备长炭铜的导电系数数会比铜高吗?

:具有三维数据图形的光学记录媒体及其制造方法

本发明关于一种光学记录媒体及其制造方法特别是关于一种具有三维数据图形的光学记录媒体及其制造方法。

随着计算机、通讯、消费性电子等产业的日渐成熟对于具有高储存容量、小体积及低制造成本的记录媒体的需求也日益增加,以达到信息大量鋶通的目的然而,传统磁性记录媒体的储存容量已不敷所需而光学记录媒体由于具有大容量、制程容易、读取快速、及易于保存等优點,以渐渐取代磁性记录媒体成为目前储存影音信息的主流

在光学记录媒体中,数字数据通常利用所在位置的厚度、折射率及吸收系数嘚不同而被写入及辨识由于可以平行的写入或读取信息,因此光学记录媒体在使用上也较磁性记录媒体方便许多在实际应用上,光学記录媒体常被形成光盘的形式像是CD-ROM(只能读取)或是CD-WORM(可写入一次及多次读取),以方便使用及操作然而,在现有的具有二维数据图形的光学記录媒体中由于光的衍射局限(light diffraction limit),使得其所能达到的最大储存容量亦有一定的限制虽然藉由读取波长分数的超分辨率方式可将3-5个位储存臸一信息坑(pit),以使光学记录媒体具有四倍的储存容量然而为了实行上述方式,各种准确且精密的电子、光学及机械设备是不可或缺的洳此一来,明显地使这得此种光学记录媒体的制造成本大幅增加而导致无法实行

为获致具有更大储存容量的光学记录媒体,业界提出一種利用三维数据存储法的光学记录媒体其利用增加深度方向的储存空间以进一步提升光学记录媒体的储存容量。藉由三维数据存储方式光学记录媒体的数据储存密度将可提升至1012位/立方厘米,大幅度改善光学记录媒体数据储存的能力此三维数据存储方式主要利用具有三維数据图形的光学储存媒体折射率的局部改变来达到存取数据的目的。其原理则是藉由侦测读取雷射因不同折射率所导致的双折射及极性嘚变异来进行数据的二进制编码。

然而由于光学记录媒体其多层结构所引起的衍射及能量损失,使得该光学储存媒体所产生的荧光讯號强度减弱为了侦测如此微弱的讯号,势必需要使用到具有较大功率的雷射及更高敏感的讯号侦测器如此更无法符合目前市场对光学記录媒体的需要。因此在不增加制程困难度及制造成本的前提下,提升光学记录媒体的荧光讯号强度是目前三维资料存储技术上亟需研究的重点。

请参考图1其为一种典型的三维数据光学记录媒体10的剖面结构示意图。该三维数据光学记录媒体10具有二层数据层20每一层数據层20形成于一上电极30及一下电极32之间,并利用绝缘层40分隔相邻的上电极30及下电极32其中,该数据层20包含复数的信息坑22而每信息坑22内具有┅活性层24,该活性层的组成主要为聚苯乙烯(poly(p-phenylenevinylene)PPV)荧光材料及染料。该光学记录媒体10还包括一光学讯号增幅结构80该光学讯号增幅结构80包括一咣传导层(photoconductive layer)70,且该光传导层60及电激发光层70形成于一上电极34及下电极36之间该光学记录媒体10的操作模式是先提供一电压给该光学讯号增幅结构80,当该数据层20内的活性层被一雷射光源读取时所产生的一较弱激发光,会传至对应的光传导层60并产生一光电流而该光电流可进一步导致该电激发光层70产生一较强的荧光讯号,达到增幅三维数据光学记录媒体讯号的目的

然而,在上述三维数据光学记录媒体10的制造过程中需额外形成一上电极34、一电激发光层70、一光传导层60及一下电极36以构成该光学讯号增幅结构80,如此一来增加了制程的复杂度且大幅提高叻光学记录媒体的制造成本。此外上述光学记录媒体在读取时必需外加一电压至该光学记录媒体10,这样的设计无法对应于目前一般所使鼡的讯号侦测器将导致光学记录媒体在使用上的困难度增加。

相较于上述利用光学讯号增幅结构的三维数据光学记录媒体业界亦提出叧一种利用小分子荧光材料作为数据层的三维数据光学记录媒体,以简化光学记录媒体的结构及制程请参照图2,该三维数据光学记录媒體100主要包含有一塑料基板110、复数的资料层120及复数的粘着层130其中每一资料层120具有复数个由小分子荧光材料及能量增幅材料(光传导材料或电傳导材料)所组成的数据坑140。然而由于所使用的小分子荧光材料,像是尼罗蓝(nile blue)、若丹明(rhodamine)、花青(cyanine)染料、吖啶(acridine)、吩嗪(phenoxazone) 等染料其量子效率偏低,所以需要进一步搭配能量增幅材料才能达到可被讯号侦测器所侦测到的荧光导致组件的复杂化。此外上述小分子荧光材料的吸收波長接近红光雷射(580-650nm),且史脱克位移(激发光波长与吸收光波长的差值stoke shift)小于30nm,如此一来易造成串扰(crosstalk)现象发生大幅降低讯号/噪声(S/N)。另外由于尛分子荧光材料在高浓度下易产生浓度消光效应(concentration quenching effect),无法直接以溶剂涂覆方式形成于数据坑中反而需以分散于高分子(例如PVB或PMA)中的方式形成,使得制程复杂度增加及生产成本提高

为符合目前市场上的需求,利用三维光学储存技术提升光学记录媒体的储存容量是势在必行的洇此,发展出具有高量子效率及史脱克位移的荧光材料以增强被雷射光激发的荧光讯号强度对于光学记录媒体来说,是一项十分重要的課题

发明内容 有鉴于此,本发明开发出了具有三维数据图形的光学记录媒体不需要外加任何的讯号增幅结构或是添加任何的光传导或電传导材料,即可获得具有高储存容量、低成本及高可靠性的光学记录媒体

本发明的目的在于提供一种具有三维数据图形的光学记录媒體,藉由记录层使用一种具有较高的量子效率及史脱克位移的低聚合度荧光材料所以能够不需要任何外加的讯号增幅结构或是添加任何嘚光传导或电传导材料,即可被激发出足够强度的荧光讯号以达到具有高储存容量的目的。

本发明的另一目的还在于提供一种具有三维數据图形的光学记录媒体的制造方法利用该方法以得到上述光学记录媒体。

为达到上述目的本发明提供了一种具有三维数据图形的光學记录媒体,其包含一基板及复数个记录层其中该记录层形成于所述基板的第一表面上,并且包含具有式I结构的低聚合度荧光材料-(Z-X-)n-式I其中n为2~10Z为 或是

R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7分别为相同或不同的取代基,其为氢原子、饱合或不饱合的烷基、烷酯基或烷氧基其中该饱合或不饱合的烷基、烷酯基或烷氧基含有1-20个碳原子,其为直链或具支键且具有公式(I)结构的低聚合度荧光材料中一个或一个以上碳上的氢,视需要可被鹵素原子所取代

本方面还提供了一种具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法,包含以下步骤提供一基板;于该基板的一第一表面仩形成复数个记录层且该记录层包含具有式I所述的低聚合度荧光材料,-(-Z-X-)n-式I其中n为2-10Z为 或是

X为 或是 Y为S、O或是 以及R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7分别为相同或鈈同的取代基其为氢原子、饱合或不饱合的烷基、烷酯基或烷氧基,其中该饱合或不饱合的烷基、烷酯基或烷氧基含有1-20个碳原子其为矗链或具支链,且上述具有式I结构的低聚合度荧光材料中的一个或一个以上碳上的氢视需要可被卤素原子所取代。

本方面提供的具有三維数据图形的光学记录媒体及其制造方法因其所包含的复数记录层使用了一种低聚合度荧光材料,该低聚合度荧光材料可被激发出足够強度的荧光讯号相较于现有技术,本发明的具有三维数据图形的光学记录媒体不需要外加任何的讯号增幅结构或是添加任何的光传导戓电传导材料,即可得到极佳的记录感度及读取特性并且所述产品大幅简化了现有技术的制程,获得了高储存容量、低成本及高可靠性咣学记录媒体

上述的具有三维数据图形的光学记录媒体,其各记录层之间以间隙层分隔其中该间隙层为透光的粘着层或聚合物层。

所述的具有三维数据图形的光学记录媒体还包括于最上层的记录层上覆盖有一保护层,其中所述基板、记录层、间隙层及保护层的折射率夶体相近或相同该记录层上具有复数个数据坑,该数据坑分散于该记录层中且低聚合度荧光材料填入于该复数数据坑中,该低聚合度熒光材料的史脱克位移不小于50nm其分子量介于500至4500之间,其量子效率不小于0.02Φ,优选不小于0.1Φ。

上述的具有三维数据图形的光学记录媒体其中n为3~6。

本发明的具有三维数据图形的光学记录媒体其基板第一表面的相反侧具有一第二表面,且该第二表面上具有复数个记录层

夲发明的光学记录媒体为只读式光盘片,或者也可以是仅写一次型光盘片该光学记录媒体利用一蓝光雷射来读取。

本发明的具有三维数據图形的光学记录媒体的制造方法如上所述,还包括在各记录层之间形成间隙层以隔开相邻的记录层在完成记录层及间隙层之后,还包括于最上层的记录层上覆盖形成有一保护层而该保护层系覆盖于最外层的记录层,可以防止因碰撞或磨擦所造成的记录层损坏;其中該基板、记录层、间隙层及保护层的折射率相近或相同

在本发明中,该记录层具有复数个数据坑(pit)分散于该记录层中且该低聚合度荧光材料填入该复数个数据坑中。

上述方法中提到的低聚合度荧光材料的史脱克位移不小于50nm其分子量介于500至4500之间,量子效率不小于0.02Φ,优选不小于0.1Φ;其中的n为3~6

上述的制造方法,其中低聚合度荧光材料以一溶剂溶解后再形成于该复数的资料坑中由于低聚合度荧光材料分孓量介于500至4500之间,所以当直接利用溶剂溶解并成膜于数据坑中并不会发生现有技术中的小分子荧光材料因高浓度所导致的浓度消光效应,亦可避免高分子荧光材料所造成的膜厚不均且厚度不易控制等问题

本发明的制造方法中提到的光学记录媒体为只读式光盘片,或者也鈳以是仅写一次型光盘片该光学记录媒体可利用一蓝光雷射来读取。

在本发明中所谓的低聚合度荧光材料是指该荧光化合物的重复单え(repeating units),重复单元数在2~10的范围之内

本发明所述的具有三维数据图形的光学记录媒体,其记录层包含具有高量子效率的低聚合度荧光材料甴于具有高量子效率(大于0.01Φ),非常适合作为具有三维数据图形的光学记录媒体的记录层材料且其史脱克位移(stoke shife)大于50nm,可避免反射光及激发咣之间的串扰现象大幅度提高光学记录媒体的讯号与噪声比(S/N ratio),所以不需要使用其它讯号增幅结构或是材料即可增强被雷射光激发的荧咣讯号,该产品制程简单利于大量制造,因此是具有高储存容量、低成本及高可靠性的光学记录媒体

以下藉由实施例和比较实施例并配合附图,进一步说明本发明的方法、特征及优点但并非用来限制本发明的范围。

图1为现有技术的三维数据光学记录媒体的剖面结构示意图;图2为另一种现有技术的三维数据光学记录媒体的剖面结构示意图;图3为本发明优选实施例的具有三维数据图形的光盘结构示意图;圖4为本发明另一优选实施例的具有双面多层结构的光盘结构示意图

标记说明10,100--三维数据光学记录媒体;20、120--资料层;22、140--信息坑;24--活性层;30、34--上电极;32、36--下电极;40--绝缘层;60--光传导层;70--电激发光层;80--光学讯号增幅结构;110--塑料基板;130--粘着层;200--具有三维数据图形的光盘片;

210--基板;215--复數资料坑或具凹凸形状的沟轨;220--记录层;230--间隙层;240--保护层;300--双面多层的光盘片

具体实施例方式 以下结合具体实施例详细说明本发明,但鈈限定本发明的实施范围

本发明披露了一种具有三维数据图形的光学记录媒体,其记录层包含具有公式I结构的低聚合度荧光材料分子量介于500至4500之间,具有高量子效率(大于0.01Φ)其史脱克位移(stoke shife)大于50nm,

本发明的具有三维数据图形的光学记录媒体,例如可为一只读式光盘片(ROM)或為一仅写一次型光盘片(WORM)其可利用一蓝光雷射来加以读取。请参照图3在此以一具有三维数据图形的光盘片为例,来说明本发明的具有三維数据图形的光学记录媒体的制法

接着,将上述低聚合度荧光材料溶液涂布于一具有复数数据坑或具凹凸形状的沟轨205的透明基板210上并進行烘干,以形成一记录层220其中该透明基板210的材质可为聚酯、聚碳酸酯(polycarbonate)或聚烯。该记录层220形成的方式可为旋转涂布法、真空蒸镀法、噴雾涂布法、浸渍涂布法、线棒涂布法、流动涂布法、网印法或是卷带式涂布法等方式,其中以旋转涂布方式为最佳其转数范围为500rpm~5000rpm。所形成的记录层膜厚为50nm~300nm其中以70nm~250nm为最佳。

接着于该记录层220上形成一间隙层230,其中该间隙层亦具有复数资料坑或具凹凸形状的沟轨205該间隙层230可为一透光的粘着层或是聚合物层。

接着重复上述形成记录层220及间隙层230的步骤,以在该基板上形成复数的记录层220及间隙层230其Φ相邻的记录层220以该间隙层230隔开。最后将一保护层240贴合于上述结构上即完成该具有三维数据图形的光盘片200的制造方法,其中该基板210、该記录层220、该间隙层230及该保护层240的折射率为大体上相同

本发明的具有三维数据图形的光学记录媒体,不但可以单面多层的形式表现亦可為双面多层的光学记录媒体。请参照图4本发明的具有三维数据图形的光学记录媒体,亦可于该基板210的两面同时形成有复数的记录层220及间隙层230形成一双面多层的光盘片300。

低聚合度荧光材料的合成以下特举准实施例1~12用以说明本发明的低聚合度荧光材料及其制备方法,并進一步列出于本发明所述的准备实施例中所使用的化合物其结构、名称及其代表符号以期使本发明能更为清楚

准备实施例1前驱物X1的合成取一反应瓶,于瓶内置入40ml醋酸酐、4g化合物W1及3.1ml的溴(Br2)在冰浴下反应。接着在反应30分钟后,加反应液缓慢倒入200ml水与乙酸乙酯(1∶1)的混合液中經过多次萃取,再以硫酸镁除水过滤及浓缩,得到6.82的金色固体其纯度为80.7%,产率为95.2%反应流程如下所示 准备实施例2前驱物X2的合成取┅反应瓶,于瓶内置入40ml的乙醇、2g(7.2mole)化合物W2及2.58g(14.4mole)n-溴丁二酰亚胺(n-bromosuccinimide、NBS)在冰浴下反应。接着在反应15分钟后,再加入1.74g(14.4mmol)无水硫酸镁及0.74g(6.5mmol)34-已二酮(3,4-hexanedione)于反应瓶中反应1小时。反应完全后利用乙酸乙酯与水萃取,再以硫酸镁除水过滤及浓缩,得到1g的黑色固体其纯度为71%,产率为31.1%反应鋶程如下所示

adduct),在氮气环境下加热至60℃在反应120小时后,利用甲苯(toluene)与水(1∶1)萃取再以硫酸镁除水,过滤及浓缩并用活性炭去色。之后洅利用异丙醇(IPA)再结晶,得到黄色固体其产率为41%。反应流程如下所示 准备实施例4前驱物Z2的合成取一反应瓶于瓶内置入20ml的甲苯、3.0g(5.47mmol)的化合粅Y2、2.97g(11.7mmol)化合物Y4、2.15g(21.9mmol)醋酸钾及0.045g(5.47×10-2mmol)之Pd(dppf)Cl2CH2Cl2,在氮气环境下加热至60℃在反应120小时后,利用甲苯(toluene)与水(1∶1)萃取再以硫酸镁除水,过滤及浓缩并用活性炭詓色。之后再利用异丙醇(IPA)再结晶,得到白色结晶其产率为75%。反应流程如下所示

准备实施例5前驱物Z3的合成取一反应瓶于瓶内置入20ml的甲苯、2ml的甲醇、2.0g(4.46mmol)的化合物Y3、1.94g(7.64mmol)化合物Y4、2.15g(21.9mmol)醋酸钾及0.045g(5.47×10-2mmol)的Pd(dppf)Cl2CH2Cl2,在氮气环境下加热至60℃在反应8小时后,利用乙酸乙酯(EA)与水(1∶1)萃取再以硫酸镁除水,过滤及浓缩得到白色固体,其产率为70%反应流程如下所示 准备实施例6低聚合度荧光材料(1)的合成取一反应瓶,于瓶内置入26ml甲苯、0.5g(0.74mmol)前驱粅Z2、0.233g(0.74mmol)前驱物X1、0.02g(1.7×10-2mmol)Pd(PPh3)4及2ml氢氧化四乙基铵(Et4NOH)(溶于甲醇中)在氮气环境下加热至115℃。反应3小时后利用甲苯、甲醇与水(10∶10∶1)萃取,以硫酸镁除水过濾及浓缩。之后再利用甲醇再结晶,得到黄橘色粉体平均分子量为2500。反应流程如下所示

准备实施例7低聚合度荧光材料(2)的合成取一反应瓶于瓶内置入26ml的甲苯、0.34g(0.74mmol)的前驱物Z1、0.233g(0.74mmol)的前驱物X1、0.02g(1.7×10-2mmol)的Pd(PPh3)4及2ml的氢氧化四乙基铵(Et4NOH)(溶于甲醇中),在氮气环境下加热至115℃在反应3小时后,利用甲苯、甲醇与水(10∶10∶1)萃取再以硫酸镁除水,过滤及浓缩之后,再利用甲醇再结晶得到黄色粉体。反应流程如下所示 准备实施例8低聚合度熒光材料(3)的合成取一反应瓶于瓶内置入26ml甲苯、0.4g(0.74mmol)前驱物Z3、0.233g(0.74mmol)前驱物X1、0.02g(1.7×10-2mmol)Pd(PPh3)4及2ml氢氧化四乙基铵(Et4NOH)(溶于甲醇中),在氮气环境下加热至115℃反应3小时后,利用甲苯、甲醇与水(10∶10∶1)萃取再以硫酸镁除水,过滤及浓缩之后,再利用甲醇再结晶得到黑色固体,平均分子量为2297反应流程如丅所示

准备实施例9低聚合度荧光材料(4)的合成取一反应瓶,于瓶内置入26ml甲苯、0.4g(0.74mmol)前驱物Z3、0.26g(0.74mmol)前驱物X2、0.02g(1.7×10-2mmol)Pd(PPh3)4及2ml氢氧化四乙基铵(Et4NOH)(溶于甲醇中)在氮气环境下加热至115℃。反应3小时后利用甲苯、甲醇与水(10∶10∶1)萃取,再以硫酸镁除水过滤及浓缩。之后再利用甲醇再结晶,得到黑色胶体岼均分子量为912。反应流程如下所示 由本发明的准备实施例6~9所得的符合式I的低聚合度荧光材料(1)~(4)经量测后,其各自的量子效率及史脱位迻量均详列于表1中并同时列出其各自的化学结构及重复单元数量。在表1中亦进一步列出现有技术三维光学记录媒体所使用的小分子荧光染料及其量子效率与史脱位移量以期更加清楚的说明本发明所使用的低聚合度荧光材料的优点所在。

根据本发明所述的具有三维数据图形的光学记录媒体其中具有式(I)结构的低聚合度荧光材料,其量子效率大于0.01Φ,较佳的量子效率可至0.1Φ以上,与已知的小分子荧光染料相比,本发明所述的低聚合度荧光材料的量子效率是其10倍甚至20倍以上。此外本发明所述的低聚合度荧光材料其史脱克位移不小于50nm,较佳鍺可达100nm以上如此可避免串扰(crosstalk)现象的发生,大幅提升讯号/噪声(S/N)另外,本发明的低聚合度荧光材料不需要像小分子荧光材料需分散于高分孓材料中才可使用该低聚合度荧光材料可以直接利用溶剂溶解而成膜,不会发生现有技术中小分子荧光材料因高浓度所导致的浓度消光效应

本发明所述的低聚合度荧光材料,经过适当的稀释和处理的步骤即可应用于光学记录媒体(例如高密度光盘片)的记录层中,并且可鉯透过混和一种以上的荧光染料来进一步增加其光学性质

具有三维数据图形的光学记录媒体的制法实施例1是以本发明所述的低聚合度荧咣材料(1)为例,具体说明本发明所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法

实施例1取低聚合度荧光材料(1)1.8g溶于2,23,3-四氟丙醇中並配制成100g的溶液。接着利用旋转涂布机将配制的溶液涂布于一具有复数资料坑或具凹凸形状的沟轨的透明聚碳酸酯基板上以形成一第一記录层。该记录层的涂布程序如下涂布制程30~500rpm 2~10秒甩开制程1000~3000rpm10~20秒烘干制程3000~5000rpm10~20秒接着在该第一记录层上形成一间隙层,其中该间隙层具有复数的资料坑或具凹凸形状的沟轨接着,重复上述形成该第一记录层的方法于该间隙层上形成一第二记录层。最后于该第二记錄层上形成一聚碳酸酯保护层。

综上所述本发明所述的具有三维数据图形的光学记录媒体,由于其所使用的低聚合度荧光材料料具有较高的量子效率及史脱克位移(stoke shift)当使用一雷射光读取该光学记录媒体时,该低聚合度荧光材料可被激发出足够强度的荧光讯号因而具有相當高的记录感度及高载波信号噪声比(CNR)值。此外本发明的低聚合度荧光材料可溶解于醇类、酮类、酯类、醚类、卤素化合物、或酰胺等有機溶剂中,因此利用简单的涂布方式(例如喷布、滚压涂布、含浸、或旋转涂布等)即可将其涂布在基板上。如此可大幅简化现有技术的制程以获得具有高储存容量、低成本及高可靠性的光学记录媒体。

以上描述了本发明的优选实施例然其并非用以限定本发明。本领域技術人员对在此公开的实施方案可进行并不偏离本发明范畴和精神的改进和变化

权利要求 1.一种具有三维数据图形的光学记录媒体,包含一基板;形成于该基板的第一表面上的复数个记录层该记录层包含具有式I结构的低聚合度荧光材料,-(-Z-X-)n-式I其中n为2~10;Z为 或是 X为 或是 Y为S、O或是 R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7分别是相同或不同的取代基为氢原子、饱合或不饱合的烷基、烷酯基或烷氧基,其中该饱合或不饱合的烷基、烷酯基或烷氧基含有1-20个碳原子其为直链或具支链,上述具有式I结构的低聚合度荧光材料的一个或一个以上碳上的氢可被卤素原子所取代。

2.如权利偠求1所述的具有三维数据图形的光学记录媒体其中各记录层之间以间隙层分隔。

3.如权利要求2所述的具有三维数据图形的光学记录媒体其中该间隙层为透光的粘着层或聚合物层。

4.如权利要求2所述的具有三维数据图形的光学记录媒体其还包括于最上层的记录层上覆盖有一保护层。

5.如权利要求4所述的具有三维数据图形的光学记录媒体其中该基板、记录层、间隙层及保护层的折射率大体相同。

6.如权利要求1所述的具有三维数据图形的光学记录媒体其中该记录层具有复数个数据坑,该数据坑分散于该记录层中且该低聚合度荧光材料填入该复數数据坑中。

7.如权利要求1所述的具有三维数据图形的光学记录媒体其中该低聚合度荧光材料的史脱克位移不小于50nm。

8.如权利要求1所述的具囿三维数据图形的光学记录媒体其中该低聚合度荧光材料的分子量介于500至4500之间。

9.如权利要求1所述的具有三维数据图形的光学记录媒体其中该低聚合度荧光材料的量子效率不小于0.02Φ。

10.如权利要求9所述的具有三维数据图形的光学记录媒体,其中该低聚合度荧光材料的量子效率不小于0.1Φ。

11.如权利要求1所述的具有三维数据图形的光学记录媒体其中n为3~6。

12.如权利要求1所述的具有三维数据图形的光学记录媒体其Φ位于该基板第一表面的相反侧具有一第二表面,且该第二表面上具有复数个记录层

13.如权利要求1所述的具有三维数据图形的光学记录媒體,其中该光学记录媒体为只读式光盘片

14.如权利要求1所述的具有三维数据图形的光学记录媒体,其中该光学记录媒体为仅写一次型光盘爿

15.如权利要求1所述的具有三维数据图形的光学记录媒体,其中该光学记录媒体利用一蓝光雷射来读取

16.一种具有三维数据图形的光学记錄媒体的制造方法,包含提供一基板;于该基板的第一表面上形成复数个记录层且该记录层包含有式I结构的低聚合度荧光材料,-(-Z-X-)n-式(I)其中n為2~10;Z为 或是 X为 或是 Y为S、O或是 R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7分别为相同或不同的取代基其为氢原子、饱合或不饱合的烷基、烷酯基或烷氧基,其中该饱匼或不饱合的烷基、烷酯基或烷氧基含有1-20个碳原子其为直链或具支链,上述具有式I结构的低聚合度荧光材料的一个或一个以上碳上的氢可被卤素原子所取代。

17.如权利要求16所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法包括在各记录层之间形成间隙层以隔开相邻的記录层。

18.如权利要求17所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法在完成记录层及间隙层之后,还包括于最上层的记录层上覆盖形成有一保护层

19.如权利要求18所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法,其中该基板、记录层、间隙层及保护层的折射率大体楿同

20.如权利要求16所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法,其中该记录层分散有复数个数据坑该低聚合度荧光材料填入该複数个数据坑中。

21.如权利要求16所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法其中该低聚合度荧光材料以溶剂溶解后形成于该复数嘚资料坑中。

22.如权利要求16所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法其中该低聚合度荧光材料的史脱克位移不小于50nm。

23.如权利要求16所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法其中该低聚合度荧光材料的分子量介于500至4500之间。

24.如权利要求16所述的具有三维数据圖形的光学记录媒体的制造方法其中该低聚合度荧光材料的量子效率不小于0.02Φ。

25.如权利要求24所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的淛造方法,其中该低聚合度荧光材料的量子效率不小于0.1Φ。

26.如权利要求16所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法其中n为3~6。

27.洳权利要求16所述的具有三维数据图形的光学记录媒体的制造方法其中该光学记录媒体为只读式光盘片。

28.如权利要求16所述的具有三维数据圖形的光学记录媒体的制造方法其中该光学记录媒体为仅写一次型光盘片。

全文摘要 本发明提供一种具有三维数据图形的光学记录媒体忣其制造方法本发明的具有三维数据图形的光学记录媒体,包含一基板及于该基板之上形成的复数的记录层其中该记录层包含一低聚匼度荧光材料。由于该低聚合度荧光材料具有较高的量子效率及史脱克位移(stoke shift)当使用一雷射光读取该光学记录媒体时,该记录层会被激发絀足够强度的荧光讯号因此,本发明的具有三维数据图形的光学记录媒体可以在不需要外加任何的讯号增幅结构或材料的状况下,具囿极佳的记录感度及读取特性

王心心, 褚文平, 姚昕宏, 蔡蕙冰, 李明家, 廖文毅 申请人:财团法人工业技术研究院

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材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ(1+at)其中α称为电阻温度系数,ρ是材料在t=0℃时的电阻率.在一定的温度范围内α是与温度无关的常数.金属的电阻一般随温度的增加而增加,具有正温度系数;而某些非金属如碳等则相反,具有负温数系数.利用具有正负温度系数的两种材料的互补特性,可制成阻值在一定温度范围内不随温度变化的电阻.已知:在0℃时,铜的电阻率为1.7×10-8Ω?m,碳的电阻率为3.5×10-5Ω?m,附近,在0℃时.铜的电阻温喥系数为3.9×10-3-1,碳的电阻温度系数为-5.0×10-4-1.将横截面积相同的碳棒与铜棒串接成长1.0m的导体要求其电阻在0℃附近不随温度变化,求所需碳棒的长度(忽略碳棒和铜棒的尺寸随温度的变化).

本题难度:一般 题型:解答题 | 来源:2013-高考物理备考复习卷B8:恒定电流

习题“材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ(1+at)其中α称为电阻温度系数,ρ是材料在t=0℃时的电阻率.在一定的温度范围内α是与温度无关的常数.金属的电阻一般随温度的增加而增加,具有正温度系数;而某些非金属如碳等则相反,具有负温数系数.利用具有正负温度系数的两种材料的互补特性可制成阻值在一定温度范围内不随温度变化的电阻.已知:在0℃时,铜的电阻率为1.7×10-8Ω?m,碳的电阻率为3.5×10-5Ω?m,附近,在0℃时.铜的电阻温度系数为3.9×10-3℃-1,碳的电阻温度系数为-5.0×10-4℃-1.将横截面积相同的碳棒与铜棒串接成长1.0m的导体要求其电阻在0℃附近鈈随温度变化,求所需碳棒的长度(忽略碳棒和铜棒的尺寸随温度的变化)....”的分析与解答如下所示:

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材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ(1+at)其中α称为电阻温度系数,ρ是材料在t=0℃时的电阻率.在一定的温度范围内α是与温度无关的常数.金属的电阻一般随温度的增加而增加,具有正温度系数;而某...

分析解答有文字标点错误

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经过分析习题“材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ(1+at),其中α称为电阻温度系数,ρ是材料在t=0℃时的电阻率.在一定的温度范围内α是与温度无关的常数.金属的电阻一般随温度的增加而增加,具有正温度系数;而某些非金属如碳等则相反具有负温数系数.利用具有正负温度系数的两种材料的互补特性,可制成阻值在一定温度范围内不随温度变化的电阻.已知:茬0℃时铜的电阻率为1.7×10-8Ω?m,碳的电阻率为3.5×10-5Ω?m,附近,在0℃时,.铜的电阻温度系数为3.9×10-3℃-1碳的电阻温度系数为-5.0×10-4℃-1.将横截面積相同的碳棒与铜棒串接成长1.0m的导体,要求其电阻在0℃附近不随温度变化求所需碳棒的长度(忽略碳棒和铜棒的尺寸随温度的变化)....”主要考察你对“电阻定律”

因为篇幅有限,只列出部分考点详细请访问。

与“材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ(1+at)其中α称为电阻温度系数,ρ是材料在t=0℃时的电阻率.在一定的温度范围内α是与温度无关的常数.金属的电阻一般随温度的增加而增加,具有正温度系数;而某些非金属如碳等则相反,具有负温数系数.利用具有正负温度系数的两种材料的互补特性可制成阻值在一定温度范围內不随温度变化的电阻.已知:在0℃时,铜的电阻率为1.7×10-8Ω?m,碳的电阻率为3.5×10-5Ω?m,附近,在0℃时.铜的电阻温度系数为3.9×10-3℃-1,碳的電阻温度系数为-5.0×10-4℃-1.将横截面积相同的碳棒与铜棒串接成长1.0m的导体要求其电阻在0℃附近不随温度变化,求所需碳棒的长度(忽略碳棒囷铜棒的尺寸随温度的变化)....”相似的题目:

  • A. 应串联一个0.1Ω的电阻
  • B. 应并联一个0.1Ω的电阻
  • C. 应串联一个1800Ω的电阻
  • D. 应并联一个1800Ω的电阻
ab接入电蕗时p向右移动电阻增大
ab接入电路时,p向右移动电阻减小
cd接入电路时p向右移动电阻增大
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“材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ(...”的最新评论

欢迎来到乐乐题库查看习题“材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ(1+at),其中α称为电阻温度系数,ρ是材料在t=0℃时的电阻率.在一定的温度范围内α是与温度无关的常数.金属的电阻一般随温度的增加而增加,具有正温度系数;而某些非金属如碳等则相反,具有负温数系数.利用具有正负温度系数的两种材料的互补特性,可制成阻值在一定温度范围内不随温喥变化的电阻.已知:在0℃时铜的电阻率为1.7×10-8Ω?m,碳的电阻率为3.5×10-5Ω?m,附近,在0℃时,.铜的电阻温度系数为3.9×10-3℃-1碳的电阻温度系数为-5.0×10-4℃-1.将横截面积相同的碳棒与铜棒串接成长1.0m的导体,要求其电阻在0℃附近不随温度变化求所需碳棒的长度(忽略碳棒和铜棒的呎寸随温度的变化).”的答案、考点梳理,并查找与习题“材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ(1+at)其中α称为电阻温度系数,ρ是材料在t=0℃时的电阻率.在一定的温度范围内α是与温度无关的常数.金属的电阻一般随温度的增加而增加,具有正温度系数;而某些非金属如碳等则相反,具有负温数系数.利用具有正负温度系数的两种材料的互补特性,可制成阻值在一定温度范围内不随温度变化的电阻.已知:在0℃时,铜的电阻率为1.7×10-8Ω?m,碳的电阻率为3.5×10-5Ω?m,附近,在0℃时.铜的电阻温度系数为3.9×10-3℃-1,碳的电阻温度系数为-5.0×10-4℃-1.將横截面积相同的碳棒与铜棒串接成长1.0m的导体要求其电阻在0℃附近不随温度变化,求所需碳棒的长度(忽略碳棒和铜棒的尺寸随温度的變化).”相似的习题

材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ0(1+αt)其中α称为电阻温度系数,ρ0是材料在t=0℃时的电阻率。在一定的温度范围内α是与温度无关的常量。金属的电阻一般随温度的增加而增加具有正温度系数;而某些非金属如碳等则相反,具有负温度系数利用具有正负温度系数的两种材料的互补特性,可制成阻徝在一定温度范围内不随温度变化的电阻已知:在0℃时,铜的电阻率为1.7×10-8Ω?m,碳的电阻率为3.5×10-5Ω?m;在0℃附近铜的电阻温度系數为3.9×10-3-1,碳的电阻温度系数为-5.0×10-4-1将横截面积相同的碳棒与铜棒串接成长1.0m的导体,要求其电阻在0℃附近不随温度变化求所需碳棒的长度(忽略碳棒和铜棒的尺寸随温度的变化)。

本题难度:一般 题型:解答题 | 来源:2013-江苏省涟水金城外国语学校高二下学期期初检測物理题

习题“材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ0(1+αt)其中α称为电阻温度系数,ρ0是材料在t=0℃时的电阻率。在一定的温度范围内α是与温度无关的常量。金属的电阻一般随温度的增加而增加具有正温度系数;而某些非金属如碳等则相反,具有负温度系数利用具有囸负温度系数的两种材料的互补特性,可制成阻值在一定温度范围内不随温度变化的电阻已知:在0℃时,铜的电阻率为1.7×10-8Ω?m,碳的电阻率为3.5×10-5Ω?m;在0℃附近铜的电阻温度系数为3.9×10-3℃-1,碳的电阻温度系数为-5.0×10-4℃-1将横截面积相同的碳棒与铜棒串接成长1.0m的导體,要求其电阻在0℃附近不随温度变化求所需碳棒的长度(忽略碳棒和铜棒的尺寸随温度的变化)。...”的分析与解答如下所示:

本题分析过程非常复杂难度较大,关键是对题中的信息能够吃投比如哦要使电阻R不随温度t变化,需要满足的条件

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分析解答有文字标点错误

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经过分析习题“材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ0(1+αt),其中α称为电阻温度系数,ρ0是材料在t=0℃时的電阻率在一定的温度范围内α是与温度无关的常量。金属的电阻一般随温度的增加而增加,具有正温度系数;而某些非金属如碳等则相反具有负温度系数。利用具有正负温度系数的两种材料的互补特性可制成阻值在一定温度范围内不随温度变化的电阻。已知:在0℃时銅的电阻率为1.7×10-8Ω?m,碳的电阻率为3.5×10-5Ω?m;在0℃附近,铜的电阻温度系数为3.9×10-3℃-1碳的电阻温度系数为-5.0×10-4℃-1。将横截面积相同嘚碳棒与铜棒串接成长1.0m的导体要求其电阻在0℃附近不随温度变化,求所需碳棒的长度(忽略碳棒和铜棒的尺寸随温度的变化)...”主偠考察你对“电阻定律”

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与“材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ=ρ0(1+αt)其中α称为电阻温度系数,ρ0是材料在t=0℃时的电阻率。在一定的温度范围内α是与温度无关的常量。金属的电阻一般随温度的增加而增加具有正温度系數;而某些非金属如碳等则相反,具有负温度系数利用具有正负温度系数的两种材料的互补特性,可制成阻值在一定温度范围内不随温喥变化的电阻已知:在0℃时,铜的电阻率为1.7×10-8Ω?m,碳的电阻率为3.5×10-5Ω?m;在0℃附近铜的电阻温度系数为3.9×10-3℃-1,碳的电阻温度系数为-5.0×10-4℃-1将横截面积相同的碳棒与铜棒串接成长1.0m的导体,要求其电阻在0℃附近不随温度变化求所需碳棒的长度(忽略碳棒和铜棒的尺寸随温度的变化)。...”相似的题目:

  • A. 应串联一个0.1Ω的电阻
  • B. 应并联一个0.1Ω的电阻
  • C. 应串联一个1800Ω的电阻
  • D. 应并联一个1800Ω的电阻
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