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【图文】3 场效应管放大电路及多级放大电路_百度文库
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3 场效应管放大电路及多级放大电路
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关于场效应管的等效电路问题
//h.baidu.jpg" />我知道Ugs在恒流区是能控制Ids:///zhidao/wh%3D600%2C800/sign=eefedfbbc//zhidao/pic/item/acb7d0acbefaab://h,但是为什么Ids与Ugs的系数比是gm(跨导)啊.baidu.hiphotos.jpg" esrc="/zhidao/wh%3D450%2C600/sign=a2de5277a8fee4f88bb0/acb7d0acbefaab.jpg" target="_blank" title="点击查看大图" class="ikqb_img_alink"><img class="ikqb_img" src="http.hiphotos<a href="http
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跨导放大器的增益(该放大器输入电压变化时。在转移特性曲线上就是一个电路单元的输出电流与该单元的输入电压的比值,跨导为曲线的斜率,跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用,这个电路单元通常指放大器。 在MOS管中,输出电流将随之线性变化)
如图,在恒流区时,UGS之间的电压与Ids是呈指数变化的并不是简单的gm(切线)关系啊
gm等于△Id与△UGS之比,正像你说的UGS之间的电压与Ids是呈指数变化的并不是简单的线性关系。这就意味着gm并不是常数(与三极管的电流放大系数β不一样),Id的值越大则gm值也越大。 一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 ------请参考!
我追问的时候也说过是切线关系。。但是为什么就那么肯定比例系数是跨导呢?难道是测得的??
gm不是测得,gm是定义的。
可能是我没说清楚吧。。gm我知道是定义的。。我想说的是Ids=gm*Ugs这个关系是怎么得出来的。。看图我个人感觉看不出来
gm由定义得到的。
那么Ids=gm*Ugs这个关系是怎么得出来的?
因为gm等于△Id与△UGS之比
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β=Δic&#47,所以定义了跨导;Δib,BJT是电流控制电流元件;Δugs:gm=Δid&#47,共射电流放大倍数定义为;而FET是电压控制电流元件跨导就是一个定义.这个可以从BJT中类比过来
那R1不是直接接地的吗? 等效线路是针对交流信号而言,而电源对于交流信号而言是与地通的(即短路)故输入阻抗=R3+R1//R2 (MOS管输入阻抗高
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出门在外也不愁一个场效应管放大电路!_百度知道
一个场效应管放大电路!
  如下图:  场效应管:场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。[1]尽管由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。
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baidu:ID=0。电压放大倍数AU=-Rl`*gm3DJ6的gm=1豪伏/伏,所以在转移特性曲线上。<img class="ikqb_img" src="http://b,接D级一端为正极.hiphotos,其中电路元件参数。Q点参数.hiphotos,电源电压ED=20伏静态工作点,RD=100K欧姆,接地端为负极.baidu:C1=0.hiphotos.7微法50伏电解电容。源极负载线与转移特性的交点Q就是场效应管的静态工作点,UGS=-0.25伏
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出门在外也不愁帮我设计一个12v直流变高频交流的电路图.用场效应管.越简单越好_百度知道
帮我设计一个12v直流变高频交流的电路图.用场效应管.越简单越好
我有更好的答案
要帮忙吗。看你蛮着急的.。
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  驱动电路由缓冲器U、电阻R2 及1 对小功率场效应对管Q1 、Q2 组成。当控制信号为低电平时,同向缓冲器U 输出低电平,使得与+ 9 V电源相联的P沟道Q2 导通,与地相联的N 沟道场效应管Q3截止,绝缘栅场效应管Q1的栅极为高电平, N 沟道绝缘栅场效应管Q1导通;当控制信号为高电平时, 同向缓冲器U 输出高电平, 使得与+ 9 V电源相联的P沟道场效应管Q2 截止,与地相联的N 沟道场效应管Q3导通,绝缘栅场效应管Q1 的栅极为低电平, 绝缘栅场效应管Q1管截止。电阻R2是集电极开路同向缓冲器U 的上拉电阻。
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