选型MOS管 ，支持12V电压200A电流变送器；

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-06-20 00:49 标签： 电流变送器

MOS 达不到这么高的频率.

用三极管, 还必须采用高频三极管.

这几个功耗不小, 而且 ADI 的器件价格都不低. 

芯片可以直接拿来用吗
芯片 是DA 输出的了. 一般不建议直接输出了. 输出的只个信號,您需要用三极管做一级功放了.
另外, 该芯片输出波形与频率是可调可控的. 通过 IIC 通信来控制.
您没说您要设计什么产品, 不好给出进一步的建议!!!!

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漏源击穿电压:300V

反向传输电容:80pF

深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计集研发、生产和销售为一體的国家高新技术企业。

KIA半导体也一直执行全面质量管理体系是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟蹤和监控我们确定在这一质量控制体系下生产的产品，在相关环节的质量状态和信息都是有效控制确保提供给客户的产品是安全可靠嘚。

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ards---漏源电阻温度系数

aID---漏极电流温度系数

η---漏极效率（射频功率管）

VGu---栅衬底电压（直流）

VDu---漏衬底电压（直流）

Vsu---源衬底电压（直流）

VGD---栅漏电压（直流）

V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压

Vss---源极（直流）電源电压（外电路参数）

VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）

VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）

VGSR---反向栅源电压（直流）

VGSF--正向栅源电壓（直流）

PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）

PDM---漏极最大容许耗散功率

PD---漏极耗散功率

RL---负载电阻（外电路参数）

Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

L---负载電感（外电路参数）

K---失调电压温度系数

GPD---共漏极中和高频功率增益

GpG---共栅极中和高频功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益

Ipr---电流脉冲峰值（外电路參数）

IDSS2---对管第二管漏源饱满电流

IDSS1---对管第一管漏源饱满电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IF---二极管正向电流

IGSO---漏极开路时截止栅电流

IGDO---源极开路时，截圵栅电流

IG---栅极电流（直流）

IDS(sat)---沟道饱满电流（漏源饱满电流）

IDSS---栅-源短路时漏极电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

dv/dt---电压上升率（外电路参数）

di/dt---电流上升率（外电路参数）

Eas:单次脉冲雪崩击穿能量

Ear:重复雪崩击穿能量

Ton:正导游通时刻.(根本能够忽略不计).

Qrr :反向恢复充电电量.

ISM:脉冲最大续流电鋶(从源极).

IS :接连最大续流电流(从源极).

EAR:重复雪崩击穿能量.

EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,阐明 MOSFET 所能接受的最大雪崩击穿能量.

联系地址：罙圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

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