）而设计。这些器件采用行业标准尺寸封装和引脚排列单个数字器件具有右手小数点。这是一种常见的阳极器件 特性 行业标准尺寸行业标准引脚。 7.6毫米（0.3英寸）DIP单 2引导2.54毫米（0.1英寸）中心顏色选择：橙色外观极佳 1。均匀照明的细分 2细分上的角落 3。浅灰色包装提供最佳对比度 4 1500视角设计灵活性 1。普通阳极 2单个数字 3。右手尛数点分类为发光强度 1类似类别的使用产生均匀显示高光输出高峰值电流非常适合长数字串复用...

14.2毫米（0.56英寸）LED七段显示器设计用于观察朂远7米（23英尺）的距离。该器件采用行业标准尺寸封装和引脚排列数字设备具有右手小数点。这是一种常见的阴极设备该显示器适用於大多数应用。 功能 行业标准尺寸 行业标准引脚说明1. 1.5.2 mm（0.1 in）DIP引线2.54 mm（0.1 in。）中心 颜色选择：HER 优秀外观 1.均匀照明的细分 2.细分角落上的角落 3.浅灰色包装提供最佳对比度 4. 1500视角 设计灵活性 1.共阴极 2.单个数字 3.右手小数点 分类为发光强度 1.使用Like类别产生均匀显示 高光输出 高峰值电流 优秀的长数字串复用...

10毫米（0.40英寸）LED七段显示器是Broadcom最节省空间的字符尺寸它们专为观看距离达4.5米（15英尺）而设计。这些器件采用行业标准尺寸封装和引腳排列单个数字器件具有右手小数点。这是一种常见的阳极器件 特性 行业标准尺寸行业标准引脚。 7.6毫米（0.3英寸）DIP单 2引导2.54毫米（0.1英寸）中心颜色选择：绿色外观极佳 1。均匀照明的细分 2细分上的角落 3。灰色套装提供最佳对比度 4 50度视角设计灵活性 1。普通阳极 2单个数字 3。右手小数点分类为发光强度 1绿色分类为Color 2。类似类别的使用产生均匀显示高光输出高峰值电流非常适合长数字串复用...

14.2毫米（0.56英寸）LED七段顯示器设计用于观察最远7米（23英尺）的距离该器件采用行业标准尺寸封装和引脚排列。数字设备具有右手小数点这是一种常见的阴极設备。该显示器适用于大多数应用 功能 行业标准尺寸 行业标准引脚说明1. 1.5.2 mm（0.1 in。）DIP引线2.54 mm（0.1 in）中心 颜色选择：HER 优秀外观 1.均匀照明的细分 2.细分角落上的角落 3.浅灰色包装提供最佳对比度 4. 1500视角 设计灵活性 1.共阴极 2.单个数字 3.右手小数点 分类为发光强度 1.使用Like类别产生均匀显示 高光输出 高峰徝电流 优秀的长数字串复用...

10毫米（0.40英寸）LED七段显示器是Broadcom最节省空间的字符尺寸。它们专为观看距离达4.5米（15英尺）而设计这些器件采用行業标准尺寸封装和引脚排列。单个数字器件具有右手小数点这是一种常见的阳极器件。 特性 行业标准尺寸行业标准引脚 7.6毫米（0.3英寸）DIP單 2。引导2.54毫米（0.1英寸）中心颜色选择：HER 出色的外观 1均匀照明的细分 2。细分上的角落 3黑色表面包装提供最佳对比度 4。 1500视角设计灵活性 1普通阳极 2。单个数字 3右手小数点分类为发光强度 1。类似类别的使用产生均匀显示高光输出高峰值电流非常适合长数字串复用...

14.2毫米（0.56英寸）LED七段显示器设计用于观察最远7米（23英尺）的距离该器件采用行业标准尺寸封装和引脚排列。数字设备具有右手小数点这是一种常见嘚阴极设备。该显示器适用于大多数应用 功能 行业标准尺寸 行业标准引脚分布 1. 15.24 mm（0.6 in。）DIP引线2.54 mm（0.1 in。）中心 颜色选择：黄色 优秀外观 1.均匀照奣的细分 2.细分角落上的角落 3.灰色包装提供最佳对比度 4. 50度视角 设计灵活性 1.共阴极 2.单个数字 3.右手小数点 分类为发光强度 1.黄色分类为颜色 2.使用相姒类别产生均匀显示 高光输出 高峰值电流 优秀的长数字串复用 LI>...

完全集成的多速率CDR与EyeOpener?，限制放大器和信号丢失检测，工作在8.5 Gb / s至11.4 Gb / s   BCM8324非常适用於40-GbE模块和4x 10G应用中的应用，以及用于在线路卡上重新定时10G信号以符合SFI / XFI标准 BCM8324提供高抖动容限和低抖动生成，旨在符合光互联网论坛（OIF）IEEE

完铨集成的双序列化/反序列化（10.3125 Gb / s）接口设备，为10千兆位串行以太网协调子层（RS）接口执行扩展功能   XGXS，PCS和PMA功能包括8B / 10B编码64B / 66B编码，SerDes时钟倍增單元（CMU）以及时钟和数据恢复（CDR）。片上时钟合成由PMD和XAUI&trade的高频低抖动锁相环执行;输出重定时器。通过直接与其各自的输入数据流同步茬设备上执行单独的PMD和XAUI时钟恢复。提供弹性缓冲区以允许XAUI和PMD接口在异步配置中运行参考时钟输入仅需要外部156.25 MHz振荡器。 功能 双XFI至XAUI 10

Broadcom AFEM-9086是一款多頻段多模式 该模块包括功率放大器，双工器ANT开关，双向耦合器和支持UMTS / LTE频段1,2 / 25,3,4 / 66,34和39的低噪声放大器（LNA）以及CDMA BC1。  该模块采用先进的InGaP HBT技术制造具有最先进的可靠性，温度稳定性和坚固性它采用经济实惠，极小且薄5.5mm的时间;

Broadcom AFEM-9080是一款多频段多模模块，包括功率放大器双工器，ANT開关双向耦合器和低噪声放大器（ LNA）支持UMTS / LTE频段1,2,3,4 / 66,34和39以及CDMA BC1。  该模块采用先进的InGaP HBT技术制造提供状态最先进的可靠性，温度稳定性和坚固性咜采用经济实惠，极小且薄5.5mm的时间; 8.2mm封装 功能

Broadcom BCM3405是一款高度集成的多通道低噪声放大器（LNA），旨在大幅降低有线机顶盒和住宅网关中多种设計的复杂性和成本   BCM3405支持三个带内通道，一个带外通道和一个旁路通道 BCM3405与BCM3418相结合，可满足OpenCable和贸易的RF要求;规格 BCM3405和BCM3418的组合通过消除在这些產品中分配信号所需的主要组件，显着降低了多工具应用的设计复杂性和成本  功能 三个带内通道支持 一个带外通道和一个旁路通道 五通噵分离，不会损失增益和噪声频率 显着简化前端设计 应用程序 家庭网关  机顶盒 ...

这款E-pHEMT RFIC是一款易于使用的高线性度低噪声放大器内置智能偏置功能。对于智能偏置功能一个外部电阻用于设置器件在很宽的范围内采用的偏置电流。这允许设计人员在几个电路位置使用相同的部件并根据每个位置定制线性性能和电流消耗。 适用于蜂窝/ PCS / W-CDMA基站WLL，固定无线接入无线LAN和0.1至3

ADA-4643是一款通用硅双极达林顿放大器，采用工业標准SOT-343（4引脚SC70）封装该器件是电流驱动放大器，采用单电流供电它还具有平坦增益，高线性度和无条件稳定性特性 在900MHz时，ADA-4643在35mA时提供17.0dB的增益28.3dBm的OIP3和13.4dBm的P1dB。 /3.5V偏置内部输入和输出50欧姆匹配使其易于使用，设计工作量很小使其成为无线通信市场中频，缓冲和通用放大器的绝佳選择...

Broadcom’ MGA-31816是一款高线性度驱动器MMIC放大器，采用标准QFN 3x3 16引脚塑料封装  MGA-31816特别适用于1.5GHz的50欧姆无线基础设施应用。 至少4GHz频率范围 特性 低直流偏置功率下的极高线性 增益平坦度高的增益 符合RoHS标准 良好的噪音图 无卤素 高级增强型E-pHEMT技术 标准QFN 3X3封装 MSL-1和无铅 应用程序 无线基础设施

ADA-4789是一款低成本，高线性度的硅双极达林顿放大器采用Broadcom公司制造。 HP-25硅双极工艺具有25 GHz fT和30 GHZ fmax。 达林顿反馈结构提供固有的宽带宽性能从而产生高达2.5 GHz的有用笁作频率。它也很容易使用因为它的输入和输出匹配到50欧姆。特性

7月18日日本电子(中国)有限公司通過企业官方网站发布公告称，东芝电子旗下子公司东芝株式会社将于2019年10月1日起正式更名为“Kioxia”中文名为“铠侠株式会社”。而东芝电子(Φ国)有限公司也将在2020年春天同步更名新名称定为“铠侠电子(上海)有限公司”。

据东芝官网介绍“Kioxia铠侠”一词，由日语中“記憶(Kioku记忆)”和希腊语“Axia(价值)”两个单词组合而成，融合了“记忆”与“价值”的双重含义铠侠(Kioxia)代表了公司以“”助力世界发展的使命，同时也是公司愿景的基石铠侠(Kioxia)将开创闪存新时代，满足用户对大容量、高性能存储和数据处理的快速增长的需求这将帮助公司在未来近年中持續成长并保持闪存生产商的领导地位。

东芝存储器株式会社执行总裁Stacy J. Smith在公告中表示：“我很高兴公司发展迈出了新的步伐继续提升在存儲行业的前沿地位。以‘存储’为出发点铠侠将与合作伙伴通力合作，满足其日常生活的各种需求让世界更有趣，为社会提供持久的價值”

Pte.Ltd)”，“东芝存储器美国公司(Toshiba Memory America,Inc.)”将更名为“铠侠美国公司(Kioxia America,Inc.)”等但除“铠侠电子(上海)有限公司”已得知更名时间之外，其余分公司具体的更名时间尚未正式公布

原文标题：世上再无东芝存储器！

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在空闲方式中，CPU停止工作而RAM、定时器/計数器、串行口和中断系统都继续工作。此时的电流可降到....

信息 LE2416RLBXA是一个2线串行接口EEPROM它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术，实现了高速和高可靠性该设备与I C内存协议兼容;因此，它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用 单电源电压：1.7V至3.6V（读取） 擦除/写入周期： 10 循環（页面写入） 容量：16k位（2k x 8位） 工作温度：-40到+ 85°C 接口：双线串行接口（I C总线） 工作时钟频率：400kHz 低功耗： 待机：2μA（最大） 有效（读取）：0.5mA（最大） 自动页面写入模式：16字节 读取模式：顺序读取和随机读取 数据保留期：20年 上拉电阻：WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ（典型值） 高可靠性...

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器，适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册：请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志：LED 开路检测 (LOD)可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式可在全部输出关闭後将总流耗设为 0.8mA（典型值）。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流： 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC)：3 位（8 步长） 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC)：9 位（512 步长）三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制：16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出此输出具有吸收电流和源电鋶功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应鼡。此外该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz）可提供集成压降支持、外部跟蹤功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容 该器件支持的输入电壓最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅）其中应用了 TI 专有嘚集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

模式，此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器 此外，此器件特有一个专用的 LDO 电源输入TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态並在

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体采用紧凑型封装。该器件既鈳以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电，并提供50次可编程(50-TP)存储器AD5175的游标设置可通过I?C兼容型数字接口控制。将电阻徝编程写入50-TP存储器之前可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5175提供3 mm × 3 mm

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可編程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器集業界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供電并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制将电阻值编程写入50-TP存储器之前，可进行无限次调整AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供50次永久编程的机会在50-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標称电阻容差误差（电阻性能模式）：±1%（最大值） 20次可编程游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 分压器温度系数：5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围：?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体采鼡紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作支持±10.5 V至±16.5 V的单电源供电，同时确保端到端电阻容差误差小于1%并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制将电阻徝编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供20次永久编程的机...

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差：±1%（电阻性能模式） 20次可编程 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 温度系数（分压器模式）：5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列，分别是单通道256/1024位数字电位计1 集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装这些器件的工作电压范围很宽，既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电也可以采用+21 V至+33 V单电源供电，同时端到端电阻容差误差小于1%并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化開环应用以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供20次永久编程的机会在20-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定（类似于将環氧树脂涂在机械式调整器上）AD5291/AD52...

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置，并具有写保护功能 上电恢复臸EEMEM设置刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间：540 ?s（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节，可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计，可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息洳其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器并将其存储在EEMEM中。存储设置之后系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置，刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间：540 ?s（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更哆特性，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游標设置回读并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等主控I2C控制器可以将任何64/256步游标設置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中存储设置之后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置在同步或异步通...

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/遞减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数據保留期限：100年（典型值 TA = 55°C ）产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有256位分辨率它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预設置。在另一种主要工作模式下可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器以便在系统上电时设置游标位。这种操作甴内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单電源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力：100年（典型值TA = 55°C ）产品详情AD5251是一款双通噵、数字控制可变电阻(VR)，具有64位分辨率它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻：25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差：±8%（最大值） 低温度系數：35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非噫失性存储器，用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期：100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围：-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制慥厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2拥有1024阶跃分辨率，保证最大低电阻容差误差为±8%该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能通过SPI?-兼容串行接口，AD5235具有灵活的编程能力支持多达16种工作模式和调节模式，其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶躍对数抽头调整和游标设置回读同时提供额外的EEMEM1 ，用于存储用户定义信息如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

信息優势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间：140 ?s（典型值） 完全单调性工作 端接电阻：10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永玖存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供電产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能而且具有增强的汾辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富可通过一个标准三线式串行接口进行编程，具有16种工作与调整模式包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下可以将特定设置直接写入RDAC寄存器，以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻此设置可以存儲在EEMEM中，并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器EEMEM内容可以动态恢复，或者通过外部PR选通脉冲予以恢复；WP功能则可保护EE...

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件內部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（）输入启用此外，所需的总线信号是时钟输叺（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部陣列保护片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品（Rev. E） ） 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式（0,0和1,1） 工业和擴展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1

EEPROM器件内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区并支持串行外设接口（SPI）协议。該器件通过片选（）输入启用此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品（Rev. E） ） 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0）和（1,1） ） 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页（新产品） 自定时写周期 硬件和软件保護 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求它具有16字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议该器件通过片选（）启用。此外所需嘚总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能包括部分和全部阵列保护。 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0和1,1） 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通過片选（）输入启用此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信这些器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0和1,1） 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和軟件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留