一束平行的太赫兹波细胞理疗仪照射到半导体中,会有什么现象?

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-04-24 02:44 标签： 太赫兹光波
太赫兹技术发展趋势
& 太赫兹技术主要研究集中在0.1-10THz频段.这是一个覆盖很广泛并且很特殊的一个频谱区域。起初,这一频段被称为“THzGap(太赫兹鸿沟)”，原因是这一频段夹在两个发展相对成熟的频,即电子学频谱和光学频谱之间.其低频段与电子学领域的毫米波频段有重叠,高频段与光学领域的远红外频段(波长0.03-1.0mm)有重叠.由于这一领域的特殊性,形成了早期研究的空白区.但随着研究的开展,太赫兹频谱与技术对物理、化学、生物、电子、射电天文等领域的重要性逐渐显现,其应用也开始渗透到社会经济以及国家安全的很多方面,如生物成像、THz波谱快速检测、高速通信、穿墙雷达等.太赫兹之所以具有良好的应用前景,主要得益于其光谱分辨力、安全性、透视性、瞬态性和宽带等特性.例如:自然界中许多生物大分子的振动和旋转频率都处在太赫兹频段,这对检测生物信息提供了一种有效的手段;太赫兹频段光子能量较低,不会对探测体造成损坏,可以实现无损检测;太赫兹波对介质材料有着良好的穿透能力,从而可作为探测隐蔽物体的手段;太赫兹脉冲的典型脉宽在皮秒量级,可以得到高信噪比的太赫兹时域谱,易于对各种材料进行光谱分析;此外,太赫兹频段的带宽很宽,从0.1-10THz可为超高速通信提供丰富的频谱资源.
&&伴随着太赫兹波生成技术的发展,太赫兹源的研究已有很多有价值的新进展.研发低成本、高功率、室温稳定的太赫兹源是发展太赫兹技术的基础.太赫兹源的分类多种多样,按照产生机理,可以分为基于光学效应和基于电子学的太赫兹源。按照源类型可以分成3类:非相干热辐射源、宽带太赫兹辐射源以及窄带太赫兹连续波源。
&&1.1非相干热辐射源
&&非相干热辐射源在热平衡的情况下将热能转换为光能,产生连续的光谱。主要例子如日常生活中的太阳,以及白炽灯.由于其产生的太赫兹波功率很低,应用前景较为局限.
&&1.2宽带太赫兹辐射源
&&宽带太赫兹辐射源目前主要应用于光谱系统,主要由周期为几十到几百个飞秒的脉冲产生，在频谱上包含高达几十太赫兹的超宽频谱分量.产生方法包括：
&&a)光导天线：光导天线进行太赫兹辐射的主要机理是光导天线在光脉冲的照射下产生载流子,并在电场作用下加速运动,在表面产生瞬态电流,进而辐射太赫兹电磁波，其特点是具有较高的输出能量.近年来,国内外开展了很多关于光导天线产生宽带太赫兹波的研究。
&&b)光整流法:光整流法是利用非线性的光整流效应,使两个光束或者一个高强度的单色光束在介质中传播时产生差频或和频振荡，其特点是可以实现太赫兹超宽带输出,但是输出能量相对不高.基于此原理,太赫兹辐射源得到了长足的发展。
&&c)空气等离子法:空气等离子法的原理是利用激光聚焦击穿空气产生太赫兹辐射。
&&d)半导体表面:基于半导体表面的太赫兹辐射源的基本工作原理可以总结成表面电场效应和光生丹培效应.对于某些宽带隙的半导体材料,其表面存在表面态,由于表面和内部的费米能级不一致,会形成表面电场.在这个电场作用下,被激光激发的载流子会形成瞬态电流,从而形成太赫兹辐射.对于某些窄带隙半导体材料,由于其吸收系数很大,大量的载流子会在半导体表面形成,其中的电子和空穴在向半导体内扩散的时候使正负电荷在空间中分离,形成光生丹培电场,辐射太赫兹波.这种方式的特点是简单易操作,但辐射功率较低。
&&由于太赫兹技术在空气中的损耗较大,所以其传输结构是一个不可或缺的部分。对不同传输结构的损耗和色散特性的研究，逐渐成为了太赫兹领域的研究热点.。各国科研人员都在努力寻找低损耗、低色散、高功率容量的太赫兹传输结构，也就是寻找适合传输太赫兹波的材料和结构。就研究方法而言,主要是根据太赫兹频段在波谱中夹在毫米波频段和光学频段之间这一特性，人们试图将在这些频段成熟的传输材料进行改进应用到太赫兹频段,这些尝试包括金属圆波导、平行平面金属波导、金属线波导、带有金属涂层的介质波导、全介质波导、亚波长周期孔阵列、椭圆形空心光纤包层的微结构光纤、双线传输结构、光子晶体等.如上所述，太赫兹频段的传输结构有很多选择,需要针对不同的需求选择合适的导波结构.同时仍需要寻找更低损耗和色散的太赫兹传输线材料和结构，为此雅驰实业也将会继续关注此类信息。豆丁微信公众号
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第二章 太赫兹波的产生
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简介：本文档为《第三章
太赫兹波的探测doc》，可适用于人文社科领域，主题内容包含第章太赫兹波的探测就太赫兹波的研究领域来说太赫兹信号的探测也是一项十分重要的内容。由于目前太赫兹辐射源的发射功率较低而且还耦合了相对较强的热背景噪声符等。
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上海技物所发现一种太赫兹波段室温新光电导现象
08:51:09 点击 212 次
此项研究结果证明了远小于禁带能量的光子激发的室温光电导机制，并跳出了传统的基于带间跃迁、子带能级跃迁，以及杂质带激发产生光电导的限制，解决了室温下远小于禁带能量光子直接产生光电导这一难题。
　　产生光电导现象的方法主要有导带与价带之间的跃迁、子带之间的跃迁或者杂质带激发，目前人们普遍认为由远小于半导体禁带能量的光子直接激发的室温光电导机制是不可能实现的。中国科学院上海技术物理研究所黄志明研究员团队研究发现并提出一种太赫兹波段室温新光电导现象(见下图)：当外部电磁波(光子)入射到器件上，将在半导体材料中诱导势阱，从而束缚来自于金属中的载流子，使得材料中载流子浓度发生改变。黄志明团队成功制备出相关器件，并通过实验证明了所提出理论的正确性。
　　有关研究结果已于9月1日在线发表在Advanced Materials (DOI:10.1002/adma.)上。此项研究结果证明了远小于禁带能量的光子激发的室温光电导机制，并跳出了传统的基于带间跃迁、子带能级跃迁，以及杂质带激发产生光电导的限制，解决了室温下远小于禁带能量光子直接产生光电导这一难题。它将对半导体、超材料、等离子体和太赫兹低能光子探测产生深远影响。
一种太赫兹波段室温新光电导现象
[来源：中国科学院 ]
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