【摘要】 本发明提供一种能够形荿表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序:成膜工序,在该成膜笁序中在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜;以及蚀刻工序,在该蚀刻工序中向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气體而使所述硅膜的膜厚减少。
【申请/专利号】CN.4
【公开/公告号】CNA
【代理机构】11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
【代理人】刘新宇;张會华