【led 封装】LED封装技术(超全面)_牛宝宝文章网【led 封装】LED封装技术(超全面)专题：LED照明技术陕西科技大学 电气与信息工程学院 王进军第六章 LED封装技术6.1 概述 6.2 LED的封装方式 6.3 LED封装工艺 6.4 功率型LED封装关键技术 6.5 荧光粉溶液涂抹技术6.6 封胶胶体设计6.7 散热设计§6.1 概述一、封装的必要性 LED芯片只是一块很小的固体，它的两个电极要在显 微镜下才能看见，加入电流之后他才会发光。 在制作工艺上，除了要对LED芯片的两个电极进行焊 接，从而引出正极、负极之外，同时还需要对LED芯片和 两个电极进行保护。§6.1 概述二、封装的作用 研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新 型LED走向实用、走向市场的产业化必经之路. LED技术大都是在半导体分离器件封装技术基础上发 展与演变而来的。 将普通二极管的管芯密封在封装体内，起作用是保护芯片和完成电气互连。§6.1 概述二、封装的作用对LED的封装则是：? 实现输入电信号、? 保护芯片正常工作、? 输出可见光的功能，其中既有电参数又有光参数的设计及技术要求。§6.1 概述三、LED封装的方式的选择LED pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此并不是芯片产生的所有光都可以发射出来。能发射多少光，取决于半导体材料的质量、芯片结构、几何形状、封装内部材料与包装材料。因此，对LED封装，要根据LED芯片的大小、功率大小来选择合适的封装方式。§6.2 LED的封装方式常用的LED芯片封装方式包括：? 引脚式封装? 平面式封装? 表贴封装? 食人鱼封装? 功率型封装§6.2 LED的封装方式一、LED封装的发展过程§6.2 LED的封装方式二、小功率LED封装 常规小功率LED的封装形式主要有：? 引脚式封装；? 平面式封装；? 表面贴装式SMD LED；? 食人鱼Piranha LED；§6.2 LED的封装方式1. 引脚式封装 （1）引脚式封装结构 LED引脚式封装采用引线架作为各种封装外型的引脚 ，常见的是直径为5mm的圆柱型（简称Φ 5mm）封装。§6.2 LED的封装方式1、引脚式封装 （2）引脚式封装过程（Φ5mm引脚式封装）① 将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上（一般称为支架）；② 芯片的正极用金属丝键合连到另一引线架上； ③ 负极用银浆粘结在支架反射杯内或用金丝和反射杯引脚相连；§6.2 LED的封装方式1、引脚式封装 （3）引脚式封装原理④ 然后顶部用环氧树脂包封，做成直径5mm的圆形外形反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光，向期望的方向角内发射。§6.2 LED的封装方式1、引脚式封装（3）引脚式封装原理顶部包封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种作用：① 保护管芯等不受外界侵蚀；② 采用不同的形状和材料性质（掺或不掺散色剂）起透镜或漫射透镜功能，控制光的发散角。§6.2 LED的封装方式2、平面式封装（1）原理平面式封装LED器件是由多个LED芯片组合而成的结构型器件。通过LED的适当连接（包括串联和并联）和合适的光学结构，可构成发光显示器的发光段和发光点，然后由这些发光段和发光点组成各种发光显示器，如数码管、“米”字管、矩阵管等。§6.2 LED的封装方式2、平面式封装（2）结构§6.2 LED的封装方式3、表贴式封装表面贴片LED（SMD）是一种新型的表面贴装式半导体发光器件，具有体积小、散射角大、发光均匀性好、可靠性高等优点。其发光颜色可以是白光在内的各种颜色，可以满足表面贴装结构的各种电子产品的需要，特别是手机、笔记本电脑。§6.2 LED的封装方式3、表贴式封装§6.2 LED的封装方式4、食人鱼式封装（1）结构§6.2 LED的封装方式4、食人鱼式封装（2）优点为什么把着这种LED称为食人鱼，因为它的形状很像亚马孙河中的食人鱼Piranha 。食人鱼LED产品有很多优点，由于食人鱼LED所用的支架是铜制的，面积较大，因此传热和散热快。LED点亮后， pn结产生的热量很快就可以由支架的四个支脚导出到PCB的铜带上。§6.2 LED的封装方式4、食人鱼式封装 （2）优点 食人鱼LED比φ 3mm、φ 5mm引脚式的管子传热快，从 而可以延长器件的使用寿命。 一般情况下，食人鱼LED的热阻会比φ 3mm、φ 5mm管 子的热阻小一半，所以很受用户的欢迎。§6.2 LED的封装方式三、功率型封装 功率型LED是未来半导体照明的核心，大功率LED有? 大的耗散功率， ? 大的发热量，? 以及较高的出光效率，? 长寿命。§6.2 LED的封装方式三、功率型封装大功率LED的封装不能简单地套用传统的小功率LED的封装，必须在：? 封装结构设计；? 选用材料； ? 选用设备等方面重新考虑，研究新的封装方法。§6.2 LED的封装方式三、功率型封装 目前功率型LED主要有以下6种封装形式： 1. 沿袭引脚式 LED封装思路的大尺寸环氧树脂封装§6.2 LED的封装方式三、功率型封装 2. 仿食人鱼式环氧树脂封装§6.2 LED的封装方式三、功率型封装 3. 铝基板（MCPCB）式封装§6.2 LED的封装方式三、功率型封装 4. 借鉴大功率三极管思路的TO封装§6.2 LED的封装方式三、功率型封装 5. 功率型SMD封装§6.2 LED的封装方式三、功率型封装 6. L公司的Lxx封装§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺五大物料晶片 支架 銀膠 金線 環氧樹脂 銲線 封膠 切腳 測試 固晶五大製程§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 1. 主要工艺§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 1. 主要工艺§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺2. 主要工艺说明（1）芯片检验用显微镜检查材料表面? 是否有机械损伤及麻点；? 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求；? 电极图案是否完整。§6.3 LED封装工艺（2）扩片由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。 也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等 不良问题。§6.3 LED封装工艺2. 主要工艺说明（3）点胶在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。? 对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。? 对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺2. 主要工艺说明（3）点胶工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银 胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺2. 主要工艺说明（4） 备胶和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺2. 主要工艺说明（5）手工刺片将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。§6.3 LED封装工艺2. 主要工艺说明（6）自动装架自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤：? 先在LED支架上点上银胶（绝缘胶），? 然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置， ? 再安置在相应的支架位置上。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺2. 主要工艺说明（6） 自动装架自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片 表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢 嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。§6.3 LED封装工艺2. 主要工艺说明 （7）烧结 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控 ，防止批次性不良。 银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时。 根据实际情况可以调整到170℃，1小时。 绝缘胶一般150℃，1小时。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 2. 主要工艺说明 （7）烧结 银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或1小时） 打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。 烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 2. 主要工艺说明（8）压焊压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作。LED的压焊工艺有两种：? 金丝球焊? 铝丝压焊§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 2. 主要工艺说明（8）压焊1）铝丝压焊过程：? 先在LED芯片电极上压上第一点，? 再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。2）金丝球焊过程：在压第一点前先烧个球，其余过程类似。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 2. 主要工艺说明 （8）压焊 压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要 监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。 对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金（ 铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀（钢嘴）选用、 劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺2. 主要工艺说明（9）点胶封装 ：TOP-LED和Side-LED适用点胶封装。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺2. 主要工艺说明（9）点胶封装点胶封装基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型，选用结合良好的环氧和支架。（一般的LED无法通过气密性试验）§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 2. 主要工艺说明 （9）点胶封装 手动点胶封装对操作水平要求很高（特别是白光LED ），主要难点是对点胶量的控制，因为环氧在使用过程中 会变稠。 白光LED的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问 题。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺2. 主要工艺说明（10）灌胶封装Lamp-LED的封装采用灌封的形式，灌封的过程是：? 先在LED成型模腔内注入液态环氧， ? 然后插入压焊好的LED支架，放入烘箱让环氧固化后， ? 将LED从模腔中脱出即成型。§6.3 LED封装工艺2. 主要工艺说明（11）模压封装① 将压焊好的LED支架放入模具中， ② 将上下两副模具用液压机合模并抽真空， ③ 将固态环氧放入注胶道的入口加热， ④ 用液压顶杆压入模具胶道中， ⑤ 环氧顺着胶道进入各个LED成型槽中并固化。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 2. 主要工艺说明 （12）固化与后固化 固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在 135℃，1小时。 模压封装一般在150℃，4分钟。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 2. 主要工艺说明 （12）固化与后固化 后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老 化。 后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘接强度非常 重要。 一般条件为120℃，4小时。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 2. 主要工艺说明 （13）切筋和划片 由于LED在生产中是连在一起的（不是单个），Lamp 封装LED采用切筋切断LED支架的连筋。 SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机来完成分 离工作。§6.3 LED封装工艺一、引脚式封装工艺 2. 主要工艺说明 （14）测试 测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户 要求对LED产品进行分选。 （15）包装 将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装。§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （1）金相显微镜§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （2）晶片扩张机§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （3）点胶机§6.3 LED封装工艺（3）点胶机点胶机和固晶机一样，精度要求高，这样才能有效的控制胶量。胶量如果太多，芯片贴上去后就容易让多余的胶挤压出，阻挡和吸收的芯片周围的发光，而且对反射杯壁发射出的光吸收，影响了光亮度；如果胶量太少，特别是进入焊线的工序时，使得芯片从杯底脱落，就会引起死灯、漏电等等而造成次品。§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （4）背胶机§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （5）固晶机§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （5）固晶机 LED的晶粒放入封装位置的精确与否影响整件封装器 件的发光效能，若晶粒在反射杯内的位置有所偏差，光线 未能完全发射出来，影响成品的光亮度。 因此，固晶机必须选择高精度的固晶机，最好是拥有 先进的预先图象识别系统。§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （6）焊线机§6.3 LED封装工艺（6）焊线机 焊线机在用之前，要调好1焊和2焊的功率，温度，压 力；以及超声波的温度，功率。 让这些参数能够让金线承受5g的拉力。 这样才不会让以后的烘烤工序因为物质的膨胀系数不同而导致金线断裂或者脱焊。§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （7）灌胶机§6.3 LED封装工艺（7）灌胶机 灌胶机的针头必须都是保持在同一水平的位置，而且 漏胶的通道不能有渣滓，而且密封的很好，针头也必须隔 段时间进行清理。 由于封装后所形成的是由环氧树脂形成的一层光学“ 透镜”，倘若这层透镜中混有杂质就会使得出光效率不好 ，而且光斑中也会有黑点。§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （8）烤箱§6.3 LED封装工艺（8）烤箱 烤箱必须是循环风，而且烤箱的隔层的托盘必须是保 持水平的。 在做白光LED的时候，点好的荧光粉必须要在烤箱内 烤干，但是如果不是循环风和隔层的托盘，烤出的荧光粉 分布不均匀，造成光斑的不均匀，还有可能造成荧光粉的 溢出。§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （9）液压机§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （10）切脚机§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （11）测试机§6.3 LED封装工艺3. 封装设备 （12）分光分色机§6.3 LED封装工艺二、SMD LED封装工艺§6.3 LED封装工艺二、SMD LED封装工艺§6.3 LED封装工艺三、Display LED封装工艺§6.3 LED封装工艺三、Display LED封装工艺§6.3 LED封装工艺四、食人鱼LED封装工艺1. 选定食人鱼LED的支架根据每一个食人鱼管子要放几个LED芯片，需要确定食人鱼支架中冲凹下去的碗的形状大小及深浅。§6.3 LED封装工艺四、食人鱼LED封装工艺2. 清洗支架3. 将LED芯片固定在支架碗中4. 经烘干后把LED芯片两极焊好5. 根据芯片的多少和出光角度的大小，选用相应的模粒。食人鱼LED封装模粒的形状是多种多样的，有Φ 3mm圆头和Φ 5mm圆头，也有凹型形状和平头形状，根据出光角度的要求可选择相应的封装模粒。§6.3 LED封装工艺四、食人鱼LED封装工艺 6. 在模粒中灌满胶，把焊好LED芯片的食人鱼支架对准模粒 倒插在模粒中。 7. 待胶干后（用烘箱烘干），脱模即可 8. 然后放到切筋模上把它切下来 9. 接着进行测试和分选。§6.3 LED封装工艺五、功率型封装1、L型电极的大功率LED芯片的封装美国GREE公司的1W大功率芯片（L型电极）封装结构中上下各有一个电极。§6.3 LED封装工艺五、功率型封装 1、L型电极的大功率LED芯片封装 ① 首先在SiC衬底镀一层金锡合金（一般做芯片的厂家已镀好），② 然后在热沉上同样也镀一层金锡合金，③将LED芯片底座上的金属和热沉上的金属熔合在一起，称为共晶焊接。§6.3 LED封装工艺五、功率型封装 1、L型电极的大功率LED芯片的封装 这种封装方式，一定要注意当LED芯片与热沉在一起加热时，二者要接触好，最好二者之间加有一定压力，而且二者接触面受力均匀，两面平衡。控制好金和锡的比例，这样焊接效果才好，这种方法做出来的LED的热阻较小、散热较好、光效较好。§6.3 LED封装工艺五、功率型封装 1、L型电极的大功率LED芯片的封装 这种封装方式上下两面输入电流，如果与热沉相连的 一极是与热沉直接导电的，则热沉也成为一个电极。 使用这种LED要测试热沉是否与其接触的一极是零电 阻，若为零则是连通的。 因此连接热沉与散热片时要注意绝缘，而且要使用导 热胶把热沉与散热片粘连好。§6.3 LED封装工艺五、功率型封装2、V型电极的大功率LED芯片的封装两个电极的p极和n极都在同一面§6.3 LED封装工艺五、功率型封装 2、V型电极的大功率LED芯片的封装 对V型电极的大功率LED芯片的衬底通常是绝缘体（如蓝宝石）。而且在绝缘体的底层外壳上一般镀有一层光反射层，可以使射到衬底的光反射回来，从而让光线从正面射出，以提高光效。§6.3 LED封装工艺五、功率型封装 2、V型电极的大功率LED芯片的封装 这种封装应在绝缘体的下表面用一种（绝缘）胶把LED芯片与热沉粘合，上面把两个电极用金丝焊出。在封装V型电极大功率LED芯片时，由于点亮时发热量比较大，可以在LED芯片上涂一层硅凝胶，而不可用环氧树脂，这样：§6.3 LED封装工艺五、功率型封装 2、V型电极的大功率LED芯片的封装 一方面可防止金丝热膨胀冷缩与环氧树脂不一致而被 拉断； 另一方面防止因温度高而使环氧树脂变黄变污，结果 透光性能不好。 所以在制作V型电极大功率LED时应用硅凝胶调和荧 光粉。§6.3 LED封装工艺五、功率型封装3、V型电极的大功率LED芯片倒装封装（1）理论基础光线由一种介质进入另一种介质时，入射光一部分被折射，另一部分被反射。若光线由光密介质（折射率n1）射向光疏介质（折射 率n2），当入射角（i1） 大于全反射临界角（ic）时，折 射光线消失，光线全部被反射。§6.3 LED封装工艺五、功率型封装 3、V型电极的大功率LED芯片倒装封装 （1）理论基础 ic=Sin-1n2/n1 n2 ＜ n1，若n2与n1的数值相差越大，则全反射临界 角（ic）越小，光线越容易发生全反射现象。§6.3 LED封装工艺五、功率型封装 3、V型电极的大功率LED芯片倒装封装 （2）正装的LED芯片GaN类正装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为：有源层（n=2.4）→环氧树脂（n=1.5）→空气（n=1）。§6.3 LED封装工艺五、功率型封装 3、V型电极的大功率LED芯片倒装封装 （2）倒装的LED芯片§6.3 LED封装工艺五、功率型封装3、V型电极的大功率LED芯片倒装封装（2）倒装的LED芯片GaN类倒装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为 ：有源层（n=2.4）→蓝宝石（n=1.8）→环氧树脂（ n=1.5）→空气（n=1）； 采用倒装芯片封装的LED的出光效率比正装芯片要高。§6.3 LED封装工艺五、大功率封装 4、集成LED芯片封装§6.3 LED封装工艺五、功率型封装 4、集成LED芯片封装 使用单层或双层铝基板作为热沉，把单个芯片或多个芯片用固晶胶直接固定在铝基板（或同基板）上，LED芯片的p和n两个电极则键合在铝基板表层的薄铜板上。根据所需功率的大小确定底座上排列LED芯片的数目，可组合封装成1W、2W、3W等高亮度的大功率LED。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程 1. 预期准备 （1）芯片检验： 用显微镜检查材料表面：? 是否有机械损伤及麻点、 ? 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 ? 电极图案是否完整。§6.3 LED封装工艺1. 预期准备 （2）扩片： 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0. 1mm，不利于后工序操作，采用扩片机对勃结芯片的膜进 行扩张，使LED芯片与芯片的间距拉伸到约0. 6mm。也可 以采用手工扩张。 （3）清洗: 采用超声波清洗LED支架，并烘干。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程 2. 操作步骤 （1）点胶：将胶体点在支架杯体里，必须? 要点在杯体的正中间， ? 而且胶量要适当， ? 胶量根据芯片的面积的大小来规定，其标准为芯片面积的2/3。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程 2. 操作步骤 （1）点胶 胶体在这里是起个粘合剂的作用，也就是将芯片固定 在支架内。 因为蓝色的高亮度芯片是双电极的，我们就用绝缘胶 来固定。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程2. 操作步骤（2）贴片：将扩张后的芯片安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶 笔将管芯一个一个安装在LED支架相应的焊盘上。 芯片一定要很妥当的置于杯正中间，若芯片有偏置就 会导致光斑的不均匀，从而影响LED的平均光强。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程2. 操作步骤（3）烘烤：将半成品放入烤箱内，烤箱温度为1500C，烘烤1小时。 （4）焊线： 用金丝焊机将电极连接到LED管芯上，以作电流注入的 引线。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程 2. 操作步骤 （4）焊线： 在压第一点前先烧个球，再将金丝拉到相应的支架上 方，压上第二点后扯断金丝。 工艺上主要需要监控的是压焊金丝拱丝形状，焊点形 状，拉力。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程 2. 操作步骤 （5）点荧光粉： 将荧光粉抽掉真空后，然后用注射器均匀的点在杯内 。 （6）烘烤：放入120度的烤箱，烘烤15-20分钟。 （7）抽真空：将封装用的胶（AB胶）抽真空。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程 2. 操作步骤 （8）灌胶：? 先在LED成型模腔内注入液态树脂，? 然后插入压焊好的LED支架，? 放入烘箱让树脂固化后，将LED从模腔中脱出即成型。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程2. 操作步骤（9）烘烤：前固化是指密封树脂的固化，一般固化条件在1350C， 1小时。后固化是为了让树脂充分固化，同时对LED进行热老化。后固化对于提高树脂与支架的粘接强度非常重要。一 般条件为1200C，4小时。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程 2. 操作步骤 （10）脱模： （11）质检：用肉眼直接的检测，测出死灯。 （12）裁切： 由于LED在生产中是连在一起的（不是单个），LED 采用切筋切断LED支架的连筋。分为前切和后切。§6.3 LED封装工艺六、白光LED封装一般工艺流程 2. 操作步骤 （13）分光： 测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户 要求对LED产品进行分选。 （14）包装： 将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装。§6.4 功率型LED封装关键技术一、照明领域对半导体LED光源的要求 传统LED的光通量与白炽灯和荧光灯等通用光源相比 ，距离甚远。 LED要进入照明领域，首要任务是将其发光效率、光 通量提高至现有照明光源的等级。 由于LED芯片输入功率的不断提高，对功率型LED的 封装技术提出了更高的要求。§6.4 功率型LED封装关键技术一、照明领域对半导体LED光源的要求针对照明领域对光源的要求，照明用功率型LED的封 装面临着以下挑战： ① 更高的发光效率； ② 更高的单灯光通量； ③ 更好的光学特性（光指向性、色温、显色性等）； ④ 更大的输入功率；§6.4 功率型LED封装关键技术一、照明领域对半导体LED光源的要求 ⑤ 更高的可靠性（更低的失效率、更长的寿命等）； ⑥ 更低的光通量成本。 这些挑战的要求在美国半导体照明发展蓝图中已充分 体现（见下表）。 我们可以通过改善LED封装的关键技术，来逐步使之 实现。§6.4 功率型LED封装关键技术一、照明领域对半导体LED光源的要求§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率 1. 提高发光效率的途径 LED的发光效率是由芯片的发光效率和封装结构的出 光效率共同决定的。 提高LED发光效率的主要途径有：① 提高芯片的发光效率；§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率 1. 提高发光效率的途径 ② 将芯片发出的光有效地萃取出来； ③ 将萃取出来的光高效地导出LED管体外； ④ 提高荧光粉的激发效率（对白光而言）； ⑤ 降低LED的热阻。§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率2. 芯片的选择LED的发光效率主要决定于芯片的发光效率。随着芯片制造技术的不断进步，芯片的发光效率在迅速提高。目前发光效率高的芯片主要有：① HP公司的TS类芯片、②③CREE公司的XB类芯片、WB（wafer bonding）类芯片、§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率2. 芯片的选择 ④ ⑤ ⑥ ITO类芯片、 表面粗化芯片 倒装焊类芯片等等。 可以根据不同的应用需求和LED封装结构特点，选 择合适的高发光效率的芯片进行封装。§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率3. 出光通道的设计与材料选择芯片选定之后，要提高LED的发光效率，能否将芯片发出的光高效地萃取和导出，就显得非常关键了。 （1）光的萃取§6.4 功率型LED封装关键技术3. 出光通道的设计与材料选择 （1）光的萃取由于芯片发光层的折射率较高（GaN n=2.4，GaPn=3.3），如果出光通道与芯片表面接合的物质的折射率 与之相差较大（如环氧树脂为n=1.5）。 则会导致芯片表面的全反射临界角较小，芯片发出的 光只有一部分能通过界面逸出被有效利用，相当一部分的 光因全反射而被困在芯片内部，造成萃光效率偏低，直接 影响LED的发光效率。§6.4 功率型LED封装关键技术3. 出光通道的设计与材料选择 （1）光的萃取 为了提高萃光效率，在选择与芯片表面接合的物质时 ，必须考虑其折射率要与芯片表面材料的折射率尽可能相 匹配。 采用高折射率的柔性硅胶作与芯片表面接合的材料， 既可以提高萃光效率，又可以使芯片和键合引线得到良好 的应力保护。§6.4 功率型LED封装关键技术（1）光的萃取GaN类倒装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为：有源层（n=2.4）→蓝宝石（n=1.8）→环氧树脂（n=1.5）→空气（n=1）； GaN类正装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为 ：有源层（n=2.4）→环氧树脂（n=1.5）→空气（n=1） 采用倒装芯片封装的LED的出光通道折射率匹配比正 装芯片要好，出光效率更高。§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率3. 出光通道的设计与材料选择（2）光的导出1）设计良好的出光通道，使光能够高效地导出到LED管体外①反射腔体的设计；②透镜的设计；③出光通道中各种不同材料的接合界面设计和折射率的匹配④尽可能减少出光通道中不必要的光吸收和泄漏现象。§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率3. 出光通道的设计与材料选择（2）光的导出2）出光通道材料的选择：①高的透光率；②匹配良好的折射率；③抗UV、防黄变特性；④高的温度耐受能力和良好的应力特性。§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率4. 荧光粉的使用就白光LED而言，荧光粉的使用是否合理，对其发光效率影响较大。首先要选用与芯片波长相匹配的高受激转换效率的荧光粉；其次是选用合适的载体胶调配荧光粉，并使其以良好 的涂布方式均匀而有效地覆盖在芯片的表面及四周，以达 到最佳的激发效果。§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率 4. 荧光粉的使用 传统上将荧光胶全部注满反射杯的做法： （1）不但涂布均匀性得不到保障，（2）而且会在反射腔体中形成荧光粉的漫射分布，造成不必要的光泄漏损失，既影响光色的品质，又会使LED光效 降低。§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率 4. 荧光粉的使用 采用荧光粉薄膜式涂布可以解决上述问题：§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率 5. 热阻的降低 LED自身的发热使芯片的结温升高，导致芯片发光效 率的下降。 功率型 LED必须要有良好的散热结构，使LED内部的 热量能尽快尽量地被导出和消散，以降低芯片的结温，提 高其发光效率。§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率 5. 热阻的降低 芯片结温（TJ）与环境温度（TA）、热阻（Rth）和输 入功率（PD）的关系是： TJ=TA+RthPD§6.4 功率型LED封装关键技术二、提高发光效率 5. 热阻的降低 在输入功率PD一定的情况下，热阻Rth的大小对结温的 高低有很大的影响，也就是说，热阻的高低是LED散热结 构好坏的标志。 采用优良的散热技术降低封装结构的热阻，将使LED 发光效率的提高得到有效的保障。§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性 1. 调控光强的空间分布 与传统光源相比，LED发出的光有较强的指向性，如 果控制得当，可以提高整体的照明效率，使照明效果更佳。如何根据照明应用的需要，调控LED的光强空间分布呢？§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性1.调控光强的空间分布可以通过以下步骤来实现。①清楚了解芯片发光的分布特点；②根据芯片发光的分布特点和LED最终光强分布的要求设计 出光通道： ? 反射腔体的设计；§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性 1. 调控光强的空间分布? 透镜的设计； ? 光线在出光通道中折射和漫射的考虑；? 出光通道各部分的几何尺寸的设计和配合。③ 选择合适的出光通道材料和加工工艺。§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性 2. 改善光色均匀性 目前最常用的LED白光生成的技术路线是 ：蓝色芯片 +黄色荧光粉（YAG/TAG）。 该工艺方法，是将荧光粉与载体胶混合后涂布到芯片 上。§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性2. 改善光色均匀性在操作过程中，由于：① 载体胶的粘度是动态参数；② 荧光粉比重大于载体胶而容易产生沉淀；③ 以及涂布设备精度等因素的影响。荧光粉的涂布量和均匀性的控制有难度，导致白光 颜色的不均匀。§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性 2. 改善光色均匀性 改善光色均匀性的方法有：① 出光通道的设计；② 荧光粉粒度大小的合理选择； ③ 载体胶粘度特性的把握；§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性2. 改善光色均匀性④ 改进荧光胶调配的工艺方法，防止操作过程中荧光粉在载体胶内产生沉降；⑤ 采用高精度的荧光粉涂布设备，并改良荧光胶涂布的方法和形式§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性 3. 改善色温与显色性 白光LED色温的调控主要是通过：? 蓝色芯片波长的选定，? 荧光粉受激波长的匹配，? 和荧光粉涂布量、均匀性的控制来实现的。§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性3. 改善色温与显色性 基于蓝色芯片+黄色荧光粉（YAG/TAG）LED白光生 成技术路线的机理和荧光粉的特性，早期传统的白光LED 在高色温区域（&5500K）里，色温的调控比较容易实现 ，显色性也较好（Ra&80）。§6.4 功率型LED封装关键技术3. 改善色温与显色性 在照明应用通常要求的低色温区域（2700K～5500K） ，传统白光LED的色温调控较难，显色性也不佳（Ra&80 ），与照明光源的要求有一定的差距。 即使可以生成低色温的白光，其色坐标也偏离黑体辐 射轨迹较远（通常是在轨迹上方），使其光色不正，显色 性差。§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性 3. 改善色温与显色性 要解决这一问题，关键是荧光粉的改良，可以通过添 加红色荧光粉，使LED发出的白光的色坐标尽量靠近黑体 辐射轨迹，从而改善其光色和显色性。 目前改善白光LED在低色温区的显色性的主要方法有 4种：§6.4 功率型LED封装关键技术三、改善LED的光学特性3. 改善色温与显色性① 尽量选用短波长的蓝色芯片（λD&460nm）；② 分析白光LED发光谱线的缺陷，选用含有可以弥补这些缺陷的物质的合适的荧光粉； ③ 改善荧光粉的涂布技术，保证荧光粉得到充分而均匀的激 发； ④ 采用其它具有显色性优势的白光生成技术路线。§6.4 功率型LED封装关键技术四、提高LED的单灯光通量和输入功率 目前LED的单灯光通量偏小，独立应用于照明有较大 的局限； 其输入功率也偏小，需要较多的外围应用电路配合。 LED要进入照明领域，必须提高LED的单灯光通量和 输入功率。§6.4 功率型LED封装关键技术四、提高LED的单灯光通量和输入功率 提高LED的单灯光通量和输入功率的途径有： 1. 在输入功率一定的前提下，提高LED的发光效率是获取更 大单灯光通量的最直接的途径； 2. 采用大面积芯片封装LED，加大工作电流，可以获得较高 的单灯光通量和输入功率；§6.4 功率型LED封装关键技术四、提高LED的单灯光通量和输入功率 3. 采用多芯片高密度集成化封装功率型LED，是目前获得高 单灯光通量和高输入功率的最常用方法。 在以上3种途径中，散热技术是关键。提高LED的散 热能力，降低热阻，是提高LED的单灯光通量和输入功率 得以实现的根本保障。§6.4 功率型LED封装关键技术五、降低LED的成本 价格高是半导体LED进入照明领域的最终瓶颈。就封 装技术而言，LED要降低成本，必须解决以下五个问题： ①成熟可行的技术路线； ②简单可靠、易于产业化生产的工艺方法； ③通用化的产品设计；§6.4 功率型LED封装关键技术五、降低LED的成本 ④ 高的产品性能和可靠性； ⑤ 高的成品率。 六、改善LED的可靠性在实际应用中，人们普遍关注的LED可靠性问题主要有：死灯、光衰、色移、闪烁和寿命等等。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术在白光LED的设计中，最重要的步骤就是点荧光粉，点荧光粉是白光形成的关键。芯片的波长是460-470nm的，选取的荧光粉同样也在这个波段，点荧光粉是分为两个很重要的操作的，? 一个是调荧光粉 ? 一个是涂抹荧光粉。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉普通用的荧光粉是粉状的，因此不能将粉状的物质覆盖在芯片上，必须是液态的，但是也不可能把荧光粉变成液态的，因为荧光粉的组分是重金属和稀有金属。只有将荧光粉溶解在一种溶剂中，然后再将这种荧光粉液体烤干，这样才能使其覆盖在蓝色的芯片上。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉1. 溶剂选择 选择的溶剂必须是不能破坏荧光粉自身的组织，因此 这个溶剂需要是不能和荧光粉发生化学反应的一种物质。 根据相似相溶的原理知道，荧光粉是不能溶解在有机溶剂里的，那么就只能是混合了。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉1. 溶剂选择如果只是单纯的将这种混合溶液覆盖在芯片的表面再去进行外密封是行不通的，因为外密封是用的环氧树脂这 种液态物质。 也就是说必须要将其在封装前烤干，于是传统采用外 密封的环氧树脂来做这种溶剂。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉 2. 配制溶液 有了溶剂再来配置溶液。在这里选用的材料有相对应 波段的黄色荧光粉和环氧树脂。根据白光的发光原理可以 知道：? 荧光粉加入的量太多就会造成发出的白光光偏黄， ? 荧光粉的量加入的太少就会使得发出的白光光偏蓝。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术2. 配制溶液因此应该根据荧光粉的发光效率来合理配制荧光粉。但是用荧光粉+环氧树脂封装出的成品光斑是一片蓝，一片白，一片黄。这种光斑形成的原因是因为荧光粉被蓝色的光激发的不均匀，也就是说荧光粉的细小颗粒没有被蓝色的光完全 激发。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉2. 配制溶液要解决完全激发的问题，就引入了扩散剂这样的一种物质，扩散剂可以增强蓝光激发荧光粉的效率，从而增强了荧光粉的发光效率。 通过实验，发现扩散剂的确对光斑又了改善，使得发 出的光斑不再是一块一块的，但是新的问题又出现了，光 斑虽然整体呈现一种颜色但是外圈却有一层黄色出现。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉2. 配制溶液要改善黄圈必须要知道原因，将LED成品解剖，可以 看到荧光粉的沉淀情况，如下图§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉2. 配制溶液通过理论分析知道：这种现象是由黄光功率偏大所引起的。首先要改变荧光粉溶液的配比，找到合适的配比才能 够改善黄圈； 接着就是荧光粉沉淀的问题，从图中可以看到荧光粉 覆盖在芯片和支架杯之间的空隙中的厚度要比芯片表面的 厚度厚很多。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉 2. 配制溶液 这是因为在烘烤的过程中，环氧树脂会挥发一部分。 环氧树脂是双组分的：? 一部分是树脂； ? 另一个部分是固化剂属于酸酐类。固化剂的作用是减小分子之间的距离，使其固化。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉 2. 配制溶液 固化剂与树脂的反应是个放热反应，而环氧树脂的热 传导性很差，黏度又很大。 所以产生的热量不容易消散，这样很容易使得荧光粉 沉淀。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉 2. 配制溶液 另外，芯片的尺寸和支架杯底的尺寸有差异。这样很 容易导致芯片四周的荧光粉比重大。荧光粉溶液的浓度分布不均匀会造成白光LED的色温分布不均，使得白光LED的亮度和光斑都不能达到预期效果。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术2. 配制溶液 如何改善荧光粉的因沉淀而引起的分布不均匀，这是 新一步研究的问题。理论上可以从2个方面去改善: （1）通过生产的工艺 也就是在生产过程中，在时间很短的间隔里均匀搅拌 ，而点荧光粉的速度加快，与下个环节的衔接时间也变紧 ，点好荧光粉的半成品很快进入烘烤的步骤中。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉 2. 配制溶液 （2）加入一种新的物质，使得荧光粉容易在高温下也能保 持很好的均匀混合状态。 于是在荧光粉溶液中引入了表面活性剂，其作用是：? 一部分可以吸附有机物；? 一部分可以吸附无机物的表面活性剂。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术一. 调荧光粉 2. 配制溶液 经过反复的实验，得到的荧光粉、表面活性剂、扩散 剂和环氧树脂的最优质量配比为10: 5: 3: 100。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆对于支架式白光LED的外封装有成型模具，顶部密封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种作用:??保护管芯等不受外界侵蚀；采用不同的形状和材料性质(掺或不掺散色剂)，起透镜 或漫射透镜功能，控制光的发散角。 因此由环氧树脂形成的“透镜”不可以调节。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆 为了达到更好的光效，必须设计由涂抹的荧光粉而形 成的“透镜”。 荧光粉可以在支架的杯面上形成三种透镜形式：? 凹透镜； ? 平面透镜； ? 凸透镜。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆根据两层透镜的光辐射图样，选取的是凸透镜。 凸透镜的角度与外封装胶形成的透镜角度是相同的。 这样能使芯片发出的光线垂直出射，并且能提高光线的出 射率。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆 但是这样荧光粉涂抹方式还是不够完美，芯片周围4 个面的光强分布也是不同的。 虽然对荧光粉溶液的组分和配比做了一些调整，但是 荧光粉的沉淀只能得到很好的改善而不能完全解决的，这 样的涂抹方式影响白光LED的色温和色品坐标。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆如果能将荧光粉完全单薄的覆盖在芯片上，就能解决这个问题。但是对于支架式白光LED的封装工艺上是很难办到的 。而要适合工厂的生产和销售，这种涂抹技术是不合适的 。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆这种设想对于大功率这种封装方式是可以做到。 在大功率白光LED中，芯片的发光效率要求高，因此 使用面积比小型芯片(1mm2左右)大10倍的大型LED芯片。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆 倒装芯片是把GaN LED晶粒倒装焊在散热板上，并在P 电极上方制作反射率较高的反射层，即将原先从元件上方 发出的光线从元件其他的发光角度导出，而由蓝宝石基板 端沿取光。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆 这样就降低了在电极侧面的光损耗，可有接近于正装 方式2倍左右的光输出。 因为没有了金线焊垫的阻碍，对提高亮度有一定的帮 助。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆 对比两种芯片的优缺点，基于大于功率LED需要好的 散热环境和发出高光效来考虑，在大功率白光LED的封装 中，采用的是倒装芯片代替传统的正装大功率芯片。 大功率白光LED的荧光粉涂抹技术则是只用将荧光粉 均匀涂抹在表面就可以，而不用涂抹在芯片四周。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆 根据前面介绍的倒装芯片的结构而得出涂抹工艺如下 图所示:§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆这种方式是将荧光粉混合溶液直接涂抹在芯片上，因此所用到的溶液胶体不再是环氧树脂，因为环氧树脂的流动性较强。如果用传统的环氧树脂来混合荧光粉，荧光粉溶液就会从芯片表面溢出。§6.5 荧光粉溶液涂抹技术二. 荧光粉涂覆 所以必须选择可以自动成型的UV胶，将UV胶与普通 荧光粉按照一定的重量比进行均匀混合调配。 将调配好的原料加入点胶机对大功率发光二极管芯片 进行点胶涂布，使涂层厚度控制在0.5~0.6mm。 将涂布完成的芯片用紫外灯照射进行固化，完成固化 工艺过程。§6.6 封胶胶体设计一. 对封装胶的要求1. 理论分析根据折射定律，光线从光密介质入射到光疏介质时， 当入射角达到一定值，即大于等于临界角时，会发生全发 射。 以GaN蓝色芯片来说，GaN材料的折射率是2.3，当光 线从晶体内部射向空气时，根据折射定律：§6.6 封胶胶体设计一. 对封装胶的要求 1. 理论分析 θ o=sin-1(n1/n2) 其中n2等于1，即空气的折射率，n1是GaN的折射率 ，由此计算得到临界角 θ o约为25.8度。能射出的光只有入射角小于25.8度这个空间立体角内的光，因此其有源层产生的光只有小部分被取出，大部分易在内部经多次反射而被吸收，易发生全反射导致过多光损失。§6.6 封胶胶体设计一. 对封装胶的要求2. 要求（1）为了提高LED产品封装的取光效率，必须提高n2的值，即提高封装材料的折射率，以提高产品的临界角，从而提高产品的封装发光效率。 （2）同时，封装材料对光线的吸收要小。§6.6 封胶胶体设计二. 传统的封装胶及其缺点 对白光LED进行封胶，传统选取的是双组分的环氧树 脂，这种封装胶存在下面两个问题：? 封装用光学级的树脂容易受热变黄； ? 除此之外，不仅因为热现象会对环氧树脂产生影响，甚至短波长也会对环氧树脂造成一些问题。§6.6 封胶胶体设计二. 传统的封装胶 这是因为白光LED发光光谱中，也包含了短波长的光 线，而环氧树脂却相当容易被白光LED中的短波长光线破 坏。 低功率的白光LED就已经会造成环氧树脂的破坏，更 何况高功率的白光LED所含的短波长的光线更多，那么恶 化自然也加速。§6.6 封胶胶体设计三、白光LED用封装胶 白光LED采用的是硅胶封装。硅胶除了对短波长有较 佳的抗热性、较不易老化外，它还能够分散蓝色和近紫外 光。 所以，与环氧树脂相比，硅树脂可以抑制材料因为 短波长光线所带来的劣化现象，此外硅胶的光透率、折射 率都很理想。§6.6 封胶胶体设计三、白光LED用封装胶 硅树脂封胶材料是一种稳定的柔性胶凝体，在-40度 到-120度的范围，不会应为温度的聚变而产生内应力，使 金线与引线框架断开，并防止外封装的环氧树脂形成的“ 透镜”。§6.7 散热设计对于一般照明使用，将需要大量的LED元件集成在一 块模组中以达到所需之照度。但LED的光电转换效率不高 ，大约只有15%至20%左右电能转为光输出，其余均转换成为热能。热量是LED的最大威胁之一，不仅影响LED的电气性能 ，最终导致LED失效。如何让LED保持长时间的持续可靠 工作是目前大功率LED器件封装和系统封装的关键技术。§6.7 散热设计一、热量来源 对于由PN结组成的发光二极管，当正向电流从PN结流 过时，PN结有发热损耗，这些热量经由粘结胶、灌封材料 、热沉等，辐射到空气中。 在这个过程中每一部分材料都有阻止热流的热阻抗， 也就是热阻，热阻是由器件的尺寸、结构及材料所决定的 固定值。§6.7 散热设计一、热量来源设发光二极管的热阻为Rth (0C/W)，热耗散功率为PD(W)，此时由于电流的热损耗而引起的PN结温度上升为:PN结结温为:其中TA为环境温度。§6.7 散热设计二、热量对LED的影响LED发光过程中产生的热量将会造成LED模组的温度上升，当温度升高:1. 发光强度降低：随着芯片结温的增加，芯片的发光效率效率也会随之 减少，LED亮度下降。同时，由于热损耗引起的温升增高 ，发光二极管亮度将不再继续随着电流成比例提高，即显 示出热饱和现象。§6.7 散热设计二、热量对LED的影响2. 发光主波长偏移随着结温的上升，发光的峰值波长也将向长波方向漂 移，约0.2-0.3nm/0C，这对于通过由蓝光芯片涂覆YAG荧 光粉混合得到的白光LED来说，蓝光波长的漂移，会引起 与荧光粉激发波长的失配，从而降低白光LED的整体发光 效率，并导致白光色温的改变。 3. 严重降低LED的寿命，加速LED的光衰。§6.7 散热设计三、LED的散热考虑对于功率LED来说，驱动电流一般都为几百毫安以上，PN结的电流密度非常大，所以PN结的温升非常明显。对于封装和应用来说，如何降低产品的热阻，使PN结产生的热量能尽快的散发出去，不仅可提高产品的饱和电 流，提高产品的发光效率，同时也提高了产品的可靠性和 寿命。§6.7 散热设计三、LED的散热考虑 为了降低产品的热阻： 首先封装材料的选择显得尤为重要，包括支架、基板和 填充材料等，各材料的热阻要低，即要求导热性能良好。 其次结构设计要合理，各材料间的导热性能连续匹配， 材料之间的导热连接良好，避免在导热通道中产生散热瓶 颈，确保热量从内到外层层散发。§6.7 散热设计三、LED的散热考虑 LED散热主要从3个方面着手：?第一，从芯片到基板的连接材料的选取； ? 第二，基板材料的选取； ? 第三，基板外部冷却装置的选取和基板与外部冷却设备连接材料的选取。§6.7 散热设计三、LED的散热考虑1. 芯片到基板的连接材料的选取普通用来连接芯片和基板采用的是银胶。但是银胶的热阻很高，而且银胶固化后的内部结构是：环氧树脂骨架和银粉填充式导热导电结构，这样的结构热阻极高，对器件的散热与物理特性稳定极为不利，因此选择的粘接的物质是锡膏。§6.7 散热设计三、LED的散热考虑 2. 接着就是基板的选择上表是常见的基板和支架的材料导热系数，由表知， 银、纯铜、黄金的导热系数相对其他较高 但银、纯铜、黄金价格高，为了取得很好的性价比 纯铝的导热系数，因此基板采用的是铜或铝质地。§6.7 散热设计三、LED的散热考虑 3. 基板外部冷却装置的选取 大功率LED器件在工作时大部分的损耗变成热量，若 不采取散热措施，则芯片的温度可达到或超过允许的节温 ，器件期间将受到损坏，因此必须加散热装置。 最常用的是将功率器件安装在散热器上，利用散热器 将热量散到周围空间，它的主要热流方向是由芯片传到器 件的底下，经散热器将热量散到周围空间。§6.7 散热设计三、LED的散热考虑 3. 基板外部冷却装置的选取 散热器由铝合金板料经冲压工艺和表面处理制成，表 面处理有电泳涂漆或黑色氧化处理，目的是提高散热效率 和绝缘性能。 散热器散发的热能与环境温度的温差大致成正比，对 流的速度越快，则散热器本身的热阻也就越小。§6.7 散热设计三、LED的散热考虑 4. 基板与外部冷却设备连接材料的选取 就界面热阻而言，空气间隙是最大的敌人。 尽管基板与散热器之间肉眼能观察到的间隙很小，但 是由于材料表面的不平整，实际还是存在着细微的空隙。 由于空气的界面热阻很大，不利于扩散，故大大增加 了整体界面的热阻。§6.7 散热设计三、LED的散热考虑 4. 基板与外部冷却设备连接材料的选取 根据分析，减低界面热阻的方法为:? 增加材料表面的平整度， ? 减小空气的容量； ? 施加接触压力。因此在基板和外散热器的填充物质上，选择导热的硅树脂。§6.7 散热设计四、散热机制 散热的基本途径主要有以下三种：热传导、对流、辐 射。与其他固体半导体器件相比，LED器件对温度的敏感性更强。由于受到芯片工作温度的限制，芯片只能在120度以下工作，因此器件的热辐射效应基本可以忽略不计。传导和对流对LED散热比较重要。§6.7 散热设计四、散热机制 从热能分析，假设Q=发散功率 (Pd) = Vf X If， 而且 Vf和If相对变化比较小。 所以我们在做散热设计时主要先从热传导方面考虑， 热量预先从LED模块中传导到散热器。§6.7 散热设计四、散热机制 1. 热传导首先考虑热源是均匀地加载在导热材料的整个表面的 情况，由Fourier导热定律得知，热流密度与温度梯度成正 比:§6.7 散热设计四、散热机制 1. 热传导 其中k为热导率，A为面积，Δx为导热材料的厚度，q 为热流密度，表示单位面积的耗散的功率。 对于多层复合材料，总热阻可以简化为:（1）§6.7 散热设计四、散热机制 1. 热传导 以下图两层材料的热传导为例:（2）§6.7 散热设计四、散热机制 1. 热传导 从式（1）和式（2）大致可以得到解决散热的基本方 法: 减少材料的厚度并选用高热导率的材料。 但是高热导率材料如铜等材料，同时也会引入比较大 的残余应力，并且粘片时，需要比较厚的粘结层。这样势 必会增加多余的接触热阻。§6.7 散热设计四、散热机制 1. 热传导 封装之热阻公式大多用 来描述：其中Tj为芯片的结区温度，Ta为环境温度，Q为芯片发 热功率。 同一加热功率与环境温度下，热阻越大，即代表有更 多的热量不能从封装中散出，而积聚在芯片的内部，使芯 片的结区温度T，升高越快，可靠性也越差。§6.7 散热设计四、散热机制 2. 对流情况热交换发生在固体和流体之间的界面，由流体的流动 而带走表面的热量，由Newton冷却定律得到对流的热交 换公式： （3） A为材料的横截面积。§6.7 散热设计四、散热机制 2. 对流情况 由（3）式得到对流热交换的热阻公式： （4） （4）中h为热传导系数，A*为参与热对流热对流面积。 由于对流交换的热量跟对流的表面积成正比，因此需 要优化微流通道的结构，从而提高散热面积A*；另外一方 面提高传热系数h。§6.7 散热设计四、散热机制 2. 对流情况 将式（1）和式（4）两个式子合并在一起，可以得到 热传导和热对流共同起作用的传热机制，总热阻公式： （5） （5）中f为A*/A，A*为参与热对流的面积，A为材料的 横截面积，作为表面增强因子，与微流通道的内部结构有 关。§6.7 散热设计四、散热机制 2. 对流情况 通过的计算，我们可以初步估计封装器件最大的温度差别 ΔT，即（T1-T2），或者在某种冷却条件下，封装所能容 纳的最大热对流密度。§6.7 散热设计五、制冷器件 传统制冷方法有：空气制冷、水冷、热管制冷、帕尔 贴效应元件制冷(半导体制冷)等。 现在有些新方法也被陆续提出来，比如超声制冷、 超导制冷、以及将多种制冷方法有效集成在一个器件之中 。 下面我们简单介绍几种制冷方法。§6.7 散热设计五、制冷器件 1. 空气制冷 （1）.热沉 热沉的热传导率的系数可以通过几种方法来改变，最 流行的方法是加快通过热沉的气流速度。 但将气流速度增加到10m/s时会引入噪音。§6.7 散热设计五、制冷器件 1. 空气制冷 （1）.热沉 另一种方法是改变热沉的形状，通过这种方法，来扩 大有效的散热面积。 散热器形状可设计成多种阵列形状，如圆柱阵列、条 形阵列，或者金字塔的形状等。§6.7 散热设计五、制冷器件 1. 空气制冷 （1）.热沉§6.7 散热设计五、制冷器件 1. 空气制冷 （2）.风扇 通常同时使用散热器和风扇结合的方式，散热器通过 和芯片表面的紧密接触使芯片的热量传导到散热器。散热器通常是一块带有很多叶片的热的良导体，它的充分扩展的表面使热对流大大增加，同时流通的空气也能带走更大的热能。§6.7 散热设计五、制冷器件 1. 空气制冷 (2).风扇风扇的设计要达到两个要求：让冷却功能更有效，噪音更小。§6.7 散热设计五、制冷器件 2. 水冷水冷系统由泵、热沉、导水管等部件组成，泵负责驱 动水循环，芯片上的热量传给水，采用液体流动来带走热 量，导水管把热水传送到热沉。热沉和芯片不在一块，可 以有效提高散热能力，热沉起散热作用。§6.7 散热设计五、制冷器件 2. 水冷 一块中空的金属盘与芯片相接，液体在其内部的凹槽 流过，芯片将热量传导到底盘，底盘再将热量传给液体， 然后这些液体流过热沉，在那里它将热量释放到空气中。 冷却后，这些液体就再次进入那个底盘中。另外采用微流通道的微结构可以增大液体与热沉的接触面积，从而大幅度增加温降，延长器件的使用寿命。§6.7 散热设计五、制冷器件 2. 水冷有些冷却装置中使用热管来散热，由热管来带走CPU 或电子芯片表面的热量，热管里的冷却剂被加热后变为气 体，在热管中上升，到达上部时，被流动的空气冷却，空 气带走热量，冷却剂降温又变为液体，往下流动。如此周 而复始。§6.7 散热设计五、制冷器件 3. 热电制冷 热电制冷又称作温差电制冷，或半导体制冷，它是利 用热电效应（即帕尔帖效应）的一种制冷方法。半导体制冷器的优势在于制冷密度大、与IC工艺兼容、无运动部件，没有磨损、并且结构紧凑，可以提高集成度。§6.7 散热设计五、制冷器件 3. 热电制冷把一只p型半导体元件和一只n半导体元件连接成热 电偶，接上直流电源后，在结合处就会产生温差和热量的 转移。在上面的一个结合处，电流方向是n-&p，温度下降 并且吸热，这就是冷端。而在下面的一个结合处，电流方 向是p-&n,温度上升并且放热，因此是热端。§6.7 散热设计五、制冷器件 3. 热电制冷 金属热电偶的帕尔帖效应，可以用接触电位差现象定 性地说明。 由于接触电位差的存在，使通过结合处的电子经历 电位突变，当接触电位差与外电场同向时，电场力做功使 电子能量增加。同时，电子与晶体点阵碰撞将此能量变为 晶体内能的增量。§6.7 散热设计五、制冷器件 3. 热电制冷 结果使结合的位置的温度升高，并释放出热量。 当接触电位差与外电场反向时，电子反抗电场力做功 ，其能量来自结合处的晶体点阵。结果使得结合处的温度 下降，并从周围环境吸收热量。§6.7 散热设计五、制冷器件 3. 热电制冷为了更进一步提高热电制冷效率，提出采用多级热电 制冷，并且集成热沉增加与外界环境的热交换。转载请保留本文连接：分享到：相关文章声明：《【led 封装】LED封装技术(超全面)》由“静禅”分享发布，如因用户分享而无意侵犯到您的合法权益，请联系我们删除。TA的分享