发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。
　　发光二极管的反向击穿电压约5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流。限流电阻R可用下式计算：
　　R＝（E－UF）／IF
　　式中E为电源电压，UF为LED的正向压降，IF为LED的一般工作电流。
　　发光二极管与小白炽灯泡和氖灯相比，发光二极管的特点是：工作电压很低（有的仅一点几伏）；工作电流很小（有的仅零点几毫安即可发光）；抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长；通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。由于有这些特点，发光二极管在一些光电控制设备中用作光源，在许多电子设备中用作信号显示器。把它的管心做成条状，用7条条状的发光管组成7段式半导体数码管，每个数码管可显示0～9十个数目字。发光二极管图形符号如下图所示：
　　2.4发光二极管主要参数及其特点
　　2.4.1发光二极管正向电压VF
　　正向电压指LED通过的正向电流为规定值时，正、负极之间产生的电压降，用符号VF表示。我司常用的贴片发光二极管正向电压为2.0V-3.5V，超过了正常工作电压，二极管可能被击穿。此外，在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。
　　2.4.2发光二极管正向电流IF
　　正向电流指LED在正常工作时的电流，一般普通发光二极管的工作电流很小，只有10mA-45mA。在电压增加时，电流会有很大程度的上升，所以一般发光二极管都串接有保护电阻，下图是发光二极管的伏安特性曲线：
　　2.4.3发光二极管反向电压VR
　　反向电压指LED两端所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。我司常用的发光二极管最大反向电压一般为5V。
　　2.4.4发光二极管最大功耗PD3
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二极管参数大全
　　二极管参数大全　　CT---势垒电容　　Cj---结（极间）电容， ；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容　　Cjv---偏压结电容　　Co---零偏压电容　　Cjo---零偏压结电容　　Cjo/Cjn---结电容变化　　Cs---管壳电容或封装电容　　Ct---总电容　　CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比　　CTC---电容温度系数　　Cvn---标称电容　　IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流　　IF（AV）---正向平均电流　　IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。　　IH---恒定电流、维持电流。　　Ii--- ；发光二极管起辉电流　　IFRM---正向重复峰值电流　　IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）　　Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流　　IF(ov)---正向过载电流　　IL---光电流或稳流二极管极限电流　　ID---暗电流　　IB2---单结晶体管中的基极调制电流　　IEM---发射极峰值电流　　IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流　　IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流　　ICM---最大输出平均电流　　IFMP---正向脉冲电流　　IP---峰点电流　　Ⅳ---谷点电流　　IGT---晶闸管控制极触发电流　　IGD---晶闸管控制极不触发电流　　IGFM---控制极正向峰值电流　　IR（AV）---反向平均电流　　IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。　　IRM---反向峰值电流　　IRR---晶闸管反向重复平均电流　　IDR---晶闸管断态平均重复电流　　IRRM---反向重复峰值电流　　IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）　　Irp---反向恢复电流　　Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流　　Izk---稳压管膝点电流　　IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流　　IZSM---稳压二极管浪涌电流　　IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流　　iF---正向总瞬时电流　　iR---反向总瞬时电流　　ir---反向恢复电流　　Iop---工作电流　　Is---稳流二极管稳定电流　　f---频率　　n---电容变化指数；电容比　　Q---优值（品质因素）　　δvz---稳压管电压漂移　　di/dt---通态电流临界上升率　　dv/dt---通态电压临界上升率　　PB---承受脉冲烧毁功率　　PFT（AV）---正向导通平均耗散功率　　PFTM---正向峰值耗散功率　　PFT---正向导通总瞬时耗散功率　　Pd---耗散功率　　PG---门极平均功率　　PGM---门极峰值功率　　PC---控制极平均功率或集电极耗散功率　　Pi---输入功率　　PK---最大开关功率　　PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率　　PMP---最大漏过脉冲功率　　PMS---最大承受脉冲功率　　Po---输出功率　　PR---反向浪涌功率　　Ptot---总耗散功率　　Pomax---最大输出功率　　Psc---连续输出功率　　PSM---不重复浪涌功率　　PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率　　RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻　　RBB---双基极晶体管的基极间电阻　　RE---射频电阻　　RL---负载电阻　　Rs(rs)----串联电阻　　Rth----热阻　　R(th)ja----结到环境的热阻　　Rz(ru)---动态电阻　　R(th)jc---结到壳的热阻　　r ；δ---衰减电阻　　r(th)---瞬态电阻　　Ta---环境温度　　Tc---壳温　　td---延迟时间　　tf---下降时间　　tfr---正向恢复时间　　tg---电路换向关断时间　　tgt---门极控制极开通时间　　Tj---结温　　Tjm---最高结温　　ton---开通时间　　toff---关断时间　　tr---上升时间　　trr---反向恢复时间　　ts---存储时间　　tstg---温度补偿二极管的贮成温度　　a---温度系数　　λp---发光峰值波长　　△ ；λ---光谱半宽度　　η---单结晶体管分压比或效率　　VB---反向峰值击穿电压　　Vc---整流输入电压　　VB2B1---基极间电压　　VBE10---发射极与第一基极反向电压　　VEB---饱和压降　　VFM---最大正向压降（正向峰值电压）　　VF---正向压降（正向直流电压）　　△VF---正向压降差　　VDRM---断态重复峰值电压　　VGT---门极触发电压　　VGD---门极不触发电压　　VGFM---门极正向峰值电压　　VGRM---门极反向峰值电压　　VF（AV）---正向平均电压　　Vo---交流输入电压　　VOM---最大输出平均电压　　Vop---工作电压　　Vn---中心电压　　Vp---峰点电压　　VR---反向工作电压（反向直流电压）　　VRM---反向峰值电压（最高测试电压）　　V（BR）---击穿电压　　Vth---阀电压（门限电压、死区电压）　　VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）　　VRWM---反向工作峰值电压　　V v---谷点电压　　Vz---稳定电压　　△Vz---稳压范围电压增量　　Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压　　av---电压温度系数　　Vk---膝点电压（稳流二极管）　　VL ---极限电压
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其他2条回答
哈哈，就二极管就分N多种，我试着看一下回答：二极管的极电容
　　我们知道二极管具有容易从P型向N型半导体通过电流,而在相反方向不易通过的的特性。这两种特性 合起来就产生了电容器的作用,即蓄积电荷的作用。蓄积有电荷,当然要放电。放电可以在任何方向 进行。而二极管只在一个方向有电流流过这种说法,严格来说是不成立的。这种情况在高频时就明显 表现出来。因此,二极管的极电容以小为好。
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hchuanlei 手不释卷在他那有全部参数，进去就能看！
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