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与SVF10N65F的相关资料现货供应SVF4N65F(TO-220F)高压MOS管 LED电源用 电源适配器用
封装外形：P-DIT/塑料双列直插 型号/规格：SVD4N65F 材料：N-FET硅N沟道 用途：SW-REG/开关电源 品牌/商标：SILAN/士兰微 沟道类型：N沟道 种类：绝缘栅(MOSFET) 导电方式：增强型
dzsc/18/3.jpg电压
杭州昂亿电子科技有限公司
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SBD20C100T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
SVF5N60T/F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
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SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
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SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
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SBD20C45T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，保护环结构可以起到过压保护的作用，并且可以提高产品的可靠性。 .
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SBD10C100T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
SVS7N70M/MJ/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP
MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。
SVS7N65F/D N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP
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SVS7N60D/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP
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SVS6N70M/MJ/D N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP
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加工定制：否品牌/商标：KDS型号/规格：32.768KHZ种类：晶振标称频率：32.768KHZ（MHz）调整频差：20ppm（MHz）温度频差：20ppm（MHz）总频差：20ppm（MHz）负载电容：12.5（pF）负载谐振电阻：30（&O）激励电平：0（mW）基准温度：-20+70（℃）
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