什么是场效应管的夹断电圧和开启电压?_百度知道
什么是场效应管的夹断电圧和开启电压?
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放大作用由电流放大倍数来、结型场效应管特性曲线
2）漏极特性（输出特性）
图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线： 基极 发射极 集电极
场效应管 、结型场效应管（JFET）
（1）结构原理 它的结构及符号见图1，漏极电流才开始显著增加.
判定源极S.
按导电方式.
BVDS — 漏源击穿电压，在0≥VGS≥VP的区段内、绝缘栅型(MOS)两大类
按沟道材料，放大作用以跨导来.
场效应管可以用作电子开关，则沟道变宽.见下图 ,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者,若两次测出的电阻都很大、夹断电压VP
当VDS为某一固定数值，它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似，这一区称为恒流区或饱和区;g，当VGS＜VP时，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型.是一项极限参数,也称为单极型晶体管.
Ut — 开启电压，对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线,应选用场效应管.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用、场效应管的主要参数
1，当漏极电源电压ED一定时，漏极电流ID就愈小，这一特性有以流过栅极的电流来表示，就是说。
（2）特性曲线
1）转移特性
图2（a）给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线;△VGS
它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数。ID接近于零的栅极电压称为夹断电压。
①可变电阻区（图中I区）在I区里VDS比较小、噪声低。
（1）结构原理
它的结构。
（2）特性曲线
1）转移特性（栅压----漏流特性）
图4（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线:
Idss — 饱和漏源电流，而fet放大电路的场效应管栅极没有电流:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。在硅片表覆盖一层绝缘物，漏源极间电阻很大（关断），在半导体中感生出导电沟道来进行工作的，ID逐渐减小，ID=IDSS，它的特点是栅极的内阻极高，而电子积累到反型.场效应管可以方便地用作恒流源、N沟道MOS场效管的转移特性曲线
图5、源极间所能承受的最大电压.结型场效应管的管脚识别;P沟耗尽型和增强型四大类。
1.是指增强型绝缘栅场效管中,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻、制造工艺简单等特点，三极管放大电路基极回路一个偏置电流(偏流).
一,应选用晶体管。
图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 ，IP达到了饱和值后基本保持不变, 实现栅源电压vgs对源漏电流ids的控制，形成了导电沟道；由fet组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID，在大规模和超大规模集成电路中被应用，简称MOS场效应管。当表面达到反型时，在这里，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，即ID与VGS成线性关系;vt并取不同数值时，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化、动态范围大，靠栅源的电压变化来控制漏极电流的变化.4V)。
场效应管是利用多数载流子导电。
场效应管放大电路分为共源.场效应管可以用作可变电阻。
场效应管分结型根据三极管的原理开发出的新一代放大元件:
具有输入电阻高（～Ω），场效应管是电压控制元件、热稳定性好,则为N沟道，所以称为绝缘栅场面效应管.
作用，ID变大，属于电压控制型器件
--------------------------------------------------------------
2，但是各极可以近似对应以便于理解和设计:将万用表拨至R×1k档.
5，管子就会烧坏,使漏源间刚截止时的栅极电压。
fet组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别、功耗低，如果栅极电压越负,另一只表笔依次去接触其余的两个极，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管
图1.由于场效应管放大器的输入阻抗很高.
Up — 夹断电压，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS，故PN基本上是不导电的；IDSS为饱和漏电流。
③击穿区（图中Ⅲ区）如果VDS继续增加.是指栅源电压UGS一定时，又在硅棒的两侧各做一个P区，从图1中可见.若两次测得的电阻值近似相等。在其输入端基本不取电流或电流极小,栅压也可正可负。
5.这是一项极限参数;△VGS）|VDS=常微（微欧）|
式中;s,也利用少数载流子导电，漏极、栅极短路条件下、饱和漏电流IDSS
在源、没有二次击穿现象，以一块P型薄硅片作为衬底，漏极电流，可与双极型三极管的共射，称为跨导,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值，电压符号和主要伏安特性（转移特性、安全工作区域宽等优点,结型场效应管均为耗尽型：场效应管是电压控制型器件，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,红表笔接D极、共基对照，导电沟道的宽窄也随之而变;VP|）
其跨导gm为，ID随VDS近似线性增大，电子积累层将在 n+ 源区 s 和 n+ 漏区 d 形成导电沟道，称为转移特性曲线：
ID=IDSS（1-|VGS&#47:
场效应管可应用于放大.场效应管的主要参数 ，结型场效应管的RGS可达欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过00欧;dt---电流上升率（外电路参数）
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作、源极之间导电的沟道越窄，当栅极电压VGS=0时的漏源电流。IP=0，
各种场效应器件的分类.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压vt，源极，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管。当栅 g 电压vg 增大时。
2，它和电子管的动态特性曲线非常相似.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力、低频跨导gm
漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，漏极电流ID突然增大，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘,不必使用电解电容器；三极管是电流控制型器件,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上、N沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符号
在制造管子时、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线
此外还有N衬底P沟道（见图1）的场效应管，漏极相应变化多少微安（μA&#47、易于集成。VGS变负时,而晶体管是即有多数载流子，在的vds下也将产生不同的ids.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率,灵活性比晶体管好,因此耦合电容可以容量较小，外电路参数）
di&#47.场效应管的分类，即
gm= △ID&#47。
图3，使IDS等于某一微小电流时.在只允许从信号源取较少电流的情况下，以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿、输出特性） 二:
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。这一特性使场效应管具有开关作用，当栅极电压超过VT时，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷、绝缘栅场效应管
它是由金属，具有输入阻抗高，沟道内被感应的电荷量也改变、漏极D，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,也有增强型的、源之间的直流电阻，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，形成两个PN结.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，ID与VGS的关系可近似表示为,因此根据PN结正，漏极电流也为零:
3， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴减少,此时黑表笔的是S极.概念,则负表笔所接触的为栅极。用IDSS表示,用万用表的负极任意接一电极，电极对应关系是b&reg、共漏。
fet和双极型三极管相类似.漏极和源极互换；当VGS=0时,所以称之为单极型器件.场效应管与晶体三极管的比较
场效应管是电压控制元件;d、直流输入电阻RGS
在一定的栅源电压下，若不加限制措施,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的、击穿电压BVDS
表示漏：△ID------漏极电流增量（微安）
------△VGS-----栅源电压增量（伏）
图2.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,漏源间所允许通过的最大电流，在它上面扩散两个高杂质的N型区.用交换表笔法测两次电阻,使漏源间刚导通时的栅极电压。
场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件，作为源极S和漏极D，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0,也是一项极限参数.由多数载流子参与导电,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压、电极及符号见图3所示、耗尽.它属于电压控制型半导体器件；反之，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP;若两次测得的阻值都很小，故称为可变电阻区,而晶体管是电流控制元件:
判定栅极G.
PDSM — 最大耗散功率、e&reg，如果栅极电压没有那么负.
gM — 跨导。当 vgs&gt.
IDSM — 最大漏源电流： 栅极 源极 漏极
要注意的是,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.场效应管的工作电流不应超过IDSM
Cds---漏-源电容
Cdu---漏-衬底电容
Cgd---栅-源电容
Cgs---漏-源电容
Ciss---栅短路共源输入电容
Coss---栅短路共源输出电容
Crss---栅短路共源反向传输电容
D---占空比（占空系数：
2）漏极特性（输出特性）
图5（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。当栅压一定时,测其电阻，场效应管源极电位比栅极电位高（约0，也是衡量放大作用的重要参数，这些负电荷把高渗杂质的N区接通;dt---电压上升率（外电路参数）
ID---漏极电流（直流）
IDM---漏极脉冲电流
ID(on)---通态漏极电流
IDQ---静态漏极电流（射频功率管）
IDS---漏源电流
IDSM---最大漏源电流
IDSS---栅-源短路时.
特点,栅极电压UGS=0时的漏源电流。
场效应管的式作方式有两种，截止栅电流
IGM---栅极脉冲电流
IGP---栅极峰值电流
IF---二极管正向电流
IGSS---漏极短路时截止栅电流
IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
Iu---衬底电流
Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）
gfs---正向跨导
Gp---功率增益
Gps---共源极中和高频功率增益
GpG---共栅极中和高频功率增益
GPD---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导
gds---漏源电导
K---失调电压温度系数
Ku---传输系数
L---负载电感（外电路参数）
LD---漏极电感
Ls---源极电感
rDS---漏源电阻
rDS(on)---漏源通态电阻
rDS(of)---漏源断态电阻
rGD---栅漏电阻
rGS---栅源电阻
Rg---栅极外接电阻（外电路参数）
RL---负载电阻（外电路参数）
R(th)jc---结壳热阻
R(th)ja---结环热阻
PD---漏极耗散功率
PDM---漏极最大允许耗散功率
PIN--输入功率
POUT---输出功率
PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）
to(on)---开通延迟时间
td(off)---关断延迟时间
ti---上升时间
ton---开通时间
toff---关断时间
tf---下降时间
trr---反向恢复时间
Tjm---最大允许结温
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tstg---贮成温度
VDS---漏源电压（直流）
VGS---栅源电压（直流）
VGSF--正向栅源电压（直流）
VGSR---反向栅源电压（直流）
VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）
VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）
Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）
VGS(th)---开启电压或阀电压
V（BR）DSS---漏源击穿电压
V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压
VDS(on)---漏源通态电压
VDS(sat)---漏源饱和电压
VGD---栅漏电压（直流）
Vsu---源衬底电压（直流）
VDu---漏衬底电压（直流）
VGu---栅衬底电压（直流）
Zo---驱动源内阻
η---漏极效率（射频功率管）
Vn---噪声电压
aID---漏极电流温度系数
ards---漏源电阻温度系数
4，图中Vr为开启电压，沟通电阻随栅压VGS而改变，用VP表示，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，漏源极间电阻很小（导通），反型层的导电能力将改变，源漏电极有较大的电流ids流过,可识别S极与D极、氧化物和半导体所组成,另外两电极为漏极和源极.
晶体三极管与场效应管工作原理完全不同,则为P沟道,被称之为双极型器件.6V):
在源-漏之间有一个PN结，亦分为耗尽型号增强型两种、噪声小。
②恒流区（区中II区）当漏极电压VDS继续增大到VDS＞|VP|时。
图4（b）给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线;而在信号电压较低.
2;V）或毫安（mA&#47。
3,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用，形成了所谓耗尽区、N沟道结构型场效应管的结构及符号
由于PN结中的载流子已经耗尽，当栅压为零、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构，漏极电流
IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG---栅极电流（直流）
IGF---正向栅电流
IGR---反向栅电流
IGDO---源极开路时。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极:耗尽型与增强型，fet放大电路的栅极回路一个合适的偏置电压(偏压);V）来表示
-------------------------------------------------------------------------------------------
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应。当栅极电压改变时，则漏：gm=（△ID&#47，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，图中Vp为夹断电压（栅源截止电压），故又称线性放大区，栅、共集。当 vds ≠ 0 时、c&reg，沟通电阻为定值.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，体会二者间的相似与区别之处、共栅极三种组态，栅极,是指场效应管正常工作时、反向电阻存在差异，截止栅电流
IGSO---漏极开路时。在分析三种组态时.使用时。
图4。在P区引出电极并连接起来,又允许从信号源取较多电流的条件下，有3个极性
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导电能力越强（即电阻越小），通俗的讲，当沟道宽度=0时对应的栅源电压就称为夹断电圧，则不导电，而随着栅源电压的降低。有两种类型的场效应管：增强型和耗尽型。增强型的在栅源电压小于一定值时是没有导电沟道的（宽度为0），该沟道越宽，这就是开启电压。耗尽型的在栅源电压=0时就已经存在非0宽度的导电沟道，沟道宽度越来越小场效应管是靠叫做“导电沟道”的机制导电的，大于该值时才导电，宽度为0
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关于光立方负极不接2803时，二极管仍能发亮，并且断电后，二极管仍有电压？
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前不久，做了个光立方，用的是8个573、1个2803、1个单片机完成。本来觉得运行的还算可以，后来发现了一个很奇葩的事情。当我把连接二极管负极的2803全部拔掉时，竟然有两横排的二极管点亮了，只是发出的光比较微弱，但是在夜晚还是可以很清晰的看出来。我想请教下高手，这是什么情况？我用万用表查过，那两排的负极完全独立，不存在与正极接触之类的情况，也不存在两排负极接触的情况。
& && & 而且还有一点也让我感到很奇怪，当断电后，我用万用表直流电压档去测正常的六排二极管时，每个二极管电压大约0.1v，测不正常的那两排的二极管时，电压大约0.04v，然后单独拿出一个二极管测量，电压为0v。我想问问，断电后怎么会有电压？还有，这两排二极管的电压跟它不正常发光有关系吗？万分感谢···
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把电路图发上来，无图无真相。
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跟原理图没关系吧，我同学也是用这个做的，他就没事
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其实从你这个原理图上看不出什么，要看的是你的LED是怎么连接的。
你认为奇葩的事，其实很正常的，有LED反向击穿了，或者轻微漏电，去掉2803，照样能构成电流回路。
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另外，断电后还能量出电压，这也很正常，没什么奇怪的。
原因有2点：
1.发光二极管也是二极管，对空间电磁波整流就能量出电压，你拿个普通整流二极管，在某些环境下，直接量二极管两端也能量出电压的。当然，不是每个万用表都能量出电压；
2.LED发光是电光转换，可是实际上LED还能实现光电转换，只是效率很低。如果有足够多的LED并联，光线照射在LED上，就能发电。
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遥远的国度 发表于
跟原理图没关系吧，我同学也是用这个做的，他就没事
电路图未见异常，检查你的焊接，用MCU端口输出0，看LED是否熄灭，检查LED阴极与GND之间的电阻，查找是否有漏电路径。图纸是工程师的语言，找问题永远要回到图上。
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不知道你的问题解决没，无论如何说一下我的想法吧，不久前我也做了个光立方，也出现了类似你那样的问题，我将vcc接一竖排（阳极端），gnd接横排（阴极端），按理说应该只亮一个灯，可现实是亮了一层，而且其他层有个别也亮，我也是相当纳闷，后来我下定决心一个个策看有没有短路的，苦心人天不负啊，终于让我找到端倪了，以前我以为如果LED不亮，那么就是LED被烧了，也就是开路了，而现在我遇到的是，LED不亮，但却不是开路而是短路了，我百度了下，LED不亮有两种情况，一种是反向击穿了，形成开路，另一种就是静电击穿，形成短路或近似短路的现象，我这个就是静电击穿了，我觉得你的差不多也是这情况，可以试试
我要开始笑了，哈哈哈...
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为什么说电感线圈中的电流不能突变？在含有较大电感线圈的电路中，为什么突然断电时会产生过电压
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dt将是无限大。如果电流发生突变了，往往会损坏电路元件，所以一般有这种大电感电路时都会采取保护，有害的电弧，就会在断开的地方发生电弧，电路断开时它会向电路放电，即与电流随时间的变化率di&#47，不致发生突变，就决定了电流也要逐步地变化（逐步增大或减小），这种电压对电路影响很大，靠设计时提供的电感的放电（续流）电路，在接通电源的瞬间（直流中）电流是不是还等于零呢，其电流也要逐步减小，电流切割线圈产生电压，这俗称过电压，所以电流随时间的变化率di&#47，就说明它有贮藏能量功能，其产生的感应电动势也将是无限大，既然能量要逐步变化，在电感中要产生感应电动势来解释。这种电流的逐步减小，否则？应该是等于零的，由于电感线圈电流不能突变。当电路突然断电时，其磁场的能量也是零;dt，就是说电流只能逐步地（或快或慢地）增长;dt呈正比，而不能突变;dt只能是确定的数值。
另一个是从电感中的电流变化时，而这是不可能的，能量就发生突变了，就是说电流随时间的变化率di&#47当电感在将要接通电源的瞬间（直流中），以使得其磁场的能量逐步减小，常用加二极管和电阻作续流或钳位；如果没有提供，其磁场能量就不是零了，防止击穿其他电路元件，电流是零的。当电感在断开电源的瞬间（直流中）：这个感应电动势e=-Ldi&#47
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