我在电子圈
用LM2596搭的电源，要求是非常抗干扰，请各位大侠给些意见..
最近用LM搭了个电源，输出5V/3A，主要给单片机系统用，环境相当恶劣，在这个系统的同一个电源插座上经常要用电焊机...
下面的图就是我用LM2596搭的电源了，
【图1】9V交流输入后先用一个共模电感去除电源进线干扰，然后用整流、稳压，出来的差不多12V多。
【图2】这部分是按照DataSheet上来的，应该没什么问题。
【图3】3μH电感和180μF电容组成LC滤波改善纹波的，输出后我还加了级共模电感，也算是抗干扰吧...
假设这电路能“顺利”输出5V直流 - -...，然后直接给单片机系统的串口部分供电（串口这部分和单片机采用了6N137光耦隔离）再用这个5V通过1000V隔离5V To 5V【隔离式DC-DC】转换后再给单片机系统供电。
接下去就是百思不得其解的地方了：
1.共模电感的话，我在平时的7805搭的线性稳压电路里用几百μH、10mH、20mH的取值看不出差别在哪..好像都差不多，而且有的是输入时加，输出时不加，而有的是输入输出都有，这个有什么要求呢？
2.输出用的3μH电感和180μF电容，组成的LC滤波，我查了些资料发现要电感小些电容大些，另外据说组成π型滤波效果会更好，那么我就很迷惑了~~目前手头上是适合滤波的低ESR的只有220μF/10V的钽电容，若是要组成π型滤波器该采用哪2个参数何种类型的电容呢？电感值又能“小”到何种程度呢？另外这个滤波器总要有个截止频率吧？一般都是多少Hz呢？
3.TVS的作用在于保护，比如图中那2个，如果是间断性得1500V/1ns的尖脉冲进入该系统，又或是连着个电焊机不间断工作，后方的单片机系统在不使用隔离式DC-DC以及使用隔离式DC-DC的情况下各是怎样的情况呢？毕竟干扰一旦进入系统单片机肯定完蛋...
我在电子圈
1、共磨电感最好在交流变压器前加一个，后面跟两个电容就可以了，不要后面再加浪费，原则是尽量把干扰处理在发生的地方。2、L6不是滤波电感是储能的。C14要并联个高频的电容，L7可选大点mH级。3、D6就没必要了吧，15V根本不工作的。4、既然这么臃肿的话，想办法2596垫高输出电压后面加个LDO，这样效果显著。
我在电子圈
非常感谢！这下豁然开朗了..
我自己都觉得这设计很臃肿了~~~因为刚开始接触开关型的电源，许多部分都从线性电源照搬的...最近研究了下才稍微了解了其工作原理- -...
另外第三部分那个3μH和180μF其实是LM2596的DataSheet里推荐的LC滤波器（这两个数值都买不到）现在准备就用几mH的电感再加个钽电容来试试了。
其实这个电源怕的是尖峰干扰打飞单片机，纹波大一些到是可以忍受的，毕竟有个的LDO在单片机主板上..
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已经有 0 个回答滤波电容用在电源整流电路中
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滤波电容用在电源整流电路中
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楼层直达：
滤波用在电源整流电路中,用来滤除交流成分.使输出的直流更平滑.
去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作.
旁路电容用在有连接时,接在电阻两端使交流信号顺利通过.
1.关于去耦电容蓄能作用的理解
1)去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射.
&&&&&&而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作用,这是第二位的.
&&&& 你可以把总电源看作密云水库,我们大楼内的家家户户都需要供水,
&&&& 这时候,水不是直接来自于水库,那样距离太远了,
&&&& 等水过来,我们已经渴的不行了.
&&&& 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用.
&&&& 如果微观来看,高频器件在工作的时候,其电流是不连续的,而且频率很高,
&&&& 而器件VCC到总电源有一段距离,即便距离不长,在频率很高的情况下,
&&&& 阻抗Z＝i*wL+R,线路的影响也会非常大,
&&&& 会导致器件在需要电流的时候,不能被及时供给.
&&&& 而去耦电容可以弥补此不足.
&&&& 这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一
&& (在vcc引脚上通常并联一个去藕电容,这样交流分量就从这个电容接地.)
2)有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播.去耦电容的主要功能就是提供&&
&&&& 一 个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地
2.旁路电容和去耦电容的区别
&&&& 去耦:去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量.去耦电容还可以为器件&&&& 供局部化的DC电压源,它在减少跨板浪涌电流方面特别有用.
旁路:从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量.这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分,另外还可以提供基带滤波功能(带宽受限).
我们经常可以看到,在电源和地之间连接着去耦电容,它有三个方面的作用:一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声,切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰.
&&&& 在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了.对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling)电容也称退耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象.
高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定.
数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些.每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右.最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感.要使用钽电容或聚碳酸酯电容.去耦电容的选用并不严格,可按C="1"/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF.
补充:电容器选用及使用注意事项:
1,一般在低频耦合或旁路,电气特性要求较低时,可选用纸介、涤纶电容器;在高频高压电路中,应选用云母电容器或瓷介电容器;在电源滤波和退耦电路中,可选用电解电容器.
2,在振荡电路、延时电路、音调电路中,电容器容量应尽可能与计算值一致.在各种滤波及网(选频网络),电容器容量要求精确;在退耦电路、低频耦合电路中,对同两级精度的要求不太严格.
3,电容器额定电压应高于实际工作电压,并要有足够的余地,一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器.
4,优先选用绝缘电阻高,损耗小的电容器,还要注意使用环境.
一、电容
所谓电容,就是容纳和释放电荷的电子元器件.电容的基本工作原理就是充电放电,通交流,隔直流.当然还有整流、振荡以及其它的作用.另外电容的结构非常简单,主要由两块正负电极和夹在中间的绝缘介质组成,所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的.
电容的用途非常多,主要有如下几种:
1．隔直流:作用是阻止直流通过而让交流通过.
2．旁路(去耦):为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路.
3．耦合:作为两个电路之间的连接,允许交流信号通过并传输到下一级电路
4．滤波:这个对DIY而言很重要,显卡上的电容基本都是这个作用.
5．温度补偿:针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响,而进行补偿,改善电路的稳定性.6．计时:电容器与电阻器配合使用,确定电路的时间常数.
7．调谐:对与频率相关的电路进行系统调谐,比如手机、收音机、电视机.
8．整流:在预定的时间开或者关半闭导体开关元件.
9．储能:储存电能,用于必须要的时候释放.例如相机闪光灯,加热设备等等.
二、电容的单位
&& 电容的基本单位是:F (法),此外还有μF(微法)、pF(皮法),另外还有一个用的比较少的单位,那就是:nF(),由于电容 F 的容量非常大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位,而不是F的单位.
他们之间的具体换算如下:
1F＝1000000μF
1μF=1000nF=1000000pF
1nF=1000pF
三、电容的计算方法
1．电容的计算公式
电容器可以充入的电量Q并不是无限的,随着电势差的变化,电量Q也随之增大,对同一个电容器, 是一个与电量、电势差无关的常量,对不同的电容器,电势差增加1伏所需要增加的电量是不同的,也就是 是不同的常数,因此,我们认为 能够反映电容器容纳电荷的能力,并由此定义了一个新的物理量──电容,符号 ,让&&．
① 定义:电容是描述电容器容纳电量特性的物理量．它的大小可用电容器一极的带量
与两极板电势差之比来量度．
② 量度:&&&&
2.电容的阻抗的计算
&&&&交流电是能够通过电容的,但是电容对交流电仍然有阻碍作用.电容对交流电的阻碍作用叫做容抗.电容量大,交流电容易通过电容,说明电容量大,电容的阻碍作用小;交流电的频率高,交流电也容易通过电容,说明频率高,电容的阻碍作用也小.实验证明,容抗和电容成反比,和频率也成反比.如果容抗用X C 表示,电容用C表示,频率用f表示,那么
&&&&&&&&&&
容抗的单位是欧.知道了交流电的频率f和电容C
四、電容的型號命名:
1) 各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成:
第一部分:用字母表示名称,电容器为C.
第二部分:用字母表示材料.
第三部分:用数字表示分类.
第四部分:用数字表示序号.
2) 电容的标志方法:
(1) 直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上.
(2) 文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量.文字符号表示其电容量的单位:P、N、u、m、F等.和电阻的表示方法相同.标称允许偏差也和电阻的表示方法相同.小于10pF的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1pF,C——±0.25pF,D——±0.5pF,F——±1pF.
(3) 色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF.小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示:
颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰
耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V
3) 安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及有身安全.
安规电容安全等级,应用中允许的峰值脉冲电压,过电压等级(IEC664)
X1&&&&&&&& >2.5KV ≤4.0KV&&&&&&Ⅲ
X2&&&&&&&&&&&&&&&&≤2.5KV&&&&&&Ⅱ
X3&&&&&&&&&&&&&&&&≤1.2KV&&&&&&--
&&安规电容的等级制&&&&&&&&&&&& 绝缘类型&&&&&&&&&&&&&&额定电压范围
&&&& Y1&&&&&&&&&&&&&&&&&&双重绝缘或加强绝缘&&&&&&&&&&&&&& ≥250V
Y2&&&&&&&&&&&&&&&&&&基本绝缘或附加绝缘&&&&&&&&&&≥150≤250V
Y3&&&&&&&&&&&&&&&&&&基本绝缘或附加绝缘&&&&&&&&&&≥150≤250V
Y4&&&&&&&&&&&&&&&&&&基本绝缘或附加绝缘&&&&&&&&&&&&&&<250V
Y电容的电容量必须受到限制,从而达到控制在额定频率及额定电压的作用下,流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的.GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1F.Y电容除符合相应的电网电压耐压外,还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安规电容的参数选择.
(4) 进口电容器的标志方法:进口电容器一般有6项组成.
第一项:用字母表示类别:
第二项:用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系.
第三项:温度补偿型电容器的温度特性,有用字母的,也有用颜色的,其意义如下表所示:
序号 字母 颜色 温度系数 允许偏差 字母 颜色 温度系数 允许偏差
1 A 金 +100 R 黄 -220
2 B 灰 +30 S 绿 -330
3 C 黑 0 T 蓝 -470
4 G ±30 U 紫 -750
5 H 棕 -30 ±60 V -1000
6 J ±120 W -1500
7 K ±250 X -2200
8 L 红 -80 ±500 Y -3300
9 M ±1000 Z -4700
10 N ±2500 SL +350~-1000
11 P 橙 -150 YN -800~-5800
备注:温度系数的单位10e -6/℃;允许偏差是 % .
第四项:用数字和字母表示耐压,字母代表有效数值,数字代表被乘数的10的幂.
第五项:标称容量,用三位数字表示,前两位为有效数值,第三为是10的幂.当有小数时,用R或P表示.普通电容器的单位是pF,电解电容器的单位是uF.
第六项:允许偏差.用一个字母表示,意义和国产电容器的相同.
也有用色标法的,意义和国产电容器的标志方法相同.
3． 电容的主要特性参数:
(1) 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围.一般分为3级:I级±5%,II级±10%,III级±20%.在有些情况下,还有0级,误差为±20%.
精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级.
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同.用字母表示:
符&&&&号 B C D F G J K L M N Z
允许误差 ±0.1% ±0.25% ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% ±30% +80%
-20%
(2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压.对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大.
(3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值.温度系数越小越好.
(4) 绝缘电阻:用来表明漏电大小的.一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆.电解电容的绝缘电阻一般较小.相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小.
(5) 损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量.这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗.通常用损耗角正切值来表示.
(6) 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质.在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小.损耗也随频率的升高而增加.另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能.所有这些,使得电容器的使用频率受到限制.
不同品种的电容器,最高使用频率不同.小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ.
五、电容的种类
由于绝缘材料的不同,所构成的电容器的种类也有所不同:
按结构可分为:固定电容,可变电容,微调电容.
按介质材料可分为:气体介质电容,液体介质电容,无机固体介质电容,有机固体介质电容电解电容.
按极性分为:有极性电容和无极性电容. 我们最常见到的就是电解电容.
从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等.
从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等.下面是各种电容的优缺点:
无感CBB电容
2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成.
无感,高频特性好,体积较小
不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差.
2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成.
有感,其他同上.
铁电陶瓷电容容量较大,但是损耗和温度系数较大,适宜用于低频电路.薄瓷片两面渡金属膜银而成.
体积小,耐压高,价格低,频率高(有一种是高频电容)
易碎!容量低
陶瓷电容
用陶瓷作介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜做板极制成.
它的特点是体积小,耐热性能好,损耗小,绝缘电阻高,但容量小,适宜用于高频电路
云母片上镀两层金属薄膜
容易生产,技术含量低.
体积大,容量小,(几乎没有用了)
体积比CBB更小,其他同CBB,有感
两片铝带和两层绝缘膜相互层叠,转捆后浸泡在电解液(含酸性的合成溶液)中.
高频特性不好.
电解电容在电路中的作用 :
1、滤波作用:在电源电路中,整流电路将交流变成脉动的直流,而在整流电路之后接入一个较大容量的电解电容,利用其充放电特性,使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压.在实际中,为了防止电路各部分供电电压因负载变化而产生变化,所以在电源的输出端及负载的电源输入端一般接有数十至数百微法的电解电容．由于大容量的电解电容一般具有一定的电感,对高频及脉冲干扰信号不能有效地滤除,故在其两端并联了一只容量为0.001--0.lpF的电容,以滤除高频及脉冲干扰．
2、耦合作用:在低频信号的传递与放大过程中,为防止前后两级电路的静态工作点相互影响,常采用电容藕合．为了防止信号中韵低频分量损失过大,一般总采用容量较大的电解电容.
用金属钽作为正极,在电解质外喷上金属作为负极.
稳定性好,容量大,高频特性好.
造价高.(一般用于关键地方)
貼片電容
&& 一 NPO电容器(温度补偿贴片单片陶瓷电容器)
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器.它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的. NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一.在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的.其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%.NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好.下表给出了NPO电容器可选取的容量范围.
&&
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.
&&&&二 X7R电容器 (温度稳定型的陶瓷电容器)
&&&&X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器.当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的.
&&&&X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%.
&&&&X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下.它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大.下表给出了X7R电容器可选取的容量范围.
&&&&三 Z5U电容器(“通用”陶瓷电容器)
&&&&Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本.对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%.
&&&&尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.下表给出了Z5U电容器的取值范围.
&&
&&&&Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 +10℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -56%
介质损耗 最大 4%
&&&&四 Y5V电容器 (有一定温度限制的通用电容器)
&&&&Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%.
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器.
Y5V电容器的取值范围如下表所示
&&&&Y5V电容器的其他技术指标如下:
&&&&工作温度范围 -30℃ --- +85℃
&&&&温度特性 +22% ---- -82%
&&&&介质损耗 最大 5%
老兄:你是电容器的使用者吧,主要用在那里.你那里有好多好的资料.谢谢能发给大家.
恩!我这里是不少好资料!只要大家需要,我随时准备奉献,希望大家都踊跃讨论,无论是技术问题还是产品问题!交流沟通是解决问题的好办法!
关于薄膜电容的DV/DT的资料你那里有没有?你需要那方面的资料说话,如果我有我会发给你的.我是生产者.
你能不能发到帖子里面让大家都可以看看呢?
好的,只要大家需要
你好,我现在在焊接电路中遇到了一个问题,就是在芯片旁边的滤波电容采用什么样的滤波电容比较好!是独石电容好,还是钽电容好,还是其他的电容?
另有一种黄色的四方电容直插式的,请问是什么样的电容?
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开关电源滤波高频率低阻抗干扰型47UF100V长寿命电解电容
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低阻抗型XL宽温低E.S.R.品105℃1,000(D&8mm)2,000(D&10mm)开关电源滤波-40～+1056.3～631～15,000影响电解电容寿命的原因分析及对策(1)影响电解电容寿命的因素电解电容广泛应用在电力电子的不同领域，主要是用于平滑、储存能量或者交流电压整流后的滤波，另外还用于非精密的时序延时等。在开关电源的MTBF预计时，模型分析结果表明电解电容是影响开关电源寿命的主要因素，因此了解、影响电容寿命的因素非常重要。1.电解电容的寿命取决于其内部温度。因此，电解电容的设计和应用条件都会影响到电解电容的寿命。从设计角度，电解电容的设计方法、材料、加工工艺决定了电容的寿命和稳定性。而对应用者来讲，使用电压、纹波电流、开关频率、安装形式、散热方式等都影响电解电容的寿命。2.电解电容的非正常失效一些因素会引起电解电容失效，如极低的温度，电容温升（焊接温度，环境温度，交流纹波），过高的电压，瞬时电压，甚高频或反偏压；其中温升是对电解电容工作寿命(Lop)影响最大的因素。电容的导电能力由电解液的电离能力和粘度决定。当温度降低时，电解液粘度增加，因而离子移动性和导电能力降低。当电解液冷冻时，离子移动能力非常低以致非常高的电阻。相反，过高的热量将加速电解液蒸发，当电解液的量减少到一定极限时，电容寿命也就终止了。在高寒地区（一般－25℃以下）工作时，就需要进行加热，保证电解电容的正常工作温度。如室外型UPS，在我国东北地区都配有加热板。电容器在过压状态下容易被击穿，而实际应用中的浪涌电压和瞬时高电压是经常出现的。尤其我国幅员辽阔，各地电网复杂，因此，交流电网很复杂，经常会出现超出正常电压的30%，尤其是单相输入，相偏会加重交流输入的正常范围。经测试表明，常用的450V/470uF 105℃的进口普通2000小时电解电容，在额定电压的1.34倍电压下，2小时后电容会出现漏液冒气，顶部冲开。根据统计和分析，与电网接近的通信开关电源PFC输出电解电容的失效，主要是由于电网浪涌和高压损坏。铝电解电容的电压选择一般进行二级降额，降到额定值的80％使用较为合理。3寿命影响因素分析除了非正常的失效，电解电容的寿命与温度有指数级的关系。因使用非固态电解液，电解电容的寿命还取决于电解液的蒸发速度，由此导致的电气性能降低。这些参数包括电容的容值，漏电流和等效串联电阻（ESR）。参考RIFA公司预计寿命的公式：PLOSS = (IRMS)&sup2;x ESR　（1）Th = Ta + PLOSS x Rth　（2）Lop = A x 2Hours　（3）B =参考温度值（典型值为85℃）A =参考温度下的电容寿命（根据电容器直径的不同而变化）C =导致电容寿命减少一半所需的温升度数从上面的公式中，我们可以明显的看到，影响电解电容寿命的几个直接因素：纹波电流(IRMS)和等效串联电阻值（ESR）、环境温度（Ta）、从热点传递到周围环境的总的热阻（Rth）。电容内部温度最高的点，叫热点温度（Th）。热点温度值是影响电容工作寿命的主要因素。而下列因素又决定了热点温度值实际应用中的外界温度（环境温度Ta）,从热点传递到周围环境的总的热阻（Rth）和由交流电流引起的能量损耗（PLOSS）。电容的内部温升与能量损耗成线形关系。电容充放电时，电流在流过电阻时会引起能量损耗，电压的变化在通过电介质时也会引起能量损耗，再加上漏电流造成的能量损耗，所有的这些损耗导致的结果是电容内部温度升高。3.1、设计上考虑因素在非固态电解液的电容里，电介质为阳极铝箔氧化层。电解液作为阴极铝箔和阳极铝箔氧化层之间的电接触。吸收电解液的纸介层成为阴极铝箔与阳极铝箔之间的隔离层，铝箔通过电极引接片连接到电容的终端。通过降低ESR值，可减少电容内由纹波电流引起的内部温升。这可通过采用多个电极引接片、激光焊接电极等措施实现。ESR值和纹波电流决定了电容的温升。促使电容能有满意的ESR值的主要措施之一是：通常用一个或多个金属电极引接片连接外部电极和芯包，降低芯包和引脚之间的阻抗。芯包上的电极引接片越多，电容的ESR值越低。借助于激光焊接技术，可在芯包上加上更多的电极引接片，因此使电容能达到较低的ESR值。这也意味着电容能经受更高的纹波电流和具有较低内部温升，也就是说更长的工作寿命。这样做也有利于提高电容抗击震动的能力，否则有可能导致内部短路、高的漏电流、容值损失、ESR值的上升和电路开路。通过对电容芯包和铝壳底部之间良好的机械接触及通过芯包中间的热沉，可将电容内部热量有效地从铝壳底部释放到与之联接的底板。内部热传导设计对于电容的稳定性和工作寿命极其重要。在EvoxRifa公司的设计中，负极铝箔被延长到可直接接触电容铝壳厚的底部。这底部就成为芯包的散热片，以使热点的热量能释放。如选用带螺栓安装方式，安全地将电容安装到底板上（通常为铝板），可得到更为全面的具有较低热阻（Rth.）的热传导解决方案。通过采用整体绕注有电极的酚醛塑料盖和双重的特制的封垫与铝壳紧密咬合，可大大减少电解液的损失。电解液通过密封垫的蒸发决定了长寿命的电解电容工作时间。当电容的电解液蒸发到一定程度，电容将最终失效（这个结果会因内部温升而加速）。Evox Rifa公司设计的双层密封系统可减缓电解液蒸发速度，使电容达到其最长的工作寿命。以上这些特性保证了电容在要求的领域中具有很长的工作寿命。3.2、影响寿命的应用因素根据寿命公式，可以得出影响寿命的应用因素为：纹波电流(IRMS)、环境温度（Ta）、从热点传递到周围环境的总的热阻（Rth）。1.纹波电流纹波电流的大小，直接影响电解电容内部的热点温度。查询电解电容的使用手册，就可以得到纹波电流的允许范围。如果超出范围，可以采用并联方式解决。2.环境温度（Ta）和热阻（Rth）根据热点温度的公式，铝电解电容的应用环境温度也是重要因素。在应用时，可以考虑环境散热方式、散热强度、电解电容与热源的距离、电解电容的安装方式等。电容器内部的热量，总是从温度最高的&热点&向周围温度相对较低的部分传导。热量传递的途径有几种：其一是通过铝箔和电解液传导。如果电容被安装在散热片上，一部分热量还将通过散热片传递到环境中。不同的安装方式和间距和散热方式都将影响电容到环境的热阻。从&热点&传递到周围环境中的总热阻用Rth 来表示。采用夹片安装，将电容安装在热阻为2℃/W的散热片上，所得到的电容热阻值Rth　=　3.6℃/W；采用螺栓安装方式，将电容安装在热阻为2℃/W散热片上、强迫风冷速率为2m/s时，所得到的电容热阻值Rth　=　2.1℃/W。（以PEH200OO427AM型电容为例，环境周围温度为85℃）。另外将延长的阴极铝箔与电容器铝壳直接接触，也是很好的降低热阻的方法。同时应注意铝壳会因此带负电，不能作负极连接。电容必须正确安装才能达到它的设计工作寿命。例如：RIFA　PEH169系列和PEH200系列应该竖直向上安装或者水平安装。同时确保安全阀朝上，这样热的电解液及蒸气才能在电容失效的情况下，从安全阀顺利排出。当电容排列很紧凑时相邻电容间至少应留出5mm的间隔以保证适量的空气流动。使用螺栓安装时，螺母扭矩的控制非常重要。如果拧得太松，则电容与散热片间就不能紧密接触；如果拧得太紧，又可能使螺纹损坏。同时应注意电容器不应倒置安装，否则可能造成螺栓的折断。电容安装时应尽量远离发热元件，否则过高的温度会缩短电容器的使用寿命，从而使得电容器成为整个电路中寿命最短的部件。在环境温度较高的情况下，尽量采用强迫风冷，将电容安装在进风口处。3.频率的影响若电流由基频和多次谐波构成，则须计算每次谐波产生的功率损耗值，并将计算结果相加以求得总损耗值。在高频应用中，电容两端引线应尽量短以减小等效电感。电容的谐振频率(fR)，因电容器种类不同而不同。对于焊片式和螺栓连接式铝电解电容，谐振频率在1.5kHz至150kHz之间。如果电容器在高于谐振频率时使用，对外特性呈感性。4　结语综上所述，在避免非正常失效的情况下，选择正确的应用条件和环境，电解电容的寿命是可以保障的。&
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东莞市科尼盛电子有限公司主要从事的产品有全系列铝电解电容（高频低阻电解电容、中高压电解电容、铅笔型电解电容、无极性NP音响铝电解电容、超长寿命电解电容、低漏电电解电容、闪光灯电解电容、超小型电解电容、CD普通标准品），全系列安规电容（Y1、Y2、X1-MKP、X2-MKP）聚酯膜电容器和聚丙烯膜电容器（CL11、CH11、CL20、CL21、CL21X、CL233X校正电容器，CL21B、CBB20、CBB21、CBB21B、CBB22、CBB13、CBB61、CBB81等），陶瓷电容(Y1,Y2交流陶瓷电容)。公司现有产品已经全部通过欧盟ROHS认证,17P化学原料认证，欧盟REACH38项指令认证,适用欧盟最新检验标准。
1.电解电容生产工厂成立于1997年，是专业从事铝电解电容器产品生产、销售的高新技术企业，拥有自主品牌“KnsCha&”,“H.Y&”等，并为多家知名铝电解电容生产厂商代工高压系列电解电容。我工厂主要产品有贴片状、超小型、标准型、无极性、低漏电流、高频低阻、长寿命、轴向型、焊针型、螺钉型等系列电容器,产品直径从φ4mm～φ35mm，容量从0.1uF-22000uFuF，电压从6.3V-450V，额定温度-40℃~+135℃、负荷寿命5000小时、8000小时、10000小时等，电解电容规格齐全，月产量为一亿只。由我们自主研发生产的高频低阻抗电解电容广泛应用于知名节能灯和LED电光源镇流器工厂。其中高压铝电解电容具有高频低损耗，长寿命特点，产品质符合GB、IEC、JIS标准，可替代进口的电容器。
2.薄膜电容工厂成立于2000年，是一家专业生产薄膜电容，安规电容，陶瓷电容的工厂。拥有自主品牌KnsCha。工厂专业技术人员主要来自行业内知名台日资企业；主要原材料购于日本TORAY、韩国SKC、德国STA等国际知名电容器材料厂家。主要产品有：金属化聚酯膜电容器（CL20轴向穿心电容器,MEA，MET，CL21，CL21X超小型薄膜电容器,CL21B盒式薄膜电容,CL233X校正电容器，MEF，MEB，MER），金属箔式聚酯膜电容(CL11涤纶电容,CH11麦拉电容器,PEI,CL11A玻璃电容,PEI,PEN)，金属化聚丙烯膜电容（CBB20轴向穿心电容,MPA，MPT，CBB21,CBB21B盒式薄膜电容,CBB22,CBB24,CBB28,CBB90轴向穿心电容,CBB61启动马达交流电容，CBB60,CBB65,CBB81高压电容，CBB81X,CBB80灯具电容,CBB81B,CBB82,CBB85,CBB88,CBB91模块吸收电容,CBB93大电流电容,CBB94GTO吸收电容,PPS,MPB），金属箔式聚丙烯膜电容(CBB13,CBB18电光源电容，PPN,)，抑制电磁干扰电容（X2，X1-MKP安规电容，Y1,Y2电容，X2Y2，RC组件），中高压陶瓷电容（Y1，Y2交流安规陶瓷电容，瓷片电容SL，Y5P，Y5V）。安规电容通过了美国UL，德国VDE，加拿大CSA，中国CCEE，挪威NEMKO，瑞典SEMKO，丹麦DEMKO，芬兰FIMK等多国认证。
　　KnsCha公司依据ISO9001质量管理体系和ISO14001环境管理体系执行生产管理。我们坚持以信誉为本，以技术为第一生产力，以市场为导向，持续改善，永续发展，所有产品性能可靠、规格齐全；工厂配套能力强、服务优良，赢得了中外客户的广泛信赖和好评。
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