徕卡镜头 没有保卡有apd和没有apd差多少

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-08-29 06:15 标签： apd镜头
柔焦散景的魅力 富士XF 56mm F1.2 APD试片
编者按：近日台湾DCview刊登了一篇XF 56mm F1.2 APD测试文章，文章通过大量样片向用户反应了这款APS-C画幅大光圈在柔焦散景下的魅力。接下来就请跟随笔者一起来看一下这款人像镜头的测试报告吧。这几年来富士在镜头市场的耕耘有目共睹，镜头焦段之齐全恐怕难有品牌可以企及，当然，推出的诸多XF系统镜头也确实深受用户好评，尤其是去年的那款Fujinon XF 56mm F1.2镜头，这是第一款APS-C画幅下的F1.2光圈人像镜头。可以说是颇具里程碑意义的产品。而现在，富士在不到一年的时间里又迅速推出了同一焦段的镜头就是我们镜头所介绍的—— Fujinon XF 56mm F1.2 APD。Fujinon XF 56mm F1.2 APD做为Fujinon XF 56mm F1.2的孪生镜头，在镜头结构、镀膜、AF机构都是相同的，仅仅是在镜群内多出了一片APD（Apodization Filter），在镜头的大小也相同，仅仅在于外观上的型多出了以红色标住的APD字样。镜头的维持富士系统的一贯操作，光圈的调整以镜头上的实体环进行调整，白色的字样是一般的光圈标示，而红色部分则是是额外多出一组，代表实际进光量的T光 圈值。这是由于镜头内多了一片APD滤镜，进光量比起一般的镜头略少，才需要额外标示出实际的进光量。由于APD镜头的散景柔美，许多使用者因而会有较为大量使用大光圈的情况，这回Fujinon XF 56mm F1.2 APD也在包装内附上一片原厂的ND8减光镜，即使用户外光线充足下使用大光圈也不至于超过最快的快门速度。Fujinon XF 56mm F1.2 APD与原本的Fujinon XF 56mm F1.2最大的差异就是多了一组代表实际进光量的T光圈标示（红色部分）Fujinon XF 56mm F1.2 APD除了增加APD滤镜外，外观上与原先的版本相同&在外型的搭配上，Fujinon XF 56mm F1.2 APD搭配X-T1是相当合宜的体积组合，这个重量也不至于造成拍照与携带时的负担关于APD滤镜：Apodization Filter镜头内加入APD滤镜（Apodization Filter）并非是富士第一个尝试，早年间Minolta（美能达）就曾经使用过APD滤镜在135mm F2.8 [T4.5] STF这颗镜头上，在当时甚至采用了双光圈来辅助APD滤镜让散景更加柔顺。但Fujinon XF 56mm F1.2 APD的优势在于采用了APD滤镜后，仍能使用自动对焦，这也让它在使用上更佳方便，可利用快速的自动对焦增进拍摄效率。APD滤镜的特性是这片滤镜是圆形的渐变灰，让光线均匀的从中间减弱到边缘，这样设计的目的正是为了让散景的边缘过渡更加柔和。以Fujinon XF 56mm F1.2 APD来说，APD作用的光圈范围在F1.2～F5.6，缩到F5.6后便没有APD的效果。我们可藉由下面的实际拍摄比较图来看看Fujinon XF 56mm F1.2 APD的实际表现以下三张都是由Fujinon XF 56mm F1.2 APD以全开光圈F1.2拍摄的，我们也可以从中得到三个状况的散景表现。我们可以从上图了解到，APD滤镜在让画面中光点周边的犀利程度变得柔和，散景的过渡上也变的比较理想而单一主体的拍摄环境下，散景表现相当柔和，着实有种奶油融化的柔顺散景感觉在复杂背景的展现来说，Fujinon XF 56mm F1.2 APD的成果几乎没有任何二线性，而且也保有原本Fujinon XF 56mm F1.2非APD版本的锐利度与描写力，镜头表现可说是在更上一层楼
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APD的性能指标
　　APD的用途取决于许多性能指标。主要的几个性能指标为量子效率（表示APD吸收入射光子并产生原始载流子的效率）和总漏电流（为暗电流、光电流与噪声之和）。暗电噪声包括串联和并联噪声，其中串联噪声为霰弹噪声，它大致正比于APD的电容，而并联噪声则与APD的体暗电流和表面暗电流的波动有关。此外，还存在用噪声系数F表示的超额噪声，它是随机的APD倍增过程中所固有的统计噪声。
　　理论上，在倍增区中可采用任何半导体材料：
　　硅材料适用于对可见光和近红外线的检测，且具有较低的倍增噪声（超额噪声）。
　　锗(Ge)材料可检测波长不超过1.7?m的红外线，但倍增噪声较大。
　　InGaAs材料可检测波长超过1.6?m的红外线，且倍增噪声低于锗材料。它一般用作异构(heterostructure)二极管的倍增区。该材料适用于高速光纤通信，商用产品的速度已达到10Gbit/s或更高。
　　氮化镓二极管可用于紫外线的检测。
　　HgCdTe二极管可检测红外线，波长最高可达14?m，但需要冷却以降低暗电流。使用该二极管可获得非常低的超额噪声。
APD的工作原理
　　当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时，二极管进入雪崩击穿状态；在此以前，只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离，则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。
　　碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示
　　M＝1/[1-(V/VB)n]
　　式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制，因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时，才能获得高的有用的平均光电流增益。因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。
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