石英晶体振荡器电路图可以定做吗?

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石英晶体振荡器
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企业类型:工厂贸易
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型号/规格:全系列品牌/商标:ANYCLK环保类别:无铅环保型安装方式:贴片式主要用途:工业电子电气设备
企业类型:生产企业
主营:石英晶体谐振器,石英晶体振荡器:贴片晶振,有源晶振,无源晶振,温补晶振,压控晶振...
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联系人:罗俊杰
地址:广东深圳东莞市凤岗镇东深二路与怡安路交汇处天安数码城3号楼404单元
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型号/规格:全系列品牌/商标:ANYCLK环保类别:无铅环保型安装方式:贴片式
企业类型:生产企业
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联系人:罗俊杰
地址:广东深圳东莞市凤岗镇东深二路与怡安路交汇处天安数码城3号楼404单元
VIP会员5年
型号/规格:3225系列品牌/商标:爱普生环保类别:无铅环保型安装方式:直插式主要用途:家用电器
企业类型:生产企业
联系人:陈先生
地址:广东深圳广东省深圳市福田区中航路中航北苑10C4室
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型号/规格:SG7050品牌/商标:epson电压:1.6-3.3V产地:日本
企业类型:生产企业
联系人:蔡先生
地址:广东深圳公司地址:深圳市福田区中航路鼎诚国际大厦2506室;新亚洲电子商城一期1A071.
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型号/规格:SMD 6035品牌/商标:GZX环保类别:无铅环保型安装方式:贴片式主要用途:家用电器
企业类型:生产企业
联系人:杨立新/张小姐
地址:广东深圳宝安42区华厦新村新瘁阁1202
VIP会员4年
型号/规格:TY品牌/商标:台湾泰艺环保类别:无铅环保型安装方式:贴片式
企业类型:生产企业
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联系人:刘小姐
地址:广东深圳龙华新区东环一路皇嘉中心820~822室
VIP会员4年
型号/规格:49S-7.3728MHZ品牌/商标:CTFS环保类别:无铅环保型安装方式:直插式主要用途:普通/民用电子信息产品
企业类型:经销商
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联系人:王先生
地址:广东深圳深圳市福田区深南中路2008号华联大厦1218
金牌会员4年
型号/规格:HC-49S品牌/商标:YXC
企业类型:生产企业
联系人:蔡先生
地址:广东深圳公司地址:深圳市福田区中航路鼎城国际大厦室;新亚洲电子商城一期1A071.
金牌会员4年
型号/规格:49SS品牌/商标:国产主要用途:普通/民用电子信息产品环保类别:无铅环保型安装方式:直插
企业类型:经销商
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联系人:销售部
地址:广东深圳深圳市坪山新区兰景北路梓兴花园C栋1210室
铜牌会员9年
型号/规格:频率元件品牌/商标:安迪兴环保类别:无铅环保型安装方式:贴片式主要用途:工业电子电气设备
企业类型:生产企业
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联系人:李强
地址:广东深圳宝安区西乡铁岗社区西路5号
型号/规格:10MHZ/半尺寸 全尺寸品牌/商标:QL环保类别:无铅环保型安装方式:直插式主要用途:普通/民用电子信息产品
企业类型:生产企业
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联系人:李先生
地址:广东深圳深圳市福田区福华路34号公汽大厦318
型号/规格:636L3C033M00000品牌/商标:636环保类别:无铅环保型安装方式:贴片式主要用途:工业电子电气设备
企业类型:经销商
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联系人:李先生/王先生
地址:广东深圳宝安区新安街道办前进一路269号(冠利达大厦)20层2008
型号/规格:7W品牌/商标:TXC环保类别:无铅环保型安装方式:直插式主要用途:普通/民用电子信息产品
企业类型:生产企业
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联系人:晶振帝国-刘永
地址:广东深圳深圳市宝安区33区东方明工业城3栋
型号/规格:MC-306品牌/商标:EPSON/希华/TKD环保类别:无铅环保型安装方式:直插式主要用途:普通/民用电子信息产品
企业类型:生产企业
联系人:喻先生
地址:广东深圳深圳市福田区深南中路3018号世纪汇广场 都会轩1001室。
型号/规格:16.0MHZ品牌/商标:EPSON晶振环保类别:无铅环保型安装方式:贴片式主要用途:工业电子电气设备
企业类型:生产企业
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联系人:刘芳芳
地址:广东深圳深圳市宝安区9栋6楼
型号/规格:12.000M品牌/商标:华晶达主要用途:精密电子仪器仪表环保类别:无铅环保型安装方式:直插
企业类型:生产企业
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联系人:许长红
地址:广东深圳宝安西乡街道共乐工业路共乐城1509
型号/规格:HC-49U品牌/商标:NKG环保类别:无铅环保型安装方式:直插式
企业类型:经销商
联系人:王小姐
地址:湖北武汉武汉市东湖高新区森林大道8号慧谷时空大厦5楼
型号/规格:SMD品牌/商标:振荡器EPSON环保类别:无铅环保型安装方式:贴片式主要用途:普通/民用电子信息产品
企业类型:生产企业
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联系人:黄娜
地址:广东深圳深圳市宝安区41区甲岸路西33号
型号/规格:SMD品牌/商标:KDS环保类别:无铅环保型安装方式:贴片式主要用途:工业电子电气设备
企业类型:生产企业
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联系人:王庆芳
地址:广东深圳广东深圳市宝安区西乡大道131号与宝安大道交汇处
型号/规格:DIP14/DIP8/SMD品牌/商标:国产环保类别:无铅环保型安装方式:直插
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联系人:黎小姐
地址:广东深圳宝安26区创业电子大厦
型号/规格:SMD7050品牌/商标:鸿创环保类别:无铅环保型安装方式:贴片式主要用途:精密电子仪器仪表
企业类型:生产企业
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联系人:张先生
地址:河南郑州郑州市航海东路经济技术开发区第五大街129号高科技工业园2号楼
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石英晶体振荡器行业资讯
设计和制造硅基频率控制产品的全球创新领导厂商ECS Inc. International宣布其市场领先的固定频率石英晶体振荡器产品组合再增添三款产品:超小型ECX-2033-AU、超小型ECX-53B-CKM石英晶体及超小型ECX-1247石英晶体。所有三种频率控制产品现已供货。  所有三种超小型产品均是用于空间受限应用...
传统的石英晶振正在被硅器件取代,硅MEMS时钟器件凭借标准的半导体工艺和可高量产的塑壳封装技术,使得时钟晶振器件的交货周期和供货能力发生革命性变化,并且,尺寸也缩小70%以上,更宜集成。美国SiTime公司续推出针对系统设备、工业控制和消费电子的高端硅MEMS后,日前又针对巨量的智能手...
不论预期与现实有多大的差距,于2012年9月上市的iPhone5的确又一次引领了全球智能终端产品的消费热潮。苹果的产品向来不以硬件为圭臬,但专业机构对其硬件的分析却始终热此不疲。在众多分析文章中,iPhone5所包含的5颗石英晶体元件却往往被忽视,而其中的2颗音叉晶振,更是不为人所知。
微机电系统(MEMS)振荡器全面取代石英晶体振荡器的美梦难圆。虽然MEMS振荡器基于与半导体制程和封装技术相容而树立低成本优势;然而,其在温度及相噪(Phase Noise)的整体表现远不及石英晶体成熟,短期内仅能切入有线通讯应用,在无线领域仍将以石英晶体为主流技术。
  台湾晶技行销处长李翰...
Epson Toyocom公司开发出据称是全球最小型32.768kHz石英晶体振荡器SG-3050BC,最大尺寸仅2.2mm×1.4mm×1.0tmm。与上一代振荡器相比,新组件面积减少70%,体积减少75%,可协助电子设备制造商在加强产品效能的同时进一步缩小产品尺寸。
  Epson表示,32.768kHz石英晶体组件广泛用于时脉、...
什么是石英晶体振荡器?   石英谐振器简称为晶振,它是利用具有压电效应的石英晶体片制成的。这种石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动,当交变电场的频率与田英晶体的固有频率相同时,振动便变得很强烈,这就是晶体谐振特性的反应。利用这种特性,就可以用石英谐振器取代LC(线圈和电容)谐振回路、滤波器等。由于石英谐振器具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点,被应用于家用电器和通信设备中。
石英晶体振荡器技术资料
高速连接、时钟和信号调节芯片及晶振解决方案供应商百利通半导体公司(Pericom)日前宣布:扩展其特定应用晶体振荡器(ASSP XOTM)系列,推出一条新的ASSP电压控制晶体振荡器(VCXO)产品线。这些解决方案以满足日益增加的通信基础设施、宽带接入和以太网市场需要为目标,为各主流频点提供了...
晶振全称为晶体振荡器(英文Crystal Oscillators),其作用在于产生原始的时钟频率,这个频率,晶振经过频率发生器的放大或缩小后就成了电脑中各种不同的总线频率。晶振有着不同使用要求及特点,通分为以下几类:普通晶振、温补晶振、压控晶振、温控晶振等。(欲找优质晶振厂家请点击:http:...
每个产品在做完整之前都需要经过很多工序的检测,电路板设有晶振的电子产品在检漏工序中,就是在酒精加压的环境下,石英晶体容易产生碰壳现象,即振动时芯片跟外壳容易相碰,从而晶体容易发生时振时不振或停振。
  下面是导致晶振停振的几个要素:
  1,在压封时,晶体内部要求抽真空充...
很多工程师,在电路中使用晶振时,经常会碰到这样的烦恼,一是晶振在电路中匹配不理想,影响使用效果;二是晶振的温度漂移太大,甚至影响产品的性能。
  目前在电子产品日新月异的今天,成本问题肯定是生产商考虑的重要因素,同样对晶振的运用也会考虑到成本因素,因此工程师在设计电路时...
晶振选择和电路板设计
  晶振的选择和PCB板布局会对VCXO CLK发生器的性能参数产生一定的影响。选择晶体时,除了频率、封装、精度和工作温度范围,在VCXO应用中还应注意等效串联电阻和负载电容。串联电阻导致晶体的功耗增大。阻值越低,振荡器越容易起振。
  首先,要考虑PCB尺寸大小。...
相关供应商
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已解决的问题
石英晶体振荡器的应用电路有人有资料吗?
石英晶体振荡器的应用电路
1.内部晶体振荡器电路
在有些集成电路(如单片机)中已经集成有振荡电路,只需要外加一个晶振即可。石英晶体与集成电路搭配时,通常是连接到集成电路的振荡端(OSCI/CLKIN或OSCVCLKOUT),以建立振荡,如图8-5所示。
Cl是相位调节电容;C2是增益调节电容。对于32kHz以上的晶体振荡器,当UDD >4.5V
时,建议C1-C2—30pF。南于每一种晶振都有各自的特性,所以Cl、C2最好按制造厂商所提供的数值选择。在许可范围内,Cl、C2越低越好。电容值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。对于有些电压(低于4.5V)电路,府使C2稍大于Cl,这样在上电时,加快品振起振。
电阻RS常用来防止品振被过激励。此时可用示波器检测osc输出脚,如果检测到一非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过激励;相反,如果正弦波形的波峰、波谷两端被削平,而使波形成为方形,则晶振被过激励。这时就需要用电阻RS来防止晶振被过分驱动。判断电阻RS值大小的最简中方法就是串联一个5k0或lOkQ的微调电阻,从0Q开始慢慢调高,一直到正弦波不再被削平为止。通过此办法
就可以找到最接近的RS电阻值。
2.外部晶体振荡器电路
从石英晶体的电抗频率特性可知,它有两个相当接近的谐振频率:一个是串联谐振频率:另一个是并联谐振频率。当石英晶体处于串联谐振时电抗最小,当处于并联谐振时电抗最大;当处于这两个频率范围之间时,石英晶体呈电感性;当游离这两个频率之外时,石英晶体呈容性。
晶振的振荡电路形式有很多种,常用的有两种:一是品振接在振荡回路中,作为电感元件使用,这类振荡器称为并联晶体振荡器;二是把晶体作为串联短路元件使用,使其工作于串联谐振频率上,称为串联晶体振荡器。
【串联谐振电路】
串联营振电路是把晶振接在正反馈支路中,当晶振工作在串联谐振频率上时,其总电抗为零,等效为短路元件,这时反馈作用最强,满足振幅起振条件。
图8.6是工作于串联谐振状态的TTL门电路振荡器。
在串联谐振电路中,品振可以等效成LC串联电路。当电路频率为串联谐振频率叫,晶体的等效电抗接近零(发生串联谐振),串联谐振频率信号最容易通过Nl、N2闭环回路。这个频率信号通过两级反相后形成反馈振荡,晶体同时也担任着选频作用。也就是说,在工作于串联谐振状态的振荡电路,它的频率取决于晶振本身具有的频率参数。
反相器N3用来提供振荡器所需的180。相移, R3、R4 (470Q)的电阻用来提供负反馈,同时提供品振的偏胃电压。
【并联谐振电路】
并联谐振电路的原理与一般LC振荡器相同,只是把晶振体接在振荡回路中作为电感元
件使用,并与其他回路元件一起,按照i点式电路的组成原则与晶体管相连。
图8—7是工作J:并联谐振状态的CMOS门电路振荡器,晶体等效一个电感(晶体工作于
串联谐振频率与并联谐振频率之问时,晶体呈电感性)与外接的电容构成三点式LC振荡器,通过外接的电容可对频率进行微调。
电阻R接在反相器N3的输入与输出端,其日的是将N3偏置在线性放大区,构成放大器。从晶体X的两端看,Cl、C2是通过GND串联成一个电容(这个串联电容C;可以由公式Cx—CIC2/(C1+C2,)隶出,Cx不仪是Cl和C2的串联值,还将晶体内部电容co串进去,C。要比C1和C2小很多,Cx近似等于Co,所以cl和C2对谐振频率影响很小,只能做频率微调),X与串联电容构成一个并联共振电路(为了方便,这里只简单的将晶体等效为电感性),晶体和电容Cl、C2也构成一个7t型选频网络反馈通道(也称7c型谐振电路)。
罔8-7工作十并联谐振状态的CMOS门电路振荡器
N3放大器的输出端信号通过X、C2、CI构成的7c型谐振电路返回N3放大器的输入端,形成反馈振荡。由此可见,它的振荡频率是由兀型谐振电路所决定的(当然,主要还是由晶
体所决定的)。由于N3的输出端连接着由晶振X、C2、Cl组成的7c型谐振电路,而且输出
信号近似于正弦波,故为防Jr负载电路对振荡电路的干扰和提高带载能力,N3的输出信号需通过N4的缓冲、放大整形后再接到负载。
在品体X与串联电容C。构成的并联共振电路星,C,的损耗电阻大时,电路的Q值必然下降,『司日0会使晶体的特性恶化。引起Cx增人的因素足来自多方面的,但电阻R起到较大的作用,通常在提供足够激励的情况下,尽可能增大电阻R的电阻值(电阻R的取值一般为1—30MQ)或在N3输出端与选频网络之间(即BC问)串八一个电阻(阻值约为5~lOkQ即可)。在Cl、C2之问的连接也要引起注意,连接线粗而短,不但可以减小产生损耗,而且还能防止混入干扰源影响振荡器的正常工作。
在要求不高的实际应用中,为了设计方便,通常选择负载电容C.、C2的容量相同。在要求较高的情况下,可适当减小Cl或并联一个微调电容加以调整。
虽然图8-6电路比图8-7电路少用了一个电容,但该电路在晶体损坏时仍然有可能振荡,此时由晶体内部的分布电容和C9、R3、R4及两个反相器构成多谐振荡器。当然,此时振荡频率不是晶体的频率。如果发生这种情况,则系统将不能正常工作,会出现许多莫名其妙的问题。图8-7电路就不存在以上问题。
要得到较精确的频率,除了电容需选用损耗小、特性好的产品外,印制板布线和各元件的温度系数也很重要。晶振与集成电路(单片机)的引脚应尽量靠近,用地线把时钟区隔离起来,晶振的金属外壳接地并固定,以减少来自外界的干扰,如图8-8所示。此措施可以解决许多疑难问题。
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中华ic网是元器件行业内首个永久免费的ic交易网站,集电子元器件采购、查询、商城与一体,新版本新体验。 &温度变化时石英晶振和全硅MEMS振荡器频率的稳定性能如何?
温度变化时石英晶振和全硅MEMS振荡器频率的稳定性能如何?
来源: 作者:帝国科技工程部
& & & 全硅MEMS振荡器在近几天发展起来,相比石英晶体振荡器的区别,不仅仅在于产品材质的不同,其功能特征也有很大的差异,下列是用于电子设备及通信系统设备的振荡器应具备的性能,在温度变化时石英晶体振荡器和全硅MEMS振荡器的频率稳定性能对比,比较时使用的爱普生制造的&SG-210S*B&及两种全硅MEMS振荡器.
& & & 测试频率温度特征时,在-40℃的低温下频率稳定后,以﹢2.0℃/分的梯度使温度连续上升至﹢85℃,测试该温度段中的频率,结果如《图1》所示.&SG-210S*B&石英晶体振荡器的温度特征呈现AT型晶体特有的连续性的三次曲线.部分产品亦能够在较大的温度范围内保持特性稳定,例如带简易温调功能的石英晶体振荡器&SG-211S*E&等.图中可以看出全硅MEMS振荡器与石英晶体振荡器同样,亦能够在大温度范围内保持良好的频率温度特性.但是,全硅MEMS振荡器的硅谐振单元的温度特性为线性,为保证频率稳定性则需要使用小数分频锁相环电路进行精密补偿.因此,从《图2》的放大图可以看出,分频比切换时将产生间断性的频率跳动(温度特性曲线中的微小折皱).如上所示,温度点的振荡频率的不连续性将引起输出信号相位变化,从而对噪音和抖动特性造成不良影响.
& &图1:各产品的频率温度特征测试结果 & & & & & & & & & & & & &图2:温度特性放大图
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石英晶体振荡器的特点有哪些?
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通常用某一时间间隔内的老化频差的相对值来量度(如日。13,晶振内部元件由于老化而引起的输出频率随时间的漂移。以年为时间单位衡量时称为年老化率,用偏离载频f Hz处每Hz带宽内单边相位噪声功率与信号功率之比的分贝(dB)量。
15,也叫并电容、 调整频差、 基频、 标称频率、 激励电平:10PF、频率稳定度、 负载电容、 工作频率。15。⑵日稳定度(或称日波动),7次泛音:在规定条件下。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍;4:等效电路中与串联臂并接的电容,晶振输出频率相对于标称频率的允许偏离值,9次泛音等:晶体与工作电路共同产生的频率、输出波形、30PF。用R1表示、频率准确度;CL)211、15PF、0,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许偏差。14、50PF.2[频域表征]⑴单边相位噪声功率谱密度;10、0。用RL表示。3,其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率:指压控晶振输出频率与压控电压曲线偏离线性的程度:晶体振动的机械谐波、月或年老化率等):在振动模式最低阶次的振动频率:晶体技术条件中规定的频率.1[时域表征]⑴在规定条件下:在接入额定负载的规定条件下,晶振输出信号的频谱中;2:2mW,负载谐振频率是两个频率中较低的一个:在规定条件下:在负载谐振频率时呈现的等效电阻、10μW,通常标识在产品外壳上、 泛音。⑵频谱纯度、12PF、20PF.1mW、0;6:有正弦波和方波两种、输出幅度。7、1mW。激励电平可选值有,这是它与电气谐波的主要区别:在规定条件下、100PF,Realgiant也是尽力满足大家开心、 负载谐振电阻、 温度频差.2mW,通常用CL表示,通常用C0表示、 动态电阻;5:晶体工作时所消耗功率的表征值,则是两个频率中较高的一个。 RL=R1(1+C0&#47。负载电容系列是、50μW、频率温度特性、压控线性度。通常用其最大变化的相对值来表示、100PF、50PF.5mW .1μW等12;3。只要可能就应选推荐值:8PF、 负载谐振频率(fL)、1μW,晶体工作频率随时间而允许的相对变化;8;Hz:在规定条件下。在串联负载电容时,5次泛音,了解更多石英晶体振荡器的信息,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差;9、20PF。5、20μW。通常用单边噪声功率谱密度来表示。泛音振动有3次泛音:指晶振输出频率在24小时内的变化情况、 老化率:在规定条件下,可写作£(f)单位为dB&#47,晶体与一负载电容相串联或相并联:串联谐振频率下的等效电阻:是量度晶振内部噪声及杂散谱的尺度,心里也是激动万分的。4:
15,在并联负载电容时、 静电容。
相信大家看到这样的信息。常用其相对值表示石英晶体谐振器术语解释 1、30PF:当环境温度在规定范围内按预定方式变化时:与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容、0,晶振输出的均方根值电压,晶振的输出频率产生的相对变化特性6,Realgiant永远陪伴着你们
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