简介/多层片式压敏电阻
像片式、等一样，多层片式压敏电阻器是通过和的工艺方法制造的。多层片式压敏电阻是一种金属氧化物陶瓷半导体电阻器，它是以(ZnO)为主体材料，添加多种其他微量元素，用陶瓷工艺制成的化合物半导体非线性元件。它具有双向对称性，可以用来保护来自正反方向的瞬态，且没有电压过冲。由于元件体积小，响应速度快，通流容量大，温度特性好，因而被广泛用于抑制集成电路中瞬态浪涌电压，以及汽车电路保护等工程方面。
正是由于多层片式压敏电阻器所具有的体积小，响应快，吸能本领强，抗热性能好，无电压过冲的特性，体积可以做得很小，而且耐焊接热，因而使得它很容易投入到集成电路生产中去，可以被广泛地应用在IC保护及CMOS，MOSFET器件保护中，涉及通信、电力、交通、工业控制、汽车电子、医用设备和家用电器等行业，而且随着技术的不断改进，它的应用会越来越广。
特性/多层片式压敏电阻
多层片式压敏电阻器是一种电压非线性元件，具有类似于背靠背特性，它可以用来保护正反方向的，符合I=KVa关系。目前能够制造的多层片式压敏电阻器电压最低为5V，最高可以达到90V;最大额定电压下的泄露电流小于50uA，单脉冲(8/20uS)峰值电流可达250A;能量耐量(10/1000)最大可达1.2J。 多层片式压敏电阻器与氧化锌压敏电阻器相比具有以下特点：
(1)快速响应特性：氧化锌压敏电阻器响应时间一般小于50ns.但多层片式压敏电阻器属于表面安装型元件，由于其无引线，因而电感可视为零，响应速度可达到1-5ns，其快速响应能够对瞬态浪涌进行有效地抑制。
(2)良好的限制电压特性：限制电压的测量是在规定了某一试验电流和波形下进行，通常选用(8/20uS)。多层片式压敏电阻器能够有效地把顺态浪涌电压限制在被保护元件的击穿电压之下，从而避免元件遭受浪涌电压的危害。
(3)较好的温度特性：多层片式压敏电阻器的电压和电流呈非线性变化。当达到击穿电压时，多层片式压敏电阻器相当于短路状态，限制电压在整个导通状态下，不随温度的变化而发生变化。
(4)良好的通流能力：多层片式压敏电阻器由于体积小，且多层电极和半导体陶瓷层叠加，使得具有较大的有效导电面积，因此，通流容量好是其出色的优点之一。如尺寸为3MM×1.5MM多层片式压敏电阻器通流容量(8/20uS)可达180A。这是低压径向引线氧化锌压敏电阻器在相同导电面积下所不能比拟的。
(5)较大的电容量：多层片式压敏电阻器是多层结构，它比相同体积的径向引线的氧化锌压敏电阻器有较大的电容量，一般可达6520PF。
应用/多层片式压敏电阻
多层片式压敏电阻的大小
正是由于多层片式压敏电阻器具有诸多优点，因而在生产实际中得到广泛使用。
(一)IC保护 在印刷上为防止瞬态能量对线路破坏，通常采用在电源的输入端口并联一个耦电容来吸收瞬态的能量，但电容储存的能量(E=1/2 CV?)太小，因而没有起到有效地保护作用。也有人采用在输入端并联较大体积的电容的方法，但这些电容在高频下响应速度十分缓慢，容易致使保护失败。而多层片式压敏电阻器的使用，就能够十分有效地保护5V和2V电源输入的集成电路。
对PC板对板、不同功能线路与线路、电器与线路之间，也必须考虑消除瞬态能量的问题，长期以来，也有人曾使用过较小的放电间隙和硅压敏电阻对线路进行保护。但就放电间隙而言，它在线路中仍然需要来降低触发放电间隙的初始上升电压，虽然具有优良的V-I特性，也被广泛地应用在集成电路保护等方面。但是由于硅压敏电阻器的齐纳效应，使其具有较低的浪涌能量吸收值，其结果是硅芯片把能量转化成热量，随着温度的升高，致使部分芯化，从而引起元件失效。而使用多层片式压敏电阻器后，就能有效地弥补了上述两种原器件的不足，并且提高了保护集成电路免遭大电流破坏的能力。
(二)CMOS器件的保护 是CMOS器件结构的固有现象，主要由外部因素引起，而且是很随机的。一旦引发是很难恢复的，唯一的办法就是断掉芯片上的电源。对它的保护我们可以通过并联多层压敏电阻器来防止上述现象的产生，一个多层片式压敏电阻器与接地端串联，就可消除大部分由于输入过电压引起的闭锁现象。此外在输入端与接地端之间另外接一个多层片式压敏电阻器，也可以有效地帮助保护静态放电引起的瞬态浪涌电压产生的闭锁现象。
(三)汽车电路系统的保护 随着表面安装技术的广泛应用，使得汽车电路需要体积小、能封装于线路板中的电子元件，且具有良好的电气特性。多层片式压敏电阻器正好适应这种要求。
在汽车电路中经常会产生许多瞬态浪涌脉冲，这是人们最容易理解的事情。如当发电机正在给蓄电池充电时，突然负载断开，瞬态浪涌电压的峰值可达到125V，延续时间200-400ms。另外，汽车突然启动，也会产生很高的瞬态浪涌电压，且延续3-5min.汽车的点火脉冲可产生75V的电压，延续90min，其他的瞬态浪涌电压来源于中的动作和电磁开关的动作。目前国际上普遍采用多层片式压敏电阻器对上述浪涌电压进行有效抑制，以避免对汽车线路的危害。
&|&相关影像
互动百科的词条（含所附图片）系由网友上传，如果涉嫌侵权，请与客服联系，我们将按照法律之相关规定及时进行处理。未经许可，禁止商业网站等复制、抓取本站内容；合理使用者，请注明来源于。
登录后使用互动百科的服务，将会得到个性化的提示和帮助，还有机会和专业认证智愿者沟通。
此词条还可添加&
编辑次数：7次
参与编辑人数：2位
最近更新时间： 16:08:22
申请可获得以下专属权利：
贡献光荣榜压敏电阻器的各种电压介绍
仪器仪表世界网提示：在压敏电阻器工作的过程中，我们经常会盯着压敏电阻器的电压的变化，与之相关的电压主要有三种：压敏电压、最大电压和限制电压，这三种电压之间有什么关系呢？下面仪器仪表世界网的专家来给大家介绍一下它们三者之间的关系。
& & & &在压敏器工作的过程中，我们经常会盯着压敏电阻器的电压的变化，与之相关的电压主要有三种：压敏电压、最大电压和限制电压，这三种电压之间有什么关系呢？下面世界网的专家来给大家介绍一下它们三者之间的关系。
所谓压敏电压，即击穿电压或阈值电压。指在规定电流下的电压值，大多数情况下用1mA直流电流通入压敏电阻器时测得的电压值，其产品的压敏电压范围可以从10-9000V不等。可根据具体需要正确选用。一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC，式中，Vp为电路额定电压的峰值。VAC为额定交流电压的有效值。ZnO压敏电阻的电压值选择是至关重要的，它关系到保护效果与使用寿命。
此电压分交流和直流两种情况，如为交流，则指的是该压敏电阻所允许加的交流电压的有效值，以ACrms表示，所以在该交流电压有效值作用下应该选用具有该最大允许电压的压敏电阻，实际上V1mA与ACrms间彼此是相互关联的。压敏电阻的通流容量应根据防雷电路的设计指标来定。一般而言，压敏电阻的通流容量要大于等于防雷电路设计的通流容量。
最大限制电压是指压敏电阻器两端所能承受的最高电压值，它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻器两端所产生的电压此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的残压一定要小于被保护物的耐压水平Vo，否则便达不到可靠的保护目的，通常冲击电流Ip值较大，例如2.5A或者10A，因而压敏电阻对应的最大限制电压Vc相当大。
以上就是关于压敏电阻器在使用中出现的这三种类型的电压之间的关系，所以大家在使用过程中要关注这三种电压的变化，确保它们在合适的范围内变化。
客服：010-18129 传真：010－　仪器仪表世界网版权所有 公司地址：北京市朝阳区东三环南路翌景家园1号楼(c) 仪器仪表世界网 All Rights Reserved 技术支持:北京网站建设 安全联盟alexa排名 京 公网安备:高频用高性能片式压敏电阻器研制--《电子科学技术》2015年03期
高频用高性能片式压敏电阻器研制
【摘要】：通过对瓷体配方、流延厚度、介质层层数、电镀电流的试验,研究了它们对多层片式压敏电阻器电性能影响。研制出了超低电压、超低电容、超低泄漏电流多层片式压敏电阻器,其压敏电压极低(≤5V)、电容量极小(≤1pF)、泄漏电流极小(≤0.1μA)。
【作者单位】：
【关键词】：
【基金】：
【分类号】：TM54【正文快照】：
弓|言 ESD保护已经不再适应电子产品低压化、高频化、高速化、低功耗化发展的技术要求,市场急需开发出一多层片式压敏电阻器是一种ESD保护首选元件。 种压电压更低、本身电容及泄漏电流更小的新型多层但是,近几年来,半导体芯片为了考虑减少自身的功 片式压敏电阻器,即超低电压
欢迎：、、)
支持CAJ、PDF文件格式，仅支持PDF格式
【参考文献】
中国期刊全文数据库
孟凡明;孙兆奇;;[J];安徽大学学报(自然科学版);2006年04期
周东祥,周莉,龚树萍;[J];电子元件与材料;2002年03期
王兰义;[J];电子元件与材料;2003年07期
钟明峰,苏达根,庄严;[J];电子元件与材料;2005年11期
张丛春,周东祥,龚树萍;[J];硅酸盐学报;2001年06期
【共引文献】
中国期刊全文数据库
孟凡明;孙兆奇;;[J];安徽大学学报(自然科学版);2006年04期
李村;权传斌;徐洪耀;何金花;张现利;;[J];安徽大学学报(自然科学版);2007年05期
钟明峰;苏达根;庄严;;[J];材料导报;2005年06期
赵鸣,王卫民,张昌松,张慧君,刘向春,田长生;[J];材料科学与工程学报;2005年06期
马书蕊;施利毅;钟庆东;冯欣;王少飞;;[J];电瓷避雷器;2005年06期
黄彩清;肖汉宁;洪秀成;成茵;;[J];电瓷避雷器;2007年04期
方晶;毛承雄;陆继明;王丹;;[J];电工技术学报;2012年04期
臧国忠,王矜奉,陈洪存,苏文斌,王文新,王春明,亓鹏;[J];电子元件与材料;2003年09期
钟明峰,苏达根,庄严;[J];电子元件与材料;2005年11期
唐斌;祝忠勇;赖杨;;[J];电子元件与材料;2005年12期
中国重要会议论文全文数据库
栾健;林楠;肖稳安;;[A];第31届中国气象学会年会S9 第十二届防雷减灾论坛——雷电物理防雷新技术[C];2014年
中国博士学位论文全文数据库
臧国忠;[D];山东大学;2006年
万帅;[D];华中科技大学;2010年
陈飞;[D];南京理工大学;2012年
中国硕士学位论文全文数据库
洪秀成;[D];长沙理工大学;2009年
李陆柯;[D];中南大学;2011年
李姣红;[D];西安科技大学;2011年
姜永健;[D];哈尔滨理工大学;2011年
吴通涛;[D];电子科技大学;2003年
李翠霞;[D];兰州理工大学;2003年
孟辉;[D];天津大学;2005年
李浴江;[D];西安科技大学;2006年
周健;[D];南京航空航天大学;2006年
李艳霞;[D];西南交通大学;2007年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库
付明,周东祥,龚树萍,张道礼;[J];材料导报;2000年09期
霍建华;[J];电瓷避雷器;2000年01期
卢振亚;[J];电子元件与材料;2000年01期
张丛春,周东祥,龚树萍,王礼琼;[J];电子元件与材料;2000年06期
王兰义;[J];电子元件与材料;2003年07期
曾祥明,张明,赵根妹,林伟时,康雪雅;[J];电子元件与材料;2004年02期
申海涛;[J];电子元件与材料;1996年01期
薛泉林;[J];电子元件与材料;1998年03期
章天金,周东祥,龚树萍,姜胜林;[J];电子元件与材料;1998年04期
任省平,石永杰,石微静;[J];电子元件与材料;1998年04期
【相似文献】
中国期刊全文数据库
史建华;钱振宇;;[J];电源技术应用;2009年10期
毛士飞;王秀春;王碧霄;李昆;郭晓霞;张霞;;[J];变压器;2011年02期
;[J];机电新产品导报;1994年07期
;[J];变压器;1987年03期
李春光,高勇,安涛,董宁利;[J];西安理工大学学报;2004年03期
杨志铨;;[J];变压器;1984年09期
方福林;阙家桢;;[J];变压器;1990年03期
傅成君;[J];电子元件与材料;1990年01期
傅成君;[J];电子元件与材料;1990年01期
章士瀛;[J];电子元件与材料;1992年01期
中国重要会议论文全文数据库
康雪雅;张明;章锦泰;;[A];全国第六届SMT/SMD学术研讨会论文集[C];2001年
中国重要报纸全文数据库
于凌宇;[N];中国电子报;2000年
中国硕士学位论文全文数据库
邢云龙;[D];吉林大学;2014年
&快捷付款方式
&订购知网充值卡
400-819-9993
《中国学术期刊（光盘版）》电子杂志社有限公司
同方知网数字出版技术股份有限公司
地址：北京清华大学 84-48信箱 大众知识服务
出版物经营许可证 新出发京批字第直0595号
订购热线：400-819-82499
服务热线：010--
在线咨询：
传真：010-
京公网安备75号单片式压敏电阻的配方与生产工艺简介_文档库
文档库最新最全的文档下载
当前位置： & 单片式压敏电阻的配方与生产工艺简介
单片式压敏电阻的配方与生产工艺简介
氧化锌压敏电阻的配方和生产工艺简介
1.ZnO 压敏电阻芯片配方
由于压敏电阻器受其限制电压、尺寸和电阻芯片几何效应的制约，为了满足其性能需求，通常需要三种以上具有不同电位梯度的配方，其梯度分别为：200V/mm、120~150V/mm、40~50V/mm和10~20V/mm的配方。尽管这些配方不同且差异很大，但其主要的添加物成分大体都含有Bi 2O 3、Co 2O 3、Sb 2O 3、MnO 2(或MnCO 3) 、Cr 2O 3和Ni O等。因为这些是产生和改善非线性、提高稳定性的必要成分。
为了电阻片的降低梯度，主要是通过调整高压料配方中添加物成分的种类及其添加量并改变添加物的处理工艺来实现。其目的是在添加促使ZnO 晶粒长大、降低梯度的调价下，确保电阻片的压敏特性和老化性能及稳定性。
中、低压配方多采取适当的增加Bi 2O 3及添加B 2O 3或其化学合成物，减少或不加Sb 2O 3、添加Ti O2 或其含Ti O2的预合成物等措施。增加Bi 2O 3及添加B 2O 3或其化学合成物的主要作用在于降低烧成温度、降低液相黏度，促使ZnO 晶粒长大。当然，减少或不加Sb 2O 3的作用在于减小或消除Sb 2O 3对抑制ZnO 晶粒长大的作用。Ti O2是常用且最有效的促进晶粒生长的促晶剂，但是由于其添加量很少，如果直接以Ti O2的形式加入，在制备混合料时很难与其他成分混合均匀，因而烧结瓷体中ZnO 晶粒尺寸很不均匀，出现异常大的晶粒；不仅造成电阻的性能分散性大，其他性能也恶化。为避免上述问题的发生，多采取将Ti O2与其他适宜成分，如Bi 2O 3，Sr 、Ba 的氧化物或其他化合物等预烧后的形式加入。
Sb 2O 3对抑制ZnO 晶粒长大、提高梯度的作用是很敏感的，而且它对减小ZnO 晶粒的分散性也是很明显的。为了利用这种特性来改善中、低压压敏电阻的综合性能，采取将其预合成尖晶石措施，再添加少量是有效的。
2. 生产工艺与工艺装备
（1）粉料制备与成型
压敏电阻粉料的制备是先将添加物利用高搅磨细磨后与ZnO 、Al(NO3) 3·9H2O 和各种有机结合剂、分散剂、消泡剂等经过胶体磨机和搅拌机在混合罐中混合均匀。再经喷雾干燥剂干燥成颗粒状粉粒。
成型前十多个小时先将料粉用自动化含水机增湿，陈腐后再成型。采用液压或机械传动的冲压式压机成型。坯体的厚度可以自动或手动调整；其密度多控制在3.3~3.5g/cm3 。
（2）排胶与烧成
排胶和烧成分别通过电热隧道炉完成。坯体散装或码放在匣钵中，经过低温500℃，将坯体中的各种有机物分解排除后即进行烧成。装入烧成匣钵时，钵底和片与片之间需撒上预处理的ZnO 粒状垫料，以免高温下瓷片互相粘连。烧成温度依据这种料的配方不同而异，一般最高温度在1200℃左右。保温时间一般2h 。
Word文档免费下载：
贴片电阻生产工艺流程简介一、引言 贴片电阻(SMD Resistor)学名叫片式固定电阻器,是从 Chip Fixed Resistor 直接翻译而 来的,特点是耐潮湿、耐高温、可靠度高、...图1 1 一个片式叠层压敏电阻相当于由一个双方向的 TVS 管(或者两个单方向...式氧化锌压敏电阻的压敏电压不仅与材料配方和器件厚度有关, 而且受制造工艺影 ...生产工艺流程原材料分析(Raw material analysis) 配方计算(calculate composition ...模块型压敏电阻(塑胶外壳,树脂灌状)。 片式型压敏电阻(无引线,无包封)。 ...片式压敏电阻器_电子/电路_工程科技_专业资料。片式压敏电阻器 (MLV) MULTILAYER CHIP VARISTOR MLV &0.5ns ESD Multilayer Chip Varistors (MLV) are ...3. 1 多层片式氧化锌压敏电阻器 [2, 3 ] 多层氧化锌压敏电阻器的制造工艺...2 籽晶法氧化锌压敏电阻器 [4, 5 ] 所谓籽晶法是原始配料过程中加入晶粒...压敏电阻 ? 本课件由426宿舍制作,仅供学习参考。 目录 ? 1.简介 ? 2.成分 ...片式压敏电阻行情看好,但同时却面临了一个尴尬,片式压敏电阻由于价格坚挺,一般...一般而言, 片式压敏电阻器的制作工艺流程如下:叠层...各单只压敏电阻数值之和.要求 并联的压敏电阻伏安...4 氧化锌压敏电阻存在的问题 现有压敏电阻在配方和...一般而言,片式压敏电阻器的制作工艺流程如下: 叠层,切割,排胶,烧结,倒角,...单个的压敏电阻并联使用, 并联后的压敏电不变, 其通流量为各单只压敏电阻数值...目前, 正规渠道的片式压敏电阻不少是来自台湾生产的, 但现货市场却流通着不少...选用方法(一般情况): 1、压敏电压值应大于实际电路的电压峰值,一般为: U1mA =...生产流程及工艺控制 (S-VAR, Front-end) 4. ...接片式压敏电阻(端点焊接型; 接片式压敏电阻(端点...体型压敏电阻器、单颗粒层压敏电阻器和薄膜压敏电阻...该用户的其他资料
在此可输入您对该资料的评论~
(window.slotbydup=window.slotbydup || []).push({
id: '4540180',
container: s,
size: '250,200',
display: 'inlay-fix'
资料评价：
所需积分：0