20n06参数

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型号：NTD20N06-1G
制造商：ON Semiconductor
RoHS： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：管件说明：MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
PCN Obsolescence：Multiple Devices 03/Apr/2007
标准包装：75
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25& C 时）：20A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：46 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1015pF @ 25V
功率 - 最大值：1.36W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak
电话：086-010-566447
地址：北京海淀区知春路118号知春大厦A座0404室
电话：086-010-
地址：北京市海淀区远大路20号鹏安世纪大厦E座11C2-2
电话：9/19/56877
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型号：FDD24AN06LA0
制造商：Fairchild Semiconductor
RoHS： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：带卷 (TR)说明：MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK
标准包装：2,500
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：PowerTrench?
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25& C 时）：7.1A （Ta）， 40A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1850pF @ 25V
功率 - 最大值：75W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak
电话：86-9
地址：深圳市福田区华强北中航路10012M/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石路栋通讯大厦41-47号9F
FDD20N06LE
地址：福田区中航路华强3店（佳和大厦）三楼3C003室
FDD20N06LE
电话：☎０７５４－８６６７８８０９ ０７５４－８６６７３７６７ １３７２６５０８８９８
地址：汕头市潮南区陈店镇东风二路92号/新亚洲电子市场二期
FDD20N06LE
FAIRCHILD&
电话：086-8/71/07802
地址：福田区中航路鼎诚国际大厦北座801室
FDD20N06LE
电话：96-010-91/
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
FDD20N06LE
电话：086-010-566447
地址：北京海淀区知春路118号知春大厦A座0404室
FDD20N06LE
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型号：T20P25NR-F
制造商：Cornell Dubilier Electronics (CDE)
RoHS： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：散装说明：CAP FILM 0.25UF 2KVDC SCREW
标准包装：100
类别：电容器
家庭：薄膜电容器
包装：散装
电容：0.25μF
额定电压 - AC：-
额定电压 - DC：2000V（2kV）
介电材料：纸，金属化
容差：±10%
ESR（等效串联电阻）：-
工作温度：-55°C ~ 105°C
安装类型：机架安装，需要支架/托架
封装/外壳：径向，Can - 螺丝端子
大小/尺寸：2.160" 长x 1.310" 宽 (54.86mm x 33.27mm)，唇状
高度 - 安装（最大值）：2.190"（55.63mm）
端接：螺钉端子
引线间距：0.810"（20.57mm）
应用：EMI、RFI 抑制
电话：086-010-31/04891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层第室
电话：086-010-104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛大厦嘉业10层第8-9室
电话：9/19/56875
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型号：FPQUAD-B
制造商：HellermannTyton
RoHS： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：说明：SINGLE GANG 4PORT FACEPLATE
标准包装：1
类别：连接器，互连器件
家庭：Keystone - 面板，框架
样式：单组
类型：面板
端口方向：直形
大小/尺寸：114.55mm 高 x 70.10mm 宽
材料：丙烯腈苯乙烯丁二烯共聚物（ABS）
材料可燃性等级：UL94 V-0
其它名称：854-39283
电话：086-010-566447
地址：北京海淀区知春路118号知春大厦A座0404室
FAIRCHILD&
地址：深圳市福田区振中路新亚洲电子商城2期N3B103/广州市天河区天河路新赛格电子市场1楼153A柜
FAIRCHILD&
电话：(86)90★035360电源IC、场效应管、可控硅、快恢复二极管、MOS管及片状元器件专业供应商
地址：中国深圳市福田区华强北路现代之窗B座32H
FAIRCHILD&
09+原装ROHS&
电话：9/19/56877
地址：深圳市华强北路华强电子市场C幢15D
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型号：FQD20N06TF
制造商：Fairchild Semiconductor
RoHS： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：带卷 (TR)说明：MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
标准包装：2,000
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：QFET?
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25& C 时）：16.8A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：63 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：590pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak
地址：深圳市福田区振华路中航北苑大厦C座16C4室（公司为一般纳税人,可开17%增值税票)
FQD20N06-NL
FAIRCHILD&
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦7楼709室
FQD20N06-NL
FAIRCHILD&
电话：021-
021- // 021-
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场东楼（ 负一层）K11房间//科技京城电子市场T05
//办公室：科技京城西楼10楼
FQD20N06-NL
FAIRCHILD&
电话：086-755-
地址：福田区振兴路101号1栋2楼222室
FQD20N06-NL
■■14+■■&
电话：086-1，
地址：公司：深圳市福田区深南中路南光捷佳3121楼,柜台：深圳福田区华强北中航中路都会2B008C柜，新亚洲电子市场二楼柜
FQD20N06-NL
FAIRCHILD&

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