请教MOSFET开关管波形问题
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StriveYe离线LV3助理工程师积分：209|主题：1|帖子：51积分:209LV3助理工程师 23:04:33
请教各位高人，如下图波形为什么在90Vac输入时MOSFET管开通之前不会出现震荡现象，而在264Vac输入时MOSFET管开通之前会出现震荡现象？或者说只要MOSFET工作在CCM时就不会出现震荡，DCM时就有呢？轻载时震荡更为明显?
1、你说的时刻的震荡，不仅漏感，变压器原边电感也参与震荡，这个时刻变压器副边二极管没有电流，变压器副边相当于开路。
2、这个震荡与抖频没有关系。
3、象前面说的，正因为是输出整流二极管中电流为零，电路进入了DCM模式，所以才出现这个问题，这个震荡是由于二极管中电流降低到零后，原边MOS管体电容及其他分布电容与电感谐振的结果。二极管中电流降低到零是因，震荡是果。
4、肖特基电流在震荡前已经下降到零是因为变压器储 ...
|bean321离线LV3助理工程师积分：226|主题：16|帖子：90积分:226LV3助理工程师 23:27:24&CCM只有TON和TOFF两个时间段，TON时，VD从0开始随通过MOS管电流上升（有MOS管RON*ID确定），TOFF时VD=VIN+VOR（有次级输出电压确定），这两个电压都是确定的。
DCM时，多了一个Tdelay的时间段，这一段电压可以说不是确定的，然后这里出现了震荡，震荡原因可以从LC二阶网络去考虑，因为mos管漏端本来就有不小的寄生电容。
&其他&(错别字,应该是期待)有人接着说清楚下 ||StriveYe离线LV3助理工程师积分：209|主题：1|帖子：51积分:209LV3助理工程师 01:15:20&您所说的LC二阶网络是指的变压器漏感与MOS寄生电容产生的震荡吧？那个只会影响到MOS关断瞬间产生的电压尖峰吧；而现在是MOS开通前出现震荡似乎不是由LC谐振引起，其波动大周期小，观察Vds与肖特基电流波形有发现肖特基输出电流在震荡开始前已经降低到零了，而从波形上看这个振荡在MOS开通瞬间被驱动信号打断（图中红色线条为MOS驱动电压波形），据某工程师所说是什么抖频造成的，但一直对抖频这个概念不甚了解?还有为什么肖特基输出电流是在振荡前就已经下降到零，而不是在MOS完全开通时下降到零呢？请赐教! ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：94194|主题：136|帖子：42504积分:94194版主 08:19:09&1、你说的时刻的震荡，不仅漏感，变压器原边电感也参与震荡，这个时刻变压器副边二极管没有电流，变压器副边相当于开路。
2、这个震荡与抖频没有关系。
3、象前面说的，正因为是输出整流二极管中电流为零，电路进入了DCM模式，所以才出现这个问题，这个震荡是由于二极管中电流降低到零后，原边MOS管体电容及其他分布电容与电感谐振的结果。二极管中电流降低到零是因，震荡是果。
4、肖特基电流在震荡前已经下降到零是因为变压器储存的能量已经释放完毕，所以二极管将没有电流流过。 ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 08:27:27&请教一下：（DCM ）
观察MOS 的Vds波形，通常两个震荡波形是间隔的。有没有可能：这两个震荡波形是连在一起的（也就是，前面的震荡结束，后面的震荡接着就开始了，中间几乎没有一段平坦的间隔？） ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：94194|主题：136|帖子：42504积分:94194版主 08:47:48&不明白你的意思。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 09:19:42&
参看楼主顶楼的那三张图。最后一张。
1）漏感吸收的震荡波形
2）整流二极管电流到零后，出现的震荡波形
1）和2）这两个震荡波形 ，中间有个间隔。
有没有可能 漏感吸收的震荡波形结束后，就出现了2）的震荡波形呢？也就是说：1）和2）这两个震荡波形 ，中间几乎没有间隔？ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：94194|主题：136|帖子：42504积分:94194版主 12:33:03&完全由可能 ||
StriveYe离线LV3助理工程师积分：209|主题：1|帖子：51积分:209LV3助理工程师 00:02:13&今天我有再做验证，结论如下：我认为8楼所说的间隔是不可能消失的，只要占空比不为零就会有间隔，电源空载时占空比并不为零，而当占空比为零时，MOSFET已经处于完全截止状态，输出电压为零，振荡也不会发生。看下图空载时的波形：C1为Vds,C2为驱动信号，C3为二次侧输出电流。
264V空载 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：94194|主题：136|帖子：42504积分:94194版主 21:14:09&你说的跟8楼描述的不是一回事。
8楼的意思是这样的，MOS管关断后，漏感跟分布电容等也会形成一个震荡，这个震荡一般来说通过RCD吸收基本消灭的差不多了，然后出现一个平台，平台电压是输入电压+反射电压，最后当变压器副边整流二极管没有电流的时候，原边励磁电感与分布电容又形成一个震荡，这个震荡由于参与的电感是原边电感，频率会明显低于第一个震荡。8楼问的是第一个漏感参与的震荡与第二个原边电感为主的震荡有没有可能连起来，也就是不会存在一个平台电压（输入电压+反射电压）。我觉得这个完全是有可能的。 ||
StriveYe离线LV3助理工程师积分：209|主题：1|帖子：51积分:209LV3助理工程师 00:14:43&如此说来，确实有可能，受教了！ ||
Steven离线LV6高级工程师积分：507|主题：1|帖子：175积分:507LV6高级工程师 00:59:57&对于DCM而言，T=T_on+T_reset+Tdead，所以，你说的这个“间隔”指的是T_reset的一部分，因为flyback需要T_reset这段时间来进行磁复位，所以，T_reset不可能为0.
注意哦，我说的是这个“间隔”指的是T_reset的一部分，不是全部哦。且，仔细看咯，“间隔”是从Lk&C谐振结束到Lp&C开始震荡这段时间，所以，如果你可以通过调整MOS关断时Lk&C的谐振频率及RCD吸收线路，来控制Lk&C谐振的长度。用这个长度对应的时间来做磁复位。这样就有可能实现你所说的“间隔”为0. ||StriveYe离线LV3助理工程师积分：209|主题：1|帖子：51积分:209LV3助理工程师 21:59:20&再请教您：
1.何为抖频？抖频现象是什么样的？
2.MOSFET的D-S脚有并联一101pF电容，这个C是否会加剧振荡的出现？
3.振荡幅度是否由初级电感流通电流大小决定（电流大振荡幅度也大）？此振荡能否避免？
如下图左图为90Vac Input,右图为264Vac Input,都是带轻载情况下:
4.（前提：设计电源在低压输入满载时工作在CCM）变压器储存能量的释放时间与带负载情况有关，带负载越重，占空比越大，变压器传输的能量越多，从而释放能量的时间也越长，即二次侧输出电流下降到零的时间也越长，最终导致振荡时间变短，甚至在CCM时没有出现振荡；个人理解，请批评指正！ ||
bean321离线LV3助理工程师积分：226|主题：16|帖子：90积分:226LV3助理工程师 22:13:12&1.第一个问题不知道等人回答。
2.3一起，工作在DCM，因为从Toff进入Tdelay这时间段，重复下之前说的，在Toff，VD=VIN+VOR，VOR=n*VO，那么当初级电感电流降低到0时，从Toff进入Tdelay，注意此时的能量，电感电流=0，电感能量=0.5*I^2*L，为零，电容能量是0.5*C*V^2。 如前面有位所说，此时变压器已经传递玩能量，次级绕组忽略了，在忽略初级RCD。这个时候的模型就是输入VIN串联一个初级电感，再串联一个电容CDS的模型。
此时电感能量为0，电容能量在最大值。那么这个时候VD会怎样变化呢？所以说这个就是一个LC串联模型，初始条件也有了。就是电容再能量传递给电感，电感再还给电容，所以引起了VD的振荡。至于具体振荡周期对不对，这个等哪位来确认了。 ||StriveYe离线LV3助理工程师积分：209|主题：1|帖子：51积分:209LV3助理工程师 23:15:56&也就是说这个振荡是在所难免的，而增加Cds改变了振荡周期（Cds加大，振荡周期增大，频率下降，那高压输入时的EMI也会变好——实践证明加Cds对辐射高压水平改善明显！）
那么加大Cds对振荡的幅度有何影响，或者其他什么因素会影响到振荡幅度呢？为什么低压输入时振荡幅度大于高压输入时呢？？ ||
bean321离线LV3助理工程师积分：226|主题：16|帖子：90积分:226LV3助理工程师 16:00:47&振荡应该是在所难免的，如果有办法避免掉，估计会在引起更大问题的前提下，比如，吸收了系统很多能量，使效率暴跌。
为什么低压输入时振荡幅度大于高压输入时呢？？这个问题应该是振荡的中心点是VIN，你可以仔细观察得到。也就是说振幅的VPP值都应该是2*VOR，不同的VAC只是把振荡中心点位置，即1.412*VAC这个值随VAC而变。所以这个说法不成立的。
你在仔细看下你发的在90VAC和264VAC下面的波形，我看不清坐标。看是不是这样的？
add：把图放大后看了下，第一个VPP=224V，第二个VPP=249V，你两种情况下的VO是相同的吗？ ||StriveYe离线LV3助理工程师积分：209|主题：1|帖子：51积分:209LV3助理工程师 23:47:44&Vo是相同的，我没有仔细看电压幅度；确实如您所说，后经仔细观察，90Vac输入时的VoR为111.4V，264Vac输入时为132V，基本验证了您的结论Vpp=2*VOR. ||
huyanjun2009离线LV3助理工程师积分：234|主题：4|帖子：18积分:234LV3助理工程师 11:16:38倒数7&VOR=n*Vo不是在输出电压和负载一定就固定了吗？跟输入电压有关系？ ||Steven离线LV6高级工程师积分：507|主题：1|帖子：175积分:507LV6高级工程师 01:05:07&知道波形每个点的电压跟什么公式有关，自然就会知道它产生的道理。
理论联系实际很重要，理解波形的每一个地方的由来，对于理解flyback非常重要。对于解决问题的帮助也很大。
出了问题，如果能找到根本原因，就会有下不完的对策。迎刃而解。 ||
StriveYe离线LV3助理工程师积分：209|主题：1|帖子：51积分:209LV3助理工程师 00:19:53&Thank you,Steven! ||
StriveYe离线LV3助理工程师积分：209|主题：1|帖子：51积分:209LV3助理工程师 08:26:53&Steven,再请教，MOSFET管D-S脚并电容，它会增大MOSFET开通时的电流尖峰，会影响到Lp&C的振荡周期，那它是如何样改善EMI辐射的，是否就是因为该变了Lp&C的振荡周期的原因？ ||
eric.wentx离线LV7版主积分：44852|主题：484|帖子：16940积分:44852版主 08:52:37&这个小电容减缓的是变化率，而不是减少一个值（如电流峰）．．． ||Steven离线LV6高级工程师积分：507|主题：1|帖子：175积分:507LV6高级工程师 17:52:36&辐射主要由共模噪音所致，而共模噪音主要由快速的dv/dt造成，在Drain-Source并cap，可以减小dv/dt。同时加这个cap可以减小Lk&cap的谐振频率，对EMI也有好处。 ||
StriveYe离线LV3助理工程师积分：209|主题：1|帖子：51积分:209LV3助理工程师 20:28:30&非常感谢！受教了！ ||
woshiyean离线LV6高级工程师积分：1623|主题：17|帖子：539积分:1623LV6高级工程师 23:21:28&这个解释精辟啊！ ||
charles_wang离线LV6高级工程师积分：488|主题：24|帖子：154积分:488LV6高级工程师 21:16:49&使上升沿变缓一些，EMI会好一些 ||huyanjun2009离线LV3助理工程师积分：234|主题：4|帖子：18积分:234LV3助理工程师 11:48:55&如果前级有PFC，加入母线电压为400V的话，这个震荡中心点应该是以400V为中心吧？ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：94194|主题：136|帖子：42504积分:94194版主 10:42:19&关断瞬间如果有震荡，震荡的中心点是输入电压+反射电压，开通前的震荡的中心点是输入电压。 ||
huyanjun2009离线LV3助理工程师积分：234|主题：4|帖子：18积分:234LV3助理工程师 10:26:42倒数8&恩，了解了，谢~ ||
huyanjun2009离线LV3助理工程师积分：234|主题：4|帖子：18积分:234LV3助理工程师 10:24:25倒数9&振幅VPP=2*VOR这个是怎么来的？ ||
廖三少离线LV2本网技师积分：128|主题：5|帖子：12积分:128LV2本网技师 11:11:19倒数5&谁解释下BUCK电路DCM也会出现这个震荡，和反激是一样？ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：94194|主题：136|帖子：42504积分:94194版主 11:52:55倒数4&电感断续造成的，情况类似。 ||nisem.wang离线LV2本网技师积分：131|主题：2|帖子：27积分:131LV2本网技师 12:15:01&对于这样的问题，何解？& 如何避免次级 电流降到0点呢。& 赐教，我也遇到过这样的问题。 ||
Steven离线LV6高级工程师积分：507|主题：1|帖子：175积分:507LV6高级工程师 17:57:23&全电压，全负载都design为CCM。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：94194|主题：136|帖子：42504积分:94194版主 19:42:30&空载的时候能工作在CCM？要是想设计全电压全负载都是DCM还有可能，全范围CCM无法实现吧？ ||
Steven离线LV6高级工程师积分：507|主题：1|帖子：175积分:507LV6高级工程师 22:52:57&额，对 ||离线LV2本网技师积分：108|主题：1|帖子：16积分:108LV2本网技师 23:25:29&这位大哥，你能否向大家说明一下什么是抖频吗？ ||
simonbin离线LV8副总工程师积分：5306|主题：10|帖子：275积分:5306LV8副总工程师最新回复 08:30:10倒数1&抖频是指开关电源的工作频率并非固定不变，而是周期性地变化。 ||
simonbin离线LV8副总工程师积分：5306|主题：10|帖子：275积分:5306LV8副总工程师 15:21:43倒数3&请教下，为什么左侧次级二极管电流也为0之后没有出现谐振呢？
QQ截图22.png (464.06 KB, 下载次数: 4)
15:22 上传
顺便请大神看下我这个帖子问题，很困惑，为什么原边电感与mos管结电容谐振没有引起电流的变化
本帖最后由 simonbin 于
15:24 编辑
河蟹离线LV2本网技师积分：59|主题：31|帖子：108积分:59LV2本网技师 21:41:52&请问你这个仿真用的是什么软件？谢谢！ ||
eric.wentx离线LV7版主积分：44852|主题：484|帖子：16940积分:44852版主 21:42:40&这是示波器测的... ||
河蟹离线LV2本网技师积分：59|主题：31|帖子：108积分:59LV2本网技师 08:02:02&谢谢！ ||
rensheng离线LV6高级工程师积分：636|主题：0|帖子：108积分:636LV6高级工程师 13:04:05倒数6&又看了一遍，收货不少。谢谢楼主发帖。 ||
cheyne离线LV4初级工程师积分：782|主题：23|帖子：191积分:782LV4初级工程师 23:30:21&高压占空比小,出现DCM了,正常 ||powerliu离线LV8副总工程师积分：4243|主题：83|帖子：1711积分:4243LV8副总工程师 08:42:50&前面 一个是CCM，后面的在高压下进入DCM了，正常的。
只要你是设计成低压，满载下是CCM，就会有这个现像的。 ||jimmmy1125离线LV6高级工程师积分：2926|主题：38|帖子：2786积分:2926LV6高级工程师 09:37:05&为什么会出现这个现象呢？ ||
陈永真离线LV7版主积分：1835|主题：49|帖子：560积分:1835版主 16:23:54&这就是在电路参数设计时需要注意的。 ||
jimmmy1125离线LV6高级工程师积分：2926|主题：38|帖子：2786积分:2926LV6高级工程师 22:07:50&谢谢陈老师。。
刚才我以为说的是开通时电流的那个震荡呢。。
今天晚上细看，才发觉说的是DS震荡。。
陈老师，我这有你的《高效开关电源设计》，先看看，有问题问你哦。。。 ||
陈永真离线LV7版主积分：1835|主题：49|帖子：560积分:1835版主 16:22:33& ||
Steven离线LV6高级工程师积分：507|主题：1|帖子：175积分:507LV6高级工程师 01:10:12&正解 ||maryxiaomeng离线LV4初级工程师积分：341|主题：10|帖子：82积分:341LV4初级工程师 14:22:48&看完整篇 学习了不少 ||
zyl离线LV2本网技师积分：137|主题：1|帖子：12积分:137LV2本网技师 00:41:09&好,顶一个 ||
charles_wang离线LV6高级工程师积分：488|主题：24|帖子：154积分:488LV6高级工程师 21:08:52&只要次级电流为零时就会出现此振荡，输入电压低时电流大，占空比大，次级电流不会降至零，故不会出现振荡 ||charles_wang离线LV6高级工程师积分：488|主题：24|帖子：154积分:488LV6高级工程师 21:18:02&楼主用的是LeCroy的示波器吗？和我用的一样的哇 ||
mmc_21离线LV8副总工程师积分：3355|主题：78|帖子：819积分:3355LV8副总工程师 12:16:13倒数10& ||哭泣的玩偶离线LV2本网技师积分：137|主题：7|帖子：43积分:137LV2本网技师 17:33:58&MARK一下，学习了，附上两张开关管漏极图，第一张DS无并联电容，第二张并联了220pF电容，可以明显看出并联电容可以减小振荡频率，同时减小振荡的Vpp，这是由于Ip/Coss和1/(sqrt(L*C))决定的Vpp值，其中Ip指Ton期间原边电感电流最大值，Coss为Drain等效的电容。
[size=14.273px]同时说明前面的问题，两个振荡完全可能连在一起，漏感能量还未振完，副边二极管已经停止导通。
huanggzhou离线LV6高级工程师积分：497|主题：13|帖子：160积分:497LV6高级工程师 10:26:15&学习了，收获不错 ||
zxbo2o离线LV2本网技师积分：191|主题：2|帖子：16积分:191LV2本网技师 10:32:24&标记，谢谢 ||
nhgaoweili离线LV1本网技工积分：20|主题：0|帖子：6积分:20LV1本网技工 12:01:04倒数2&看波形研究电路，学习中
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mos驱动的波形
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电路如图1所示，T1为脉冲变压器。测得A点和B点的波形如图2所示。& & 现在B点的波形完全变样了，请问该如何调整？
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驱动的頻率太低吧!造成Id很大,测一下0.47R电压突波大时降低了MOSFET驱动能力。而33R也偏小。
頻率改变时消振回路也要配合。
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那个0.1uF的是不是偏大？
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电阻开始用过1K的，改动它好像没有效果。
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0.1uF的用过103的，没有效果。我再去试试改为100P左右的看看。
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用了个10K可调电阻，串接120P的电容，依然没有任何变化。
实在郁闷。。。
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空载，RC去掉看一下
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我做过这个试验，把RC去掉后依然是这样。
我就怀疑电源可能有问题，换了稳压电源后，波形确实是不一样了，不过也不正确。
而且遇到另一个问题，没有PWM信号输入的时候，mos管很烫，电流超过1A，电压降到5v左右。今天我来跟踪这个问题。
变压器的初级直流电阻只有0.4左右，电路参数是否有问题？
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无PWM时，MOS门极电位？
这个问题只能自己仔细查板了。。。
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管子烫，是因为先把把12v电源接到稳压源上时，单片机的电源没有接，所以4428的7脚为高电平。
@不亦心,能否推荐一个12v大电流的芯片？
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为什么不用B端口，加下拉，单片机无输入也能保证关闭MOS
不明白12V大电流芯片是指什么。。。。。。
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已经在单片机的输出加了上拉。你的建议不错。可以少用一个电阻。
dc/dc，12v的电源芯片，用在这个电路上。
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MOS管G级关断后会出现一很高震荡波形，请帮忙分析下原因？
发表于1年前
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各位好：&/p>
&p>我在用TI的&a href=&.cn/product/cn/LM5116& target=&extwin&>LM5116&/a>降压芯片做一30V输入，12V3A输出规格的电源时，测试时发现同步整流MOS管G极的驱动波形关断的时候回出现一很高的震荡波形，请忙忙分析下波形产生的原因？如何将其消除？下面是给出原理图和G极波形图。请各位帮忙看看，谢谢！&a href=&/cfs-file.ashx/__key/communityserver-discussions-components-files/24/674FE56_.png&>&img src=&/resized-image.ashx/__size/550x0/__key/communityserver-discussions-components-files/24/674FE56_.png& border=&0& alt=& &>&/a>&a href=&/cfs-file.ashx/__key/communityserver-discussions-components-files/24/2500.G_FFE56_.jpg&>&img src=&/resized-image.ashx/__size/550x0/__key/communityserver-discussions-components-files/24/2500.G_FFE56_.jpg& border=&0& alt=& &>&/a>&/p>&div style=&clear:&>&/div>" />
MOS管G级关断后会出现一很高震荡波形，请帮忙分析下原因？
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我在用TI的降压芯片做一30V输入，12V3A输出规格的电源时，测试时发现同步整流MOS管G极的驱动波形关断的时候回出现一很高的震荡波形，请忙忙分析下波形产生的原因？如何将其消除？下面是给出原理图和G极波形图。请各位帮忙看看，谢谢！
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状元77136分
&&& 您的工作频率是多高？& 降低一些，这二个spike应该会小很多。
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状元77136分
&&&& 选择Qg尽量小一点的MOS， 测试一下看看。
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工作频率250K也不是很高，帮忙理论上分析下关断后这里会产生这个尖峰的原因？
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状元77136分
&&& 我觉得是芯片驱动力的问题，以前在其他芯片上见过类似的问题，只有将频率略微调低一点，spike就小很多。
&&&&然后选择Vth稍微高一点的MOS就完全没有问题了。
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如上图，刚换了锐俊的RU30120S这个MOS管试了下，低压20V输入时，关断后尖峰小了很多，但是输入60V，电流到0.3A时输出就降到9V左右，G波形变得很乱。
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还是250K的工作频率，在20V输入的，输出空载的条件下，我测试了G极波形，发现不是方波，按理说应该是方波的，
为何会出现下图波形，当我 将负载增大到 0.05A的时候G极才是方波。
下面是我给出G波形图，请帮忙分析下可能原因，谢谢。
放大后的波形：
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状元77136分
&&& 我觉得也可能有layout方面的问题，能否将你的layout发上来看看？
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如下图，高亮显示部分是从芯片输出Lo引脚到Q2的G的走线。请帮忙看看是不是这根线太长的原因。
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不好意思，之前的截图里MOS管的S极标的有误，从新发下PCB截图，20V输入，输出空载的时候，为何Q2的G及波形不是方波呢？请帮忙分析下原因，谢谢！！！
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状元77136分
　　更换MOS后，驱动的spike变小了，此时驱动信号很杂乱，还是没有换MOS前也很杂乱?(只是spike变小，仍很遭乱吗？）
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进士4370分
楼主，如你所说，这是因为你低侧MOS管的驱动线太长了，而且这个驱动信号线上面就是SW点，你看到的那个尖峰应该是上管开通时引脚的干扰耦合到低侧MOSFET的驱动信号中了。你如果同时看SW波形，应该可以看到驱动里面的那个尖峰跟SW上上升沿的时刻应该相同。驱动的走线尽量避开噪声源。关于开关电源的PCB布局，这篇文章你可以参考一下。
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更换MOS后，低压20V输入时，关断后尖峰小了很多带载也正常可以到4A，但是电压升高到60V，电流才到0.3A，输出就降低到9V左右，并且G极波形变的很乱。
现在我发现一个问题，我的G极波形不是方波在空载的时候，也请帮忙分析下驱动不是方波的原因？
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给的资料很好，学习了，这幅图的意思是说高片电流回路下方的地层应该放置器件，这样会把地层分开，
导致电流不能以最短路径回到电源负极，是这个意思吧。
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状元77136分
&& 输入电压越高，电感峰值电流越大，这个对于电路的干扰也就是越大，说明layout确实是有影响。
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