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楼主| 高级工程师(2624) |
主题: &【龙腾原创】一步一步计算正激有源钳位及同步整流（完结附华为资料）
很多电源工程师继《》反激设计之后，希望再来深入一些的，呵呵～～&
勉为其难，再加上本人学识有限，这一次不能抛砖引玉了，不加“详解”了，只能抛石子引玉了，估计下次再谈全桥之类的，只能抛砂子了；
不过相信会有更多的实践者来给我补充的，也顺便让我再温习一下以前的调试经验。
废话好多，正式开始，慢慢讲解如何设计，有任何技术问题可以随时打断，我将尽力来进行解答。
大家一起努力!!
1楼|&高级工程师 (2624) |
正激拓扑： 个人理解就是一个隔离降压变压器，外加 buck 电路
同步整流：就是同步 buck
这里同步整流以自驱为本，讲解
================================================
Vin: 输入电压
Cin: 输入滤波电容
C & : 钳位电容
SW1: 主开关管，C1、D1 分别为寄生电容和寄生体二极管
SW2: 复位开关管(钳位开关管)，C2、D2 分别为寄生电容和寄生体二极管
SW3、SW4: 同步整流管, D3、D4 分别为寄生体二极管
T1: 主变压器，初级匝数 N，次级接成中心抽头方式，匝数 N1+N1
LF: 输出励磁电感
CF: 输出滤波电容
Vf: 同步整流管 SW3、SW4 的正向压降
K: 主变压器 T1 的耦合系数
3楼|&本网技工 (163) |
期待后续详解，顶！
85楼|&工程师 (498) |
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86楼|&工程师 (498) |
| 最新回复 18:18
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5楼|&本网技工 (105) |
期待啊，有没有新的改进啊，如开关管的型号和新技术的加入？？？
14楼|&高级工程师 (2624) |
新的改进，真得不知道。
不过开关管的新技术发展，更加有利于电源效率的提高，及功率密度的提高
51楼|&工程师 (846) |
楼主讲的详细，具体。很好。
6楼|&工程师 (1030) |
12楼|&高级工程师 (2624) |
不好意思，全家都生病了～～～
9楼|&助理工程师 (345) |
有源钳位加同步整流，电源效率可以轻松做到90%。自驱同步整流适用于低输出电压，如果输出电压高达24V，除了采用专用的次级同步整流控制芯片，请问楼主还有好的方法？
13楼|&高级工程师 (2624) |
一般来说，同步整流，对于输出电压太高的话，不适合用（个人不建议）
输出电压高的话，也可以采取自驱模式，只不过输出的变压器需要增加抽头，还适合 MOS 的 Vgs 电压
79楼|&助理工程师 (303) |
在副边再加一个绕组用来作同步驱动绕组，为啥要在输出上取电压。
2楼|&工程师 (846) |
跟的楼主学学。
15楼|&高级工程师 (2624) |
大家一起学习，互相沟通，共同进步！
4楼|&副总工程师 (5166) |
等待楼主完善资料，辛苦了
7楼|&工程师 (546) |
16楼|&高级工程师 (2624) |
不好意思，之前只是列了个提纲，尽快将这个提纲变成丰满的文字给大家（有时码字挺累的，而且还可能出现错误！）
8楼|&高级工程师 (2073) |
10楼|&高级工程师 (2624) |
正激有源钳位电路，将会包括：主开关管 SW1, 复位开关管 SW2，复位电容 C，变压器 T1 等计算和选择
1. 主开关管 SW1 的参数计算
& &1.1 SW1 的 Vds 的计算&& & & &
& & &&&Vin 从最小值到最大值变化时，Vds1 的最大值 Vds1（max）,作为选择SW1的依据之一，考虑裕量，选取 Vds 的最大值应≥ 1.5 Vds1(max)的MOSFET
& &1.2 &SW1 的 Ids 电流计算
& & & 同样可算出 ID1最大值，实际选取ID≥ 2.0XID1max 的MOSFET，但有时为提高效率，在成本增加不多的情况下，可选用ID更大的MOSFET
& &1. 3 SW1 的其它参数
& & & &其它指标：Cgs 应尽量小，Cds 的大小应由试验来确定，过大的Cds会增加SW1的导通损耗，过小则增大其关断损耗。可在外部并一电容方法来调节，使整个损耗最小
11楼|&高级工程师 (2624) |
2 复位开关管SW2 的功能
& & & &SW2 的作用主要是形成一个双向开关，一方面 SW1导通时，对SW1的Vds电压进行钳位；另一方面，当 SW1截止时，使得电容C与L产生谐振，对变压器T1进行复位
& 2.1 SW2 的Vds 电压计算
& & & &SW2 和SW1在稳态工作时，最高电压是相等的(出现在不同的占空比时),但考虑另一种情况，在非稳态(开机、关机过程中)，由于导通脉宽可能很宽或很窄，使得SW1、SW2上的电压出现较高尖峰。因此，实际应选择V≥2Vds2(max)的 MOSFET
& &2.2 SW2 的Id 电流计算
& & & &SW2 实际选择 Id ≥2Ids2(max)的MOSFET
& &2.3 SW2 的其它参数
& & &1) 导通时间尽量小
& & &2) 输入电容尽量小，C2根据实际情况调整，以使整个有源钳位电路工作的损耗最小为宜，较大的C2将会使SW2，SW1的Vds 尖峰减小，但过大则会加重开关损耗
18楼|&专家 (41250) |
这句不对吧，sm1导通时，对sm1电压进行钳位。。。导通电压就是零了，怎么钳位？
19楼|&高级工程师 (2869) |
顺便请教个问题：
如果用普通的384x做有源钳位正激的控制IC，有没有什么办法控制PWM死区时间？
20楼|&专家 (41250) |
要做应该也可以吧，问题是都有专门的ic了，找那种麻烦干什么
21楼|&高级工程师 (2869) |
最近在研究仿真，想试试能不能用384x搭建一个有源钳位正激出来，验证一下
22楼|&专家 (41250) |
呵呵，那你可以用p管做下钳位，驱动用rc延时整形做延时，用上钳位就是驱动取反同样道理做延时，只是猜想不只是否可行。
23楼|&高级工程师 (2869) |
好的，多谢提醒
68楼|&高级工程师 (2869) |
28楼|&高级工程师 (2624) |
用P管做下钳位仿真还可以；
真实产品中，基本上还是不用下钳位的，多还是N管的上钳位；毕竟 P管不好找呀！
30楼|&高级工程师 (2869) |
嗯，我在simplis的原件库里，找到了一颗IRF6217（专为ACF下钳位设计的P 管），目前开环已经OK了，闭环还存在问题，关键点波形符合理论值，输出3.3V-30A，输出电压太低，闭环不好做
31楼|&专家 (41250) |
是，管子不好找，优点是驱动好做。
61楼|&高级工程师 (2624) |
附上高边钳位与低边钳位的特性比较，与大家分享
80楼|&助理工程师 (303) |
谁说的 你看看LM5025 LM5027 LM5041B& N管驱动你准备怎么搞& 自举电容& 我没用过这芯片&
27楼|&高级工程师 (2624) |
专用的 IC 是有，从 UCC3580 到 UCC289X，但我了解的国内通信电源制造商使用的还是很少，即没听过量产的
不过从 UCC3580 的 application notes 可以更深入地学习有源钳位(active clamp)。
36楼|&本网技工 (105) |
还有没有更好的芯片啊？专用有源钳位正激变换器的？？、、、、
40楼|&高级工程师 (2624) |
专用的，而且算是新的是 TI UCC2897APWR
正激拓扑市场上产品就相当的少了；有源钳位那是相当的少； 你看看我在世纪这里的贴子，就明白了
flyback 拓扑还是市场上的主流
44楼|&本网技工 (146) |
前段时间评估了我们公司以前做的一款1/4正激有源钳位模块，采用的是以前NS公司（现在也属于TI了）的LM5025，发现在过流、短路、空开关机方面还是有不少问题；
我司的这个模块采用的就是低边钳位，P管也不是太难找吧。
另外楼主所说的，SW2在SW1导通时钳位，个人不敢认同额，钳位主要就是为了钳住SW1关断时的应力，实际上SW2的钳位以及对变压器的复位都是在SW1关断后完成的。
60楼|&高级工程师 (2624) |
其实钳位和复位，你将电路换成 RCD 吸收，最好是 TVS + diode 的吸收。这样对你比较熟
TVS + diode 做 snubber circuit 的，你分析啥时 TVS 工作，钳位电压等于 TVS 的电压
62楼|&专家 (41250) |
SW1导通的时候，怎么钳位？是不是关断的时候？
64楼|&高级工程师 (2624) |
&如果是 RCD吸收时， 给C充电，是在 SW1 导通时，还是关断时？ 你在好好考虑分析一下
67楼|&本网技工 (163) |
LM5025是有这些问题，你可以选用LM5025B，相信会有所改善的，至于你说的空开关机问题，指的应该是副边同步整流管和续流管的电应力有问题吧？
26楼|&高级工程师 (2624) |
不知道近年是不是有改进，不过改进的可能性不会很大；后续我会分享一些 华为和中兴 的电路供大家参考学习！
25楼|&高级工程师 (2624) |
谢谢你的指正，不过这个还真没错
一般钳位工作，是在主管 SW1 导通时；而关断时，就是复位；你可以仔细再想一想！ 呵呵～～
17楼|&高级工程师 (2624) |
&3 &钳位电容C
& &作用是储能，并向变压器T1的复位提供能量
& 3.1 电压的计算
& & 求得最大值 Vc(max)，实际选择(1.5~2.0)Vc(max)作为耐压选择的最低值。
& 3.2 容量的确定
& & 电容C容量原则上只有下限值，无上限值，C的容量下限值应满足：
& & C&&C2， 一般情况可取 C=(50~200)C2
& 3.3 钳位电容容量的影响
& & 电容大，SW1上相对应的电压应力就小，同时动态变差
& & 电容小，SW1上相对应的电压应力就大，同时动态较好
53楼|&工程师 (1521) |
大和小是个模糊的概念。
记得TI的文档有过提示，就是通过钳位电容上的纹波大小来选择合适的容量。
54楼|&高级工程师 (2624) |
本话题是针对有一定经验基础的，所以 ... ... 你懂的
TI 以及很多论文里，都有这个钳位电容的计算公式，但根据公式计算出来的，都与实际差别很大
我这里就是以前调试时，总结出来的经验分享给大家
24楼|&高级工程师 (2624) |
4 变压器 T1 的计算
& 4.1 匝比的计算
& &针对DC/DC通信模块的正激设计，通常工作频率比较高(200~500kHz)，此时一般初级匝数较少，所以可直接选定次级匝数N1，然后通过匝比推算初级匝数N。匝比计算公式：
Dmax 为最大占空比，Vin(min)为最低输入电压，Vo(max)为输出电压最高值最大占空比由设计根据需要选定，实际匝比要考虑裕量，应比实际计算值约小
& &针对AC/DC级的正激，工作频率相对比较低，此时我们可以先确定初级匝数N，然后通过匝比，来推算次级匝数N1，初级匝数计算公式：
& 4.2初级电感量的计算
& & &由于有源钳位电路为正、反激组合方式。因此，实际计算时，电感量的计算同反激式电路的计算相同，由于正激式电路在兼顾主功率管损耗的情况下，如果磁芯不饱和，电感量可以任意选择。从而，电感量主要由反激部分确定，可按上述原则经过试验调整
& & &初级电感应在满足反激储能的前题下，尽量选大，故初级电感量主要由输出功率决定，输出功率越大，初级电感量应越小，具体设计方法参见反激交换器中的变压器电感量的计算方法。
& 4.3磁芯的选择
& & &这点主要是针对二次电源模块而言的，由于工作频率较高(200~500kHz)，因此磁芯材料可选铁氧体材料，如 3F3、PC40、以及国产R2KX等材质，外形为减小辐射，最好选用类似RM、PQ或罐形
& & &由于有源钳位变压器磁芯工作在磁滞回线的一、三象限。因此，变压器工作状态类似于全桥电路。
& & &设计时应满足以下两个条件：
& & &1) SW1 导通区间，最大占空比时，变压器T1不进入饱和状态
& & &2) SW1 截止区间，变压器T1不进入反向饱和状态
&实际磁芯大小的确定应留有裕量，可以根据试验加以确定，以效率最高，温升最低为宜。
29楼|&本网技工 (138) |
赞！感谢楼主无私分享，建立楼主能发一些关键点的测试波形就更好了！
33楼|&高级工程师 (2624) |
这个主意很不错，希望哪位能补充分享一下 正激有源钳位及同步整流的波形 与大家共同学习
我现在只是一个小业务员，手上没有 DC source，也不能进行测试分享给大家
52楼|&工程师 (1521) |
TI不是有很多UCC289X的技术文档吗？去下载一个就是的。
55楼|&高级工程师 (2624) |
是，也有翻过 TI UCCx 以及 3580 等文档以及 application notes，但波形等基本上都没有，多是理论上的东西，分享这些目的还是以实践为主的
我现在电源方面主要推广销售 ST VIPer53DIP(针对这玩意所有波形都可以随时测的)，针对 DC-DC brick power 以及以前涉及的 AC-DC全桥等电源波形都没有记录的，所以也不能分享给大家，也算是遗憾
这里只是开个头，希望大家能分享和补充 &
32楼|&高级工程师 (2624) |
5 同步整流MOSFET的选择
& &自驱动同步整流电路设计较简单，主要为MOSFET的选择，主要指标及原则：
& 5.1 &MOSFET的G-S的最大耐压，主要根据输入电压最高值，最低值及占空比来确定，可由以下方式求得：& &
此式可确定SW4的G-S电压，选取SW3的VDS=(2.2~3)Vgs(max)的MOS
得出SW3的G-S电压，SW4的DS电压，选取VDS4=(2.2-3)Vgs3(max)的MOSFET
& 5.2 MOSFET的导通电阻Rds(on)
& & &原则上Rds(on)越小越好，但应在成本与性能之间权衡，同时也应考虑到Rds(on)的降低往往意味着驱动损耗的增加。所以，具体的Rds(on)选取应由实验来最终确定。
34楼|&高级工程师 (2624) |
6 输出励磁电感LF的选择
& &由于有源钳位相当于正，反激组合式电路，对正激式电路励磁电感LF不可缺少，另一方面，对应于反激电路，LF不应存在，同时兼顾正、反激特性，具体数值由试验确定。
应在电路稳定工作的前提下，尽量增大LF。
69楼|&本网技工 (176) |
你好，能讲下，这个励磁电感的Vo是电源输出电压还是变压器输出电压啊？它是接在变压器后面，按理应该要以变压器输出电压来计算吧！del I一般的取值大约是多少啊？
71楼|&高级工程师 (2624) |
Vo 是输出电压
ΔI 一般取值 10～30% Io
73楼|&本网技工 (176) |
那正激变压器输出电压，应该是经过励磁电感通过占空比导通后得到的Io输出了？
正激的输出电压是等于电源输出电压Io+Id+IL的吗？ &Id为二极管压降，IL为励磁电感压降。是这样认为 的吗？
75楼|&高级工程师 (2624) |
电压有 V 表示，你这样让我很混乱
静态时，把它们等效成一个闭环，你可以理解一下，变压器输出是电压源，其它都是消耗电压的，闭环的电压应该等于0
可以参考 《电路基础》应该叫 戴维南定律吧？！
35楼|&高级工程师 (2624) |
7 输出滤波电容CF的选择
& &CF原则上是在考虑ESR的基础上容量越大越好，但实际设计时应考虑成本、体积的限制，以正确选择，并由试验确定。
到这里，正激有源钳位及自驱同步整流的计算过程就全部完成了；
37楼|&工程师 (546) |
ΔI 是纹波系数吗？如果是电流的话就有单位了！
如果是纹波电流的话，分母上面单位就是V,下面单位就是A2
38楼|&专家 (41250) |
纹波系数是没有单位的。
70楼|&本网技工 (176) |
这个输出滤波电容的取值能讲下计算过程的吗？谢谢！
72楼|&高级工程师 (2624) |
如果电源输出负荷从空载加载到半载，Overshoot voltage 限制在 5%以下
此时: Iomax =50% Io
&&&&&&& Iomin = 0
&&&&&&& Vos = (1+5%)xVo
参考如下公式：
74楼|&本网技工 (176) |
这个输出电容的容量怎么计算了？
39楼|&高级工程师 (2624) |
华为 HGH50-48S05 功率板及相应的 BOM，因某些原因，控制板就不能贴了
46楼|&工程师 (1521) |
完整的图贴出来啊！公司都做到了那么大，还怕人抢到生意了。
另外看到有报道，不是说你们现在的模块不是数字电源吗？
50楼|&高级工程师 (2624) |
你说得很有道理，应该全贴出来，呵呵～～～
不过这种模拟电路的，基本上，大家看了相应的电路，基本上都能估出来相应的参数
模块虽说有数字化方向发展，主要是指这样二次模块再向下一级的模块，多是 5V 3.3V 转 2.5 1.0 0.8 的次级模块，多相控制的 DC2DC，以非隔离为主
41楼|&高级工程师 (2624) |
华为 HGH100-48S05 电源，正激有源钳位及自驱同步整流 功率原边及控制电路
此处元件参数因某些原因掩去了，不过懂技术的人，可以补上，这些就应该与我无关了吧？
43楼|&高级工程师 (2869) |
Q3产生死区？
48楼|&高级工程师 (2624) |
Q3 是产生反向 PWM， 会有一点 deadtime 调节作用
45楼|&工程师 (1521) |
这张应该是早期的，也有同步整流，不过不是有源钳位。
49楼|&高级工程师 (2624) |
呵呵～～ 是比较早 2002年的
不过我贴的比 2002 年还要早一些(时间基本上差不多)，后面的规范标准都依据这些的
56楼|&本网技师 (210) |
，小凡凡怎样理解有源钳位和同步整流？
57楼|&工程师 (1521) |
我不是做模块的，理解有限。但根据公开的资料：
1、占空比可以大于50%，这可以有效的降低原边电流；
&&&&& （不同于反激，正激次边的有效电流本来就相对小）
2、有较宽的输入电压范围；
&&&&& （一般可以达到2:1，极端情况下也有3:1、4:1的输入范围）
3、为续流管提供了相对完美的自驱信号；
&&&&&& （能够提供可靠自驱信号的拓扑并不多，另外一个好像是不对称半桥）
4、ZVS操作，适宜高频应用（似乎有些争议）；
&&&&&&& （这个需要核实，也可能是有源钳位正激的输入电压本来就低）
5、除了QR反激的部分特性较为接近，几乎再没拓扑能够有简单实现上述特性。
&&&& （&更多的时候是拿LLC、不对称半桥与有源钳位比较，其实不科学）
当然，有源钳位正激也有缺点，至少高压应用还不广泛，缺点不是很清楚。
58楼|&高级工程师 (2624) |
总结很全面，也有高压应用的，市面上见的会比较少
自驱同步整流与它驱同步整流，主要还是看副边绕组的波形是否干净；还有输出“空载”，同步整流MOS的驱动电压的建立
同步整流这一部分，现在算是很成熟
附上： 绕组复位，RCD复位，有源钳位的比较&
59楼|&工程师 (1521) |
真的可以大幅度降低开关损耗吗?
类似于QR反激、LLC那样？
63楼|&高级工程师 (2624) |
是可以降低相应的损耗的
象 QR 那样在Vds近似零电压时主管 SW1 打开
附上相应的 Ip，Vds，driver &波形图
81楼|&助理工程师 (303) |
啥都木有啊
42楼|&本网技工 (146) |
哈哈！给力，坐等楼主更新！！
47楼|&工程师 (1046) |
65楼|&高级工程师 (4750) |
请问华为资料在哪里
66楼|&高级工程师 (2624) |
呵呵～～ 看贴不仔细，就是冲着可下载的资料来的吧？
上面贴图部分的电路及部分电路的详细BOM都是华为的
76楼|&工程师 (497) |
你也代理这类IC吗
77楼|&高级工程师 (2624) |
这个不代理，电源类只有一颗
78楼|&本网技工 (142) |
谢谢楼主讲解，加油！
82楼|&本网技工 (142) |
想请教楼主一个问题，看到一篇关于移相全桥的同步整流方案专利，副边是全波整流，两个同步整流管的导通时间是有交叠的，但是又记得在网上看过说要避免共通和电流逆流，到底是能不能共通呢？
84楼|&助理工程师 (303) |
能 我以前看过波形 你可以看DS波形GS不准确，管子烫得吓死你。烧了一会儿管子就炸了，换了两次，最后改了同步整流的匝比。
83楼|&助理工程师 (303) |
NCP1282 高压有源嵌位 可以做到500V& 为嘛Vin1脚和2脚的焊盘距离才0.68mm的 我自己花的封装 这么小 可以吗？
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