三星PM830这个Toggle NAND是啥？并求证64G的NAND类型。
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本帖最后由 James007ss 于
21:24 编辑
据说片内带宽有翻倍是吗？wikipidea上面找不到，搜索都是英文，谁来介绍一下这个新技术啊？
求证：三星PM830系列64GSSD所用NAND类型
网上64G的资料也比较少，性能如何，8K page 还是 4K ， NAND类型和数量，等等，一大堆疑团，开这个帖子希望大家进来讨论，集思广益，有结果的话我会编辑到一楼，现在64G性价比很不错，兼容性也好，是放到笔电做系统的理想类型。
007PS：同类问题不建议多开新帖讨论，所以我把帖子合并了，也帮你编辑了下。
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不是新技术，这里浴室有介绍。
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原来是DDR就DDR，说什么toggle呢，
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wrttt 发表于
原来是DDR就DDR，说什么toggle呢，
原理相同，但NAND和内存毕竟是2样东西，技术专利上还是不同的东西，取不同的名字很正常啦。
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James007ss 发表于
原理相同，但NAND和内存毕竟是2样东西，技术专利上还是不同的东西，取不同的名字很正常啦。 ...
说的是呢&&对啦，请问下830的64G也是用 8k page × 4G × 8 die，单颗粒容量32G的mlc吗，那64G只用量颗，怪怪的
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而且64G也用8k的page，那么4k成绩不好看也变得合理了
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wrttt 发表于
说的是呢&&对啦，请问下830的64G也是用 8k page × 4G × 8 die，单颗粒容量32G的mlc吗，那64G ...
这得看具体颗粒型号再去查资料才能确定。
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我只知道浦科特M3S 64G只用了4片东芝颗粒，三星64G用了几片颗粒不清楚。。东芝和三星都是走的Toggle NAND。东芝是5000p/e的。三星好像是3000p/e的。奇怪三星27NM的居然不如东芝24NM的寿命。
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东芝是3000 P/E的，三星是 P/E的，楼上你搞错了。
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黑色幽默 发表于
我只知道浦科特M3S 64G只用了4片东芝颗粒，三星64G用了几片颗粒不清楚。。东芝和三星都是走的Toggle NAND。 ...
不同厂的颗粒，即使同代工艺也无法直接随便比较的，因为出厂检测标准不尽相同。制造工艺有差异造成标称寿命有差异是很正常的事，不同厂的同代颗粒来说，并不一定制程相对高的寿命就长的，制程越先进寿命反而越短这个规律指的是同厂不同代的比较。
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这里也查不到
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,3103-9.html
没有纠结啦，三星不错，编辑推荐它
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各厂测试标准不同罢了，在特定的情况下是这个数值，家用其实都差不多的。
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浴室mm好漂亮呀。
浴室是纯爷们……&
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求证：三星PM830系列64GSSD所用NAND类型
网上64G的资料也比较少，性能如何，8K page 还是 4K ， NAND类型和数量，等等，一大堆疑团，开这个帖子希望大家进来讨论，集思广益，有结果的话我会编辑到一楼，现在64G性价比很不错，兼容性也好，是放到笔电做系统的理想类型。
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我只知道128G用的是8K的，单颗粒32G，4颗组成128G。
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是，128/256都是8k的，4G每die，每颗芯片堆叠8die（掉下巴，担心散热问题），所以共32G。
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wrttt 发表于
是，128/256都是8k的，4G每die，每颗芯片堆叠8die（掉下巴，担心散热问题），所以共32G。 ...
我把帖子合并和编辑了下，同类问题都在一个帖子里讨论吧，不要开太多新帖，否则版面容易乱。
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贴数:1&分页:coollpe发信人: coollpe (coollpe), 信区: PocketLife
标&&题: 制程越先进，cpu发热越集中，系统越脆弱
发信站: 水木社区 (Sat Jan 16 13:41:39 2016), 站内 && 28nm以上的才能谈稳定, 16nm的根本是为了省成本偷工减料的产物。就像nand芯片，越大的越贵，pe越高。cpu不需要20nm以下，除了发热集中，稳定性也大幅降低。
-- && ※ 来源:·水木社区 ·[FROM: 117.135.170.*]
文章数:1&分页:都在说RAM和ROM 可你真的懂这些储存原件么？
今天，媒体全球半导体观察发文称，因为智能手机和固态硬盘的强劲需求，第四季度的NAND Flash闪存将比之以前处于更加严重的缺货状态，言外之意，闪存可能要涨价了！
说到闪存，很多人都会想到运行内存和储存内存，关心手机硬件的朋友应该都对CPU、GPU、屏幕和电池等部件非常熟悉，但是对于产品性能同样非常重要的RAM（运行内存）和ROM（储存内存）相信就没有那么多人有很多了解了，今天的这篇文章，就先来说说储存内存的那些事。首先，和CPU等不一样，ROM的性能好坏的评价并不和计算能力相关，衡量一块闪存和运存性能好坏的，只有两个指标：数据读写速度和容量。
3D NAND为闪存容量打了兴奋剂
关于容量，首先需要强调，手机储存容量、固态硬盘（SSD）、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质，传统的储存介质还有机械硬盘（HHD），也就是传统的光盘储存。特点是断电之后也能保持储存的数据不丢失，可以作存储数据用。而所谓的RAM（运行内存）则是通过某种电容（DRAM、SRAM或RRAM）储存数据的，断电之后数据马上消失，但是数据吞吐速度及其迅速，这里不做深究。
我们都知道现在苹果已经将自家的iPhone容量整体翻了一倍，从以前的16GB/64GB/128GB改为了32GB/128GB/256GB，所以即使今年的iPhone7销售情况并不能比上去年的iPhone6s，但是对NAND闪存的需求量仍然上涨了接近一倍，再加上固态硬盘的价格持续走低，这种几年前还是奢侈品的硬盘现在已经走进寻常百姓家，需求量也大大增长，这一切都促使着NAND闪存产量需要大幅增加。再加上2D NAND的生产线很多都为最新的3D NAND闪存腾了出来，而3D NAND技术，就是最近几年闪存容量飞速增长的最大助力。
传统的2D-NAND如果想要在同样的芯片体积上增加储存容量，需要NAND cell单元制程越做越小，这样才能在单位面积中塞入更多的存储单元，可是物理这个东西总是有极限的，在20nm工艺之后，随着单元体积的进一步缩小，会带来越来越严重的电子干扰现象，这就使得储存芯片的可靠性与读写性能反而会降低。
在这种窘境下，3D NAND技术被提了出来，简单来说就是将原来平面排列的NAND cell再加一个垂直方向上的堆叠，这种垂直方向的排列可以在微观下数倍的增加可用体积，可是因为单个cell单元的体积极小，所以并不会在宏观层面带来体积增加。并且因为可用体积成倍增长，使用3D NAND堆叠的闪存可以用更加成熟的制程，所以三星、Intel等厂商生产的3D NAND闪存都是使用的30nm左右的制程，而不是20nm以下的制程，这也为3D NAND带来了更加优秀的可靠性。例如目前20nm工艺下的MLC闪存的擦写次数普遍是3000次，而使用了3D NAND技术的三星的V-NAND闪存可达35000次。
正是因为3D NAND技术的提出和普及，现在我们越来越多地看见在以前难以想象的1TB SD卡这样的怪兽级储存设备，而在相同的芯片体积下，手机的ROM和电脑的SSD等也有着越来越大的储存容量。可惜的是这项拥有光明前景的技术在国内无人能够掌握，三星和Intel等厂商已经能够制造36、48层甚至是64层的3D NAND堆叠，国内前段时间也传出中芯将在武汉花费160亿美元建立DRAM和NAND工厂，可是就现在的情况来看，国内厂商仅仅能够生产出4层堆叠的3D NAND，和业界巨头来比还相去甚远。
eMMC传输协议已近黄昏，三星、苹果为了新标准互不相让
除了容量，读写速度也是制约使用体验的因素之一，想必所有人都尝到过游戏、应用加载过慢的痛苦，但是随着各家厂商提出新的标准规格，近年来小到不起眼的手机内存也迎来了突飞猛进的发展。现在的内存标准规格可以分为3类，一是传统的eMMC，再就是分别由三星和苹果提出的UFC标准和NVMe标准。
其实这些标准就是在NAND存储芯片的基础上，再加上了控制芯片，接入标准接口，进行标准封装，形成一个高度集成的储存模块。有点像手机中的SoC，将所有需要的东西都塞到一个模块中，方便手机制造商直接拿来装在主板上，简化了产品研发的流程。不过这三种标准更多的只是在接口和数据传输协议上的标准，在存储介质上，都是使用的NAND闪存。
eMMC在之前一直都是业内主流的内存标准，通俗的来说，eMMC=NAND闪存 闪存控制芯片 标准接口封装，UFS和NVMe也都是如此，不同之处在于闪存控制芯片和接口协议不一样。eMMC从eMMC4.3一路发展到4.4、4.5直到现在的5.0，传输速度也从50MB/S一路狂飙到200MB/S直到现在eMMC5.0的400MB/S，再往后还有eMMC5.1高达600MB/S的传输速度。
不过用三星的话来说，eMMC标准的潜力已经被榨干了，UFS标准才是未来。eMMC在一段时间里只能够读取或者写入一种状态，而UFS2.0支持同时读写数据，并且在传输速度上可以达到780MB/S。在功耗方面，虽然在满载工作时功耗比eMMC高，但是待机状态下却低得多。现在使用了UFS2.0的手机已经很多了，使用了高通骁龙821、820和三星Exynos 8890等处理器的手机都已经支持UFS 2.0。
不过苹果一向在硬件上爱默默地堆料，使用了NVMe协议的iPhone6s和iPhone7读写速度都达到了三星S7的2倍以上，所以说iPhone的流畅不仅仅是系统的问题，在硬件上，苹果可一直都是领先安卓阵营的。不过据说在随机读写速度这一项上，UFS2.0的表现要优于NVMe，这代表着在日常复杂的使用环境中，UFS是有优势的。并且据说三星即将推出UFS2.1标准，读写速度可以达到让人咋舌的1.5GB/S。
近期就有传言称华为将要发布的麒麟960处理器就将支持UFS2.1，而作为三星自家的标准，也有很有可能出现在三星的手机中，不知道最后谁能够成为第一个在存储速度上打败iPhone的手机厂家。
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评论列表（网友评论仅供网友表达个人看法，并不表明本站同意其观点或证实其描述）3D V-NAND技术 SSD容量翻番的绝世必杀_技巧_电脑爱好者
3D V-NAND技术 SSD容量翻番的绝世必杀
电脑爱好者
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& & & 在过去的很长一段时间里，HDD机械硬盘的容量优势始终是SSD固态硬盘望其项背的存在。然而，就在HDD好不容易借助氦气和叠瓦式磁记录等技术的帮助下突破10TB时，SSD的最大容量却已达到了16TB。那么，SSD是如何在存储容量上实现绝地反击的呢？&
& & & SSD存储容量的逆袭
& & & 在很多用户的印象中，SDD就是高速度与低容量的矛盾体，并始终坚信HDD将永远保持容量上的优势。然而，三星却在2015年8月推出了容量高达3.84TB的企业级SSD：PM1633（图1 图注：2.5英寸盘形式的为PM1633）。这并不是结束，三星还将四块PM1633塞进了一个2.5英寸的空间内（三星将其命名为PM1633a），创造了15.36TB恐怖容量的历史。虽然PM1633a的厚度是普通2.5英寸SSD的2倍，但也足以印证一点：SSD容量翻身的时代即将到来。
& & & 提升SSD容量的两条路
& & & 我们都知道，传统HDD扩容只有两条路，提升单碟容量或是塞进更多碟片，而SSD的扩容之路与HDD也是极为相似。将SSD硬盘的外壳剥开（图2），我们可以看到PCB主板上镶嵌着包括主控、缓存和NAND在内的无数芯片，而单颗NAND闪存芯片的容量（类似HDD的单碟容量），以及NAND闪存芯片的数量（类似HDD的碟片数量），就是决定SSD硬盘容量的关键所在了。
& & & 问题来了，SSD硬盘主要以2.5英寸（笔记本硬盘形态）、mSATA和M.2三类为主，它们的PCB主板尺寸固定，这意味着它们所能容纳的最大NAND闪存芯片数量也是固定的。特别是像42mm长度的M.2 SSD硬盘来说，它们普遍仅能承载1～2颗NAND芯片（图3）。因此，如何提高单NAND闪存芯片的容量，才是SSD未来发展的王道。
& & & 传统2D NAND技术的局限性
& & & 对CPU而言，其内涵晶体管的数量就等同于性能，想在单位面积里塞进更多的晶体管，唯一的方法就是提高制程工艺。以英特尔为例，其CPU制程工艺刚刚实现从22nm向14nm的跨越，于是才换来了更低的功耗与更强的性能。
& & & 我们可以将NAND闪存理解为CPU，其存储密度（逻辑单元的尺寸）就等同于晶体管数量，制程工艺越先进，存储密度也就越高，同时也意味着单NAND闪存芯片的容量越大。问题来了，再先进的制程工艺在单位面积下的存储密度也是存在极限的。此外，传统2D NAND闪存都采用了浮栅极MOSFET结构，制程越先进（存储密度越高），相邻存储单元格的电荷相互干扰也就越严重，导致数据处理时的错误率增高、芯片可擦写次数（使用寿命）骤降等严重隐患。
& & & 用房地产理论可以帮我们更好地理解上述现象。房产项目占地面积就是单NAND芯片的表面积，存储密度就是每户之间的距离，而2D NAND闪存只允许开发商盖一层的平房。开发商要想建出更多房屋，就必须减小每栋房屋的面积并牺牲间距（升级制程提高存储密度）&&当你与邻居被&挤&在一起过上&蜗居&的生活后，各种邻里纠纷和冲突的现象自然也会不断升级（图4），生活品质和周边环境将难以保证。
& & 此时如果你是开发商，将如何解决上述困局？没错，就是提高开发资质，将房产项目的平房都改建为摩天大厦（图5）！
& & & 搬上大厦的3DV-NAND技术
& & & 三星是最早想到这个方法的&开发商&之一，并推出了相应的&3D V-NAND&技术。简单来说，3D V-NAND是由&3D&（3D化）和V（垂直堆叠化）两个部分构成。其中，3D化指的是NAND从传统的浮栅极MOSFET结构改为了电荷撷取闪存CTF结构，这是一种非平面设计，用控制栅极和绝缘层将MOSFET环形包裹起来，不仅提升了储存电荷的的物理区域，更提高了NAND的性能和可靠性。
& & & 垂直堆叠化就更好理解了。3D V-NAND闪存芯片的内部结构就好似盖楼房，它允许开发商通过从高层向低层穿孔以连接电极的时刻技术将无数间平房&堆叠&在一起并统一封装。换句话说，一颗3D V-NAND闪存芯片是由多层2D NAND闪存芯片摞在一起构成，而它的最终容量取决于堆叠的层数和闪存类型（TLC或MLC，TLC容量更高）。目前，三星已经量产了应用于SSD领域的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片，如果用这样的颗粒做SSD的话，M.2规格就能做到3.5TB，2.5英寸SSD可轻松突破10TB大关！
& 遗憾的是，TB级别的SSD目前还是仅限于企业级用户，比如前文提到的三星PM1633（基于第三代48层堆叠TLC V-NAND闪存技术设计），起售价至少数千美元起。哪怕是三星850 Pro这类消费级SSD（图6 图注：1TB版的850Pro SSD仅由8颗NAND闪存芯片组成），其TB级别的型号也要4000元人民币起。
& & & 3D闪存技术不仅三星一家
& & & 除了三星，东芝（闪迪）和英特尔（美光）也都有自家的3D闪存技术。其中，东芝将其称之为&BiCS FLASH 3D立体堆叠闪存&，目前已支持48层堆叠，单Die容量可达256Gb（32GB）。而英特尔则将其称为&3D XPoint&技术，并正式公开了全新的SSD品牌&Optane&。相对三星和东芝，英特尔3D XPoint闪存技术主打更快的速度。
& & & 当NAND闪存技术3D化后，受益的不仅仅是SSD，手机、平板电脑、闪存盘等以NAND作为存储单元的设备都能从中获益。随着3D V-NAND等技术的不断成熟，相信SSD在容量翻番的同时售价也会越加亲民，届时HDD从PC领域彻底下岗将不是梦想。
　　　　　　　　　　
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