骁龙660工艺835工艺？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-01-20 17:18 标签： 高通骁龙450 纳米工艺
10nm工艺好在哪儿？高通骁龙835详细分析
随着智能科技在手机制造业的不断发展，近年各大品牌手机的创新之举也实为不少。不过，名气越大，责任越大。消费者对手机的实质性能也不断提出新的要求，例如成像质感更强、屏幕显示更出色、影音效果更震撼等等，厂商也针对性能进行了逐一改进，但随着而来的却是智能手机在续航能力表现上越来越差。频繁的使用频率导致现在智能手机的续航无法支持用户整天的使用需求。续航问题基本成了各大手机厂商非常头痛的“疑难杂症”之一，有的手机厂商通过一些“黑科技”进行电量的监控来达到续航的提升，但效果并不明显；而有的则是通过加大电池容量来提升手机续航能力，虽说效果显著，但这会使得手机体积又厚又重，外观一点都不美观，得不偿失。
针对这个现状，Qualcomm于年初发布了一款新品——顶级的骁龙835移动平台，不仅能很好的解决手机续航这一大问题，还可以为我们带来一款高颜值又轻薄的长续航手机。另外还提升了拍照能力与安全性管理，并且支持千兆级网速以及时下最火爆的沉浸式体验，同时辅以Qualcomm智能学习平台可以使用户获得更好的智能应用体验。
Qualcomm骁龙835移动平台是全球首款采用10纳米FinFET工艺节点实现商用制造的移动平台，与上一代旗舰处理器相比，它的封装尺寸减小35%，能将更小、更高效的晶体管封装到同一个芯片中，具有更强的性能表现力；同时相比上一代14纳米的骁龙820移动处理器来说，还实现了25%的功耗降低，这意味着搭载该移动平台的手机将拥有更长的续航时间以及更纤薄的外观设计。
除此之外，为了让Qualcomm骁龙835移动平台在功耗表现上更出色，Qualcomm骁龙835移动平台还搭载了全新的Kryo280 CPU构架。全新的CPU可提供高效节能的功耗架构，而集成的Hexagon 682 DSP增加了对TensorFlow和Halide框架的支持，由CPU、GPU、DSP和软件框架组合提供了一个高性能的异构计算平台，让设备更智能的去处理整个系统内的工作负载，从而实现最大效率并有助于延长续航时间。
为了让搭载Qualcomm骁龙835移动平台的手机能给用户提供更极致的续航体验，Qualcomm还为其采用了全新的Quick Charge 4.0快充协议，与上一代的Quick Charge 3.0相比，可实现高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升，使搭载Qualcomm骁龙 835 移动平台的设备充电15分钟就能充饱 50% 的 电量甚至更多。瞬间完成充电的能力，无论你在外出旅行还是出差办公都不用为一整天的高强度使用而担心续航问题，即使在没电的情况下也能为你急速充满。同时也不用再担心，手机厂商们为了使产品能拥有更长续航能力而去配置一块大容量电池了，外观美美哒，拿在手里也显品味。
Qualcomm骁龙835移动平台专门在功耗表现上下了那么大的功夫，全面提升了手机的续航能力，还不用面对因续航而舍外观的两难境地，实在是解决了一个大难题。非常期待更多搭载Qualcomm骁龙835移动平台的新旗舰到来，带领我们进入一个智能手机长续航的新时代。
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10nm工艺骁龙835前期产能严重不足：一大波机型遭殃
今天晚上11点，三星将正式发布新一代旗舰手机Galaxy S8，能否从Note 7阴影中完美走出来就靠这款手机了。万事俱备只欠产能了，对于Galaxy S8来说这是目前最难迈过的坎。现在韩国媒体KoreaHerald援引自三星内部消息人士的说法，10nm工艺良品率不是很高。该消息人士还强调，高通骁龙835处理器目前的产能相当有限，这将让三星不得不推迟Galaxy S8的开卖时间（至少比原计划往后推迟一周，发售时间预计将推迟至4月28日），而最关键的是，前期产能的严重供应不足也会拖累一大波要使用该处理器的机型，比如小米6等。之前小米已经暗示，4月将会首发骁龙835的机型，而它应该就是传闻多时的小米手机6了。为了应对骁龙835、Exynos 8895产能不足的情况，目前三星正在全力生产，并且他们还在追加投资扩充10nm工艺生产线，预计缓解这个状况最快也要Q2了。S8、小米6、乐视4代、LG V30、HTC U等一众要搭载骁龙835的机型，看来要耐心等等了。
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3月22日，举办平台亚洲首秀，在大会上，高通向我们全面展示了骁龙835的极致性能。
骁龙835移动平台相比的骁龙处理器是一次较为全面的升级，体现在骁龙835（SoC部分）采用三星10nm FinFET制程工艺打造，在CPU方面，骁龙835搭载自主Kryo 280核心，其中包括4*2.45GHz的性能核心以及4*1.9GHz的效率核心。而GPU方面，骁龙835则内置了Adreno 540。
另外，骁龙835内置Spectra 180双ISP，支持QC 4.0快速充电、Aqstic音频解码+扬声器。跑分方面从原型机测试数据看，骁龙835平台Geekbench 4单核得分2048、多核得分为6478。安兔兔总分为182548分。相信量产机在跑分上还有很大提升空间。
对比有何优势？
我们不妨将骁龙835和上一代的旗舰处理器骁龙821来做一个对比，这样可以更加直观。
首先，骁龙835采用更为先进的制程工艺，是半导体最新的10nm制程工艺，与骁龙821的14nm FinFET工艺相比，三星10nm工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
而且CPU方面，骁龙835为八核处理器，在多线程性能上面要明显优于骁龙821的四核。GPU方面向来为高通强项，自不必多言，在VR等方面Adreno 540比Adreno 530拥有更好的支持。另外，骁龙835将采用比骁龙821更为完善的Vulkan图形API。
基带方面，骁龙835处理器集成了X16千兆级LTE调制解调器，同时还集成2x2 802.11ac Wave-2和支持多千兆比特Wi-Fi的802.11ad，是首款在家中和外出时都能提供千兆级连接的商用处理器，相比于骁龙821的X12提升明显。骁龙X16 LTE调制解调器将为骁龙835带来Cat 16载波聚合，在真实网络下下行平均速率可以到114Mbps，13秒内下载一部影片，速度快过从电脑拷贝到手机，比Cat 6网络快大约2倍。
最后在充电速度上，QC4.0 快速充电技术相比 QC 3.0 充电速度提升 20%，大约 15 分钟内，可冲入 50% 的电量。另外，QC4.0 有更好的电源管理系统，能够有效降低充电造成的电池损耗。
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10nm工艺的魔力！骁龙835如此小巧：暴帅
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