u盘擦除是一种电可擦除可重写的什么性的存储器

10余辆被火烧毁的单车,只剩下变形的钢丝。
“他的妈妈已经受伤了,小孩子千万不能再出事了。”
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  日本大阪--(美国商业资讯)--松下电器半导体有限公司(“PSCS”,总部:日本京都府长冈京市;总裁: Kazuhiro Koyama)已与联华电子公司(“UMC”,总部:台湾新竹市;首席执行官:颜博文)达成一项协议,双方将合作开发新一代40nm 可变电阻式存储器(ReRAM)[1]的批量生产工艺。
  ReRAM与目前广泛应用的闪存[2]十分相似,是一种非易失性存储器[3]。该器件结构简单,具有高速处理和低功耗的特点。2013年,PSCS启动了ReRAM的批量生产,当时采用的是180nm工艺,目前公司面向便携式医疗设备等低功耗应用提供8位单片机MN101LR系列。之前,PSCS是首家利用40nm工艺测试和验证存储器阵列的高可靠性的公司。
  双方商定的合作项目将实现PSCS 40nm ReRAM工艺技术与UMC高可靠性CMOS工艺技术的整合。随着嵌入式存储器逐渐替代闪存,该合作项目将铸就一个适用于各种系统器件的ReRAM工艺平台,例如,广泛应用于IC卡、可穿戴式终端和物联网设备的系统器件。
  PSCS将于2018年交付采用新的40nm工艺的样品,届时,其将成为业界首家启动批量生产的公司。PSCS和UMC将为世界各地的其他半导体制造商和供应商提供双方联合开发的ReRAM工艺平台。
  谈到这一合作项目时,PSCS总裁Kazuhiro Koyama表示:“PSCS已在业界率先启动ReRAM的批量生产,而扩展的工艺平台的开发将加速ReRAM的市场占有率,从而有效地帮助公司提供广泛的最佳产品来满足客户需求。”
  UMC高级副总裁S.C. Chien说:“我们非常高兴与松下达成这一代工协议。我们40nm工艺业已证实的可靠性、快速周转时间以及高产量将为松下的ReRAM带来新的竞争力。随着该产品获得广泛的市场接受度,该工艺将使双方实现共赢。我们期待与松下合作,帮助他们实现40nm ReRAM的批量生产。”
  关于松下
  松下公司是一家致力于为消费电子产品、住宅、汽车、企业解决方案及器件行业的客户开发各种电子技术和解决方案的全球领军企业。自1918年成立以来,松下已将业务扩张至全球,目前在全世界范围内共经营474家附属公司和94家联营公司。截至日,其合并净销售额达7.553万亿日元。松下致力于通过各部门的创新来追求新的价值,并努力运用公司的技术为客户创造更美好的生活和世界。垂询松下详情,请访问公司网站:/global。
  关于联华电子公司(UMC)
  UMC是半导体晶圆制造业的全球领导者,为电子行业主要部门的各类应用提供先进的IC制造服务。UMC的10家晶圆厂在亚洲地区具有十分优越的区位优势,每月晶片产量可达50万片。公司在全球拥有逾17,000名员工,在台湾、中国大陆、欧洲、日本、韩国、新加坡和美国均设有办事处。
  可变电阻式存储器(ReRAM)
  非易失性存储器,通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压产生大的电阻差值,来存储“0”和“1”。其结构非常简单,两侧电极将金属氧化物包夹于中间,可简化制造工艺,具备低功耗和高速重写等卓越性能。
  电可擦除、可重写的非易失性存储器。
  非易失性存储器
  半导体存储器,在无电力供应的情况下可保留数据。
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第7章 存储系统
1. 某处理器设计只支持7KB主存,则内存地址需(
)位就足够了。
2. 需要定时刷新的存储器是(
3. 下列只读存储器中,可紫外线擦除数据的是(
C.Flash Memory
4. 可编程ROM可简记为(
5. 优盘是一种电可擦除.可重写的
的存储器。
A.非易失性
D.磁介质性
6. 存储器芯片位数不足时,需用(
C.字位扩展
D.以上均可
7. 64K*1位的DRAM芯片通常有(
) 地址线引脚
8. 某微机系统的存储器容量为256K字节,若采用单片容量为16K*8位的SRAM芯片,则组成该
存储系统共需(
)个该类芯片
9. 64K*1位的EPROM芯片通常有(
) 地址线引脚
10. 某微机系统的存储器容量为256K字节,若采用单片容量为16K*1位的SRAM芯片,则
存储系统共需(
)个该类芯片
11. 8086CPU有20条地址线,可寻址空间为(
12. 80286有24条地址线,可寻址空间为(
13. PC系列微机可寻址的I/O空间是(
14. 一般PC系列微机I/O寻址只用10根地址线,可寻址(
15. 下列只读存储器中,仅能一次写入数据的是(
C.Flash Memory
1. 存储系统的高速缓存需要操作系统的配合才能提高主存访问速度。
2. 存储器芯片的集成度高表示单位芯片面积制作的存储单元数多。
3. 微机大容量主存一般采用DRAM芯片组成。
4. 部分译码可以简化译码电路,不会减少可用的存储空间。
5. 存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址,被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
6. 存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。
7. ROM芯片的烧写或擦写就是指对ROM芯片的编程。
8. 存储器译码时采用全地址译码会浪费地址空间。
9. 存储器的主要性能指标是存储容量和存储空间。
10. 存储访问的局部特性保证了层次化存储系统具有优秀的性能。
11. 存储访问的局部性原理只是指空间局部。
12. PC机主要采用光盘作为辅助存储器。
13. 按制造工艺,半导体存储器可分为“双极型”器件和“MOS型”器件。
14. 芯片的存储容量有存数单元数和每个存储单元的数据位数决定。
15. 高性能处理器必须配合快速主存储器才能真正发挥作用。
1. 计算机存储容量的基本单位:1 B(Byte)=__________b(bits),1TB=__________GB
2. 在半导体存储器中,RAM指的是__________,可读可写,但断电后信息一般会__________ 。
3. 在半导体存储器中ROM指的是__________,正常工作时只能从中__________信息。
4. 存储结构为8K×8位的EPROM芯片2764,共有__________个地址引脚,用其组成64KB的ROM
存储区共需__________片芯片。
5. 对一个存储器芯片进行片选译码时,有一个高位系统地址信号没有参加译码,则该芯片 的每个存储单元占有__________个存储器地址。假设地址总线A19~A15输出01011时译码电路
产生一个有效的片选信号,这个片选信号共有__________容量。
6. 半导体_________芯片顶部开有一个圆形石英窗口。 通常U盘、MP3播放器、数码相机、 多媒体手机等设备采用半导体__________芯片构成存储器。
7. SIMM是一种________内存条,而 DIMM是一种________内存条。
8. 每个存储单元被赋予一个唯一的编号,称为________,一个存储单元可以存储________ 位二进制信息。
9. 存储器扩展有两种方法,分别是_______扩展和________扩展。
10. 用2k×8位的存储芯片,组成16k×8位的存储器,需用 __________片,组成24k×1位的
存储器,需用 _________片。
11. 8086的存储器分为 ________存储体和_______存储体。
12. 衡量存储器的技术指标主要有________,_______和成本。
13. 衡量存储器的技术指标主要有存储容量,____________和___________
14. 以8086为CPU的微型计算机内存RAM区为00000H~3FFFFH,若采用8K*8的6264构成,需要__
______片芯片,若采用256K*1的21256构成,需要________片芯片。
15. 计算机需要主存储器存放当前运行的________和_______。
7. 单列直插,双列直插
15. 程序、数据
1. 存储器的存取时间和存取周期有什么区别?
2. 地址重复是怎么回事?
3. 简述存储系统的层次结构及各层存储部件特点。
4. DRAM为什么要刷新?
5. 存储系统如何进行刷新?
6. 请给出下图中138译码器的所有译码输出引脚对应的地址范围。
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