GT30J122是N勾道或是p沟道mos管?

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-07-28 14:48 标签： p沟道mos管
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GT30J122A分立式IGBT硅N沟道IGBTGT30J122A1.应用oo致力于为电流型逆变器开关应用致力于为偏开关功率因数校正（ PFC ）的应用本文描述的产品（S）不应该被用于任何其他应用。注意：2.特点(1)(2)(3)(4)第4代增强型高速开关：吨f= 0.20us（ TYP。） （我C= 50 A)低饱和电压： VCE （ SAT ）= 1.7 V （典型值）。 （我C= 50 A)3.包装和内部电路1 ：门2 ：收藏家3 ：发射器TO-3P(N)1Rev.1.0GT30J122A4.绝对最大额定值（注） （Ta= 25?除非另有规定编）25?特征集电极 - 发射极电压栅极 - 发射极电压集电极电流（ DC ）集电极电流（ 1毫秒）集电极耗散功率结温储存温度安装力矩(Tc= 25?)符号VCESVGESICICPPCTjT英镑器等级600±2530100120150-55到1500.8N·m的W?A单位V注意：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大收视率。请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性（ &Handling Precautions& / &Derating概念和Methods& ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告与估计的故障率，等）。在一般情况下， IGBT的损耗增加更多时，它具有正温度系数，并得到更高的温度。在的情况下的温度上升，由于IGBT的损耗超过了设备的热释放的能力，它会导致以热失控并导致破坏。因此，请设计并适当考虑到IGBT的温度上升的装置的热释放。5.热特性特征结到外壳热阻符号R日（J -C ）最大1.04单位?/W2Rev.1.0GT30J122A6，电气特性6.1 。静态特性（Ta= 25?除非另有规定编）25?特征栅极漏电流集电极截止电流栅极 - 发射极截止电压集电极 - 发射极饱和电压符号IGESICESVCE （ SAT ）测试条件VGE=±25V, VCE= 0 VVCE= 600 V, VGE= 0 VIC= 50 A，VGE= 15 V民??3.0?典型值。???1.7最大±1001.06.02.8单位nAmAVVGE （关闭）IC= 50 mA时， VCE= 5 V6.2 。动态特性（Ta= 25?除非另有规定编）25?特征输入电容切换时间（上升时间）切换时间（导通时间）切换时间（下降时间）切换时间（关断时间）符号CIEStrtontft关闭测试条件VCE= 10 V, VGE= 0 V,F = 1 MHz的阻性负载VCC= 300 V，IC= 50 A,VGG=±15V ，RG= 39Ohm参见图。 6.2.1 ， 6.2.2 。民?????典型值。25000.200.300.200.50最大???0.40?单位pFus图。切换时间6.2.1测试电路图。切换时间6.2.2时序图7，打标（注）图。 7.1标志注意：下一个批号的行标识产品标签的指示。[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令产品的兼容性。RoHS指令是对指令2002/95 / EC欧洲议会和日理事会在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。注意：该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。3Rev.1.0GT30J122A8.特性曲线（注）图。 8.1我C- VCE图。 8.2 VCE- VGE图。 8.3 VCE- VGE图。 8.4 VCE- VGE图。 8.5我C- VGE图。 8.6 VCE （ SAT ）- Tc4Rev.1.0GT30J122A图。 8.7开关时间 -
R的G图。 8.8开关时间 - 我C图。 8.9安全工作区（保证最高）图。 8.10反向偏置SOA（保证最高）图。 8.11 ?日（J -C ）- tw（保证最高）注意：上述特性曲线呈现仅供参考，不生产测试保证。5Rev.1.0
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