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CEG8205 资料标题简介
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
CEG8205 资料关键信息
20V, 4.5A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40mW @VGS = 2.5V. Super High dense cell design for extremely
low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TSSOP-8 for Surface Mount Package.
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