半导体是什么意思中的P型和N型杂质的区别是什么？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2011-10-20 01:50 标签： 半导体是什么意思
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P型衬底进行N型掺杂，P型衬底的掺杂浓度高低跟N型的扩散速率有关系吗？
P型衬底进行N型掺杂，P型衬底的掺杂浓度高低跟N型的扩散速率有关系吗？有知道的大虾来讲讲呢！先谢谢了。
半导体学过吗？
LSD想说什么呢？你懂就发表意见。
肯定是有影响的，我不知道我这么分析对不对啊2 {* d/ i# O1 D5 H
P中的多子是空穴，N是电子。在本征情况下，P型，N型中多子的浓度与少子的浓度的乘积为定值。
如果P中空穴浓度高，那么P重电子的浓度就很低，N型反之。它们放到一起，根据浓度扩散的规律，浓度差越大，扩散越快。
学习了* Q&&Q! E+ n3 j
谢谢，，，
原帖由 nidon2003 于
13:30 发表 , {* V( b0 T/ o, w, a& P/ o
肯定是有影响的，我不知道我这么分析对不对啊
P中的多子是空穴，N是电子。在本征情况下，P型，N型中多子的浓度与少子的浓度的乘积为定值。. h5 v& s&&c3 y2 w3 x5 I$ h
如果P中空穴浓度高，那么P重电子的浓度就很低，N型反之。它们放到一起，根 ... 6 V: m3 T&&f5 Q( o
好像没有说到重点上，楼主的意思是衬底杂质的浓度高低是否对N型杂质的扩散速度产生影响！
对扩散速率应该是没有影响的，但P型杂质浓度比N型杂质浓，应该不会形成PN结，不知道楼主为啥要这么做？
楼主可以做一个simulation，就可以看出一般情况下N型杂质的扩散速率跟衬底的浓度关系不大，如果衬底P型浓度达到E19次方以上，对N型的扩散速率可能有点影响。
衬底浓度不同扩散系数有所不同
LZ好:就p(硼)型衬底掺入N(磷)型杂质.不同的衬底浓度时它的扩散系数是有区别的,大约是这样的.设衬底浓度为Cb,设扩散系数为D时.
1)&&Cb=5E18.&&D=5E-12Cm2/s
2)&&Cb=5e19.&&D=5.5E-12Cm2/s
3)&&Cb=5e20.&&D=2E-11Cm2/s9 z+ _&&Q" V- Z/ n- X+ A
不同杂质不同杂质浓度扩散系数并不线性,同是N型杂质Sb与P它们的扩散系数差别很大,望LZ根据实际需要做选择,谢谢!
原帖由 张旭东 于
14:40 发表 7 P. S- a5 ~3 J4 p
LZ好:就p(硼)型衬底掺入N(磷)型杂质.不同的衬底浓度时它的扩散系数是有区别的,大约是这样的.设衬底浓度为Cb,设扩散系数为D时.
1)&&Cb=5E18.&&D=5E-12Cm2/s
2)&&Cb=5e19.&&D=5.5E-12Cm2/s/ _) s" I) _" ^7 X$ i
3)&&Cb=5e20.&&D=2E-11Cm ...
感谢大虾的解释！一语中的，谢谢！
衬底浓度越大，掺杂速度越快吧。衬底杂质浓度越高，缺陷越大，扩散越容易。个人认为, H; s, C- S$ r& v
在硅超大规模集成电路工艺技术这本书中讲到：Fick定律关于浓度的扩散修正。有一个表格在浓度由低到高，掺杂材料的扩散速率（cm2s-1）是增加的。
书上这么说的 杂质较难扩散到高掺杂沉底中去。
衬底杂质浓度越高&&扩散系数越小
不错，学习了、
实话实话 节目 现在开始
衬底中参杂浓度越高，就是说：衬底中加入了更多的P型原子，造成了更严重的晶格畸变；当往衬底中再加入N型原子时就是扩散，扩散的机理是因为浓度高的地方的晶格畸变大于浓度低的地方，材料整体上是往能量最低的方向发展，原子（其实是电子在前，离子在后）才会往浓度低的地方前进，而衬底的晶格畸变越大，原子就会难于扩散，所以，如果衬底中本身的晶格畸变月大，N型扩散率就会越小' }/ u' R7 N&&Z) a* V+ J1 I% W: f
即：P型衬底的掺杂浓度越高跟N型的扩散速率越低，具体关系肯定不是线性的
相同时间相同浓度的N型参杂，在N型衬底中表面层浓度高，结深浅；在P型衬底中，表面层浓度低，结深深。 相对而言的。
各种解释，
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下述说法中，正确的是(
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只
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提问人：匿名网友
发布时间：
下述说法中，正确的是(&&)。&&(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好&&(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电&&(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去，大大提高了半导体导电性能&&(D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
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图形验证：
验证码提交中……对于第一自然段中的，这个话的意思是咧如在一个p型半导体中加入……杂质，使其变成n型半导体，而原来的p型半导体不是全变成n型半导体，而是pn各占一半，因此他们俩的交界面处形成pn结。对吗？请问大家
不是这个意思。 如果你觉得我的回答比较满意，希望你给予采纳，因为解答被采纳是我们孜孜不倦为之付出的动力！
可以给我讲讲吗，先谢了
PN结（PN junction），一块半导体晶体一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，中间二者相连的接触面称为PN结（英语：pn junction）。 PN结是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。
在加入杂质前，这个半导体晶体可以是p型半导体，或者是n型半导体是吧？？我大概理解了，如果有一个n型半导体，就在这个半导体的局部，加入杂质使这n型半导体的一部分变成p型的，然后两者的过渡部分就是pn结对吗？？
含少数自由电子的半导体称N型半导体，含少数空穴的半导体，称P型半导体，这都是可以通过参杂不同的杂志做成。两种半导体拼在一起，就是一个PN结啦。
那我说的对吗，
不全对。你还是应该多看看这方面的书籍。
那哪个地方不对了，
你是说pn结的形成是由两个p，n型半导体结合而成？
我想问一下你，你是怎样理解我发的图片，第一自然段的？拜托了
我们知道在纯硅中掺入不同的杂质可以形成P型或者N型半导体，一小块N型半导体和另一块P型半导体结合在一起，就是一个PN结，简单的二极管。不掺杂质的P型或N型半导体并不多见。通常也不是在N型半导体通过掺杂变成P型半导体。你多看看书就自然明白了，也许你甚至可以找到我有什么地方可能说错了。网络上的知识也不是全对。
含少数自由电子的半导体称N型半导体，含少数空穴的半导体，称P型半导体，，我对你这句话有的疑问
这个，没有说错。祝你学习进步！
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