用实验装置能否测量霍尔元件工作原理的灵敏度k?...

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2011-10-03 01:16 标签： 霍尔元件工作原理
实验14 霍尔元件灵敏度测定及应用_百度文库
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实验14 霍尔元件灵敏度测定及应用
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在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件(如图)，在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压UH，称为霍尔电压．
(1)电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高？
(2)试证明：，K为与材料有关的常量．
(3)为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法？
在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件(如图)，在E、F间通人恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压UH，称为霍尔电压。 （1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高? （2）试证明： ，K为与材料有关的常量。 （3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法?[
在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压UH ，称为霍尔电压。 （1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高? （2）试证明： ，K为与材料有关的常量。 （３）为了提高霍尔元件的灵敏度,可采用哪些方法？
(19分)在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件(如图)，在E、F间通人恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压UH，称为霍尔电压。（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高?（2）试证明： ，K为与材料有关的常量。（3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法?[&
(19分)在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件(如图)，在E、F间通人恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压UH，称为霍尔电压。（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高?（2）试证明：，K为与材料有关的常量。（3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法?[
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（物理实验报告）霍尔元件基本参数测量
李强.doc4页
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山东理工大学物理实验报告
预习分 课堂分 报告分 总成绩 实验名称：霍尔组件基本参数测量
学号：0座机电话号码6
时间代码：06378 实验序号：20 院系：一年级工作部 专业： 理工 级.班： 教师签名： 李
强 仪器与用具：TH-H霍尔效应实验组合仪
实验目的：1、了解霍尔效应实验原理
2、学习“对称法”消除副效应影响的方法
3、测量霍尔系数、确定样品导电类型、计算霍尔组件灵敏度等
实验报告内容（原理预习、操作步骤、数据处理、误差分析、思考题解答）
【实验原理】：
通有电流IS的半导体薄片置于与它垂直的磁场B中，在薄片的两测就会产生电势差UH―霍尔电势差，这种现象叫霍尔效应。
霍尔效应产生的原因，是因为形成电流的载流子在磁场中运动时，受到洛沦兹力F qv×B的作用,正、负电荷在样品两测边界聚集，形成横向电场EH―霍尔电场，产生霍尔电势差UH。
载流子除受到洛沦兹力F qv×B的作用外，还受横向电场力Fe eEH的作用，当受到洛沦兹力与横向电场力大小相等时，即 eEH qv×B 4.7.1
样品两测边界聚集的电荷不再变化，达到平衡。
样品中电流强度：
IS nevbd 4.7.2
样品中横向电场Eh可认为是匀强电场，则有： UH Ehb
RH （4.7.3）
基本参数：
霍尔系数RH 霍尔系数定义： RH 由材料的性质 载流子密度 决定,反映材料的霍尔效应强弱。 由（4.7.3）得 RH 上式提供了测量霍尔系数RH的方法。
2、根据RH的符号判断样品导电类型N、P 半导体材料有N型和P型两种，将测的UH、IS、B带入 RH 得数为正时，样品为P型半导体，得数为正时，样品为P型半导体。
物理实验中心
实验名称：霍尔组件基本参数测量 姓名：李
昊 时间代码：0座机电话号码6
3、件的灵敏度K K 霍尔元件的灵敏度
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