请问一下，为什么说三极管的损耗大于mos管损耗计算呢?是指在哪方面的损耗呢?

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-05-01 19:26 标签： mos管开关损耗计算
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变压器损耗公式计算与选择条件
变压器损耗公式计算与选择条件
了解变压器的损耗计算可以匡助我们更加清晰一款变压器的在实际出产过程中的实用性，特别是与节能题目挂钩的时候。而当今的社会，节能已经成为不可忽略的题目之一。下面先容变压器损耗的一些计算公式，但愿可以对大家在实际出产中有所作用。　　负载曲线的均匀负载系数越高，为达到损耗电能越小，要选用损耗比越小的变压器;负载曲线的均匀负载系数越低，为达到损耗电能越小，要选用损耗比越大的变压器。 将负载曲线的均匀负载系数乘以一个大于1的倍数，通常可取1-1.3，作为获得最佳效率的负载系数，然后按βb=(1/R)1/2计算变压器应具备的损耗比。 　　1、变压器损耗计算公式 　　(1)有功损耗：ΔP=P0+KTβ2PK -------(1)
　　(2)无功损耗：ΔQ=Q0+KTβ2QK -------(2)
　　(3)综合功率损耗：ΔPZ=ΔP+KQΔQ ----(3)
　　Q0≈I0%SN，QK≈UK%SN
　　式中：Q0????空载无功损耗(kvar)
　　P0????空载损耗(kW) 　　PK????额定负载损耗(kW)
　　SN????变压器额定容量(kVA) 　　I0%????变压器空载电流百分比。 UK%????短路电压百分比 　　β ????均匀负载系数 　　KT????负载波动损耗系数 　　QK????额定负载漏磁功率(kvar) 　　KQ????无功经济当量(kW/kvar)
　　2.上式计算时各参数的选择前提： 　　(1)取KT=1.05;
　　(2)对城市电网和产业企业电网的6kV～10kV降压变压器取系统最小负荷时，其无功当量KQ=0.1kW/
　　(3)变压器均匀负载系数，对于农用变压器可取β=20%;对于产业企业，实行三班制，可取β=75%; 　　(4)变压器运行小时数T=8760h，最大负载损耗小时数：t=5500h; 　　(5)变压器空载损耗P0、额定负载损耗PK、I0%、UK%，见产品资料所示。
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&#165&19.9元MOS管和三极管有什么区别？_百度知道浅谈三极管和MOS管作开关用时的区别
核心提示：管作开关用时的区别我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别。工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。3、功...浅谈三极管和MOS管作开关用时的区别
我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别。　　工作性质：
　　1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。
　　2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
　　3、功耗问题：三极管损耗大。
　　4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
　　实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
　　MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
　　一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管
　　实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以 npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射 区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从 基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正 电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复 合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源 回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截 至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。
　　（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
　　（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
　　（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
　　（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
　　（5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
　　（6）场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
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