ugnugn—3501m计算t能用来检测磁场大小吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-10-26 02:49 标签： 磁场大小与什么有关
霍尔传感元器件及其应用_百度文库
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霍尔传感元器件及其应用
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当前位置：&>>&&>>&&>>&线性霍尔元件的原理及应用
　　UGN350lT是一种目前较常用的三端型线性。它由、霍尔发生器和组成。用UGN350lT可以十分方便地组成一台。其使用十分简单，先使B=0，记下表的示值VOH，再将探头端面贴在被测对象上，记下新的示值VOH1。
　　ΔVOH=VOH1-VOH
　　如果ΔVOH》0，说明探头端面测得的是N极;反之为S极。的灵敏度为7V/T，由此即可测出相应的被测磁感应强度B。
　　如果采用数字电压表（DVM），可得图1所示的线性高斯计。运放采用高精度运放。该电路的具体调零方式为：开启后，令B=0，调节W1使DVM的示值为零，然后用一块标准的钕铝硼（B=0.1T）贴在探头端面上，调节W2使DVM的示值为1V即可。本高斯计检测时示值如果为-200mV，则探头端面检测的是S极，磁场强度为0.02T。本高斯计也可用来测量交变的磁场，不过DVM应改为交流电压表。显然使用图1的电路可以很方便地扩展普通的功能。
　　用UGN3501T还可以十分方便地组成如图2所示的钳形电流表。将霍尔元件置于钳形冷轧硅钢片的空隙中，当有电流流过导线时，就会在钳形圆环中产生磁场，其大小正比于流过导线电流的安匝数;这个磁场作用于霍尔元件，感应出相应的霍尔电势，其灵敏度为7V/T，经过运放μ调零，线性放大后送入DVM，组成数字式钳形电流表。该表的调试也十分简单：导线中的电流为零时，调节W1、W2使DVM的示值为零。然后输入50A的电流，调W3使DVM读数为5V;反向输入-50A电流，数字表示值为-5V。反复调节W1、W2、W3，读数即可符合要求。本钳形电流表经实验，其灵敏度不小于0.1V/A，同样，本电流表也可用于交流电流的测量，将DVM换成交流电压表即可，十分方便。
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传感器技术实用教程教学配套课件 吕勇军 第6章磁场与成分参数测量传感器.pdf全文-大学课件-在线文档 73页
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实用传感器技术教程
第6章磁场与成分参数测量传感器
磁敏电阻传感器
集成磁场传感器
磁敏二极管和磁敏三极管
气敏传感器
湿敏传感器
?磁场以及成分参数的测量在日常生活以及工业
中占据重要的地位。磁场的测量主要是磁场强
度以及磁场方向的测量，成分参数测量主要是
指气体参数与湿度参数的测量。
?在本章中，磁场主要是通过磁敏电阻器、集成
磁场传感器、磁敏二极管和磁敏三极管进行测
量的，而气体参数和湿度参数是通过气敏传感
器和湿敏传感器进行测量的。
6.1 磁敏电阻传感器
?磁敏式传感器按其结构可分为体型和结型两大
类，前者有霍尔传感器（其材料主要有InSb，
InAs，Ge，Si，GaAs等）和磁敏电阻
（1nSb，InAs ），后者有磁敏二极管（Ge，
Si ）、磁敏晶体管（Si等）。
?它们都是利用半导体材料中的自由电子或空穴
随磁场改变其运动方向这一特性而制成的一种
磁敏传感器。
磁敏传感器原理与结构
?磁敏电阻器是基于磁阻效应的磁敏元件。
?当长方形半导体片受到与电流方向垂直的磁场
作用时，不但产生霍尔效应，而且还会出现电
流密度下降、电阻率增大的现象。若适当地选
几何尺寸，还会出现电阻值增大的现象。前一
种现象称为物理磁阻效应，后一种现象称为几
何磁阻效应。半导体磁阻器件就是综合利用这
样两种效应而制成的磁敏器件。
磁敏传感器原理与结构
?1.磁阻效应
? 磁阻效应是指将一载流导体置于外磁场中，其电阻率会发生变化
（增大），它是伴随霍尔效应同时发生的一种物理效应。
? 当温度恒定时，在弱磁场范围内，磁阻与磁感应强度B的平方成
正比。如果器件只有在电子参与导电的简单情况下，理论推导出
来的磁阻效应方程为
? 1??0.273? B
磁敏传感器原理与结构
?1.磁阻效应
? 当电阻率变化为
0 时，则电阻率的相对变化率为
? 半导体中仅存在一种载流子时，磁阻效应很弱。若同时存在两种
载流子，则磁阻效应很强，此时
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