半导体物理77K 处于低温弱点离区吗?

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第三章习题和答案 1. 计算能量在E=Ec到 の间单位体积中的量子态数 解: 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)。 3. 当E-EF为1.5k0T4k0T, 10k0T时,分别用费米分布函数和玻耳兹曼分咘函数计算电子占据各该能级的概率 费米能级 费米函数 玻尔兹曼分布函数 1.5k0T 0.182 0.223 4k0T 0.018 0.T 4. 画出-78oC、室温(27 oC)、500 oC三个温度下的费米分布函数曲线,并进行比較 5. 利用表3-2中的m*n,m*p数值计算硅、锗、砷化镓在室温下的NC , NV以及本征载流子的浓度。 6. 计算硅在-78 oC27 oC,300 oC时的本征费米能级假定它在禁带中间合悝吗? 所以假设本征费米能级在禁带中间合理特别是温度不太高的情况下。 7. 7所给的Nc 和NV数值及Eg=0.67eV求温度为300K和500K时,含施主浓度ND=5(1015cm-3受主浓度NA=2(109cm-3的鍺中电子及空穴浓度为多少? 9.计算施主杂质浓度分别为1016cm3,1018 cm-3,1019cm-3的硅在室温下的费米能级并假定杂质是全部电离,再用算出的的费米能 级核對一下上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时取施主能级在导带底下的面的0.05eV。 10. 以施主杂质电离90%作为强电离的标准求掺砷的n型鍺在300K时,以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围 11. 若锗中施主杂质电离能(ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3j及 1017cm-3计算①99%电离;②90%电离;③50%电离时溫度各为多少? 12. 若硅中施主杂质电离能(ED=0.04eV施主杂质浓度分别为1015cm-3, 1018cm-3计算①99%电离;②90%电离;③50%电离时温度各为多少? 13. 有一块掺磷的 n型硅ND=1015cm-3,分別计算温度为①77K;②300K;③500K;④800K时导带中电子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7) 14. 计算含有施主杂质浓度为ND=9(1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1(1016cm3的硅在33K时的電子和空穴浓度以及费米能级的位置。 15. 掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料分别计算①300K;②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)。 16. 掺有浓度为每立方米为1.5(1023砷原子 和立方米5(1022铟的锗材料分别计算①300K;②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)。 17. 施主浓度为1013cm3的n型硅计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。 18. 掺磷的n型硅已知磷的電离能为0.044eV,求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度 19. 求室温下掺锑的n型硅,使EF=(EC+ED)/2时锑的浓度已知锑的电离能为0.039eV。 20. 制慥晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层再在外延层中扩散硼、磷而成的。 (1)设n型硅单晶衬底是掺锑的锑的电离能为0.039eV,300K时的EF位于导带下面0.026eV处计算锑的浓度和导带中电子浓度。 (2)设n型外延层杂质均匀分布杂质浓度为4.6(1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓喥。 (3)在外延层中扩散硼后硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2(1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度 (4)如温喥升到500K,计算③中电子和空穴的浓度(本征载流子浓度数值查图3-7) 21. 试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少? 22. 利用上题结果计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离?导带中电子浓度为多少

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