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s9014参数 S9014三极管规格书：三极管S9014参数与封装尺寸
【南京南山半导体有限公司 ― 长电贴片三极管选型资料】.cnJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDFEATURESComplementary to S9015 zMARKING: J6SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors======S9014
TRANSISTOR (NPN)MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)ParameterCollector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gainCollector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequencySymbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO hFETest conditionsMinTypMIC= 100μA, IEIC= 0.1mA, IBIE=100μA, ICVCB=50 V , IEμA VCE=35V , IBμA VEB= 3V , ICμA VCE=5V, IC= 1mA200 1V VVCE(sat)C=100 mA, IB= 5mA VBE(sat)C=100 mA, IB= 5mAfTVCE=5V, IC= 10mAf=30MHzMHzCLASSIFICATION OF hFE Rank RangeB,Dec,2011s9014参数 S9014三极管规格书：三极管S9014参数与封装尺寸【南京南山半导体有限公司 ― 长电贴片三极管选型资料】.cnTypical CharacterisiticsStatic Characteristic8)Am6(
TNER4RUC ROTCEL2LOC0COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
(V)V1CEsat
ICNOITARU)TV( A
S ta sRECETV0.1T
IMEEG-ARTOLTOCVELLOC0.01COLLECTOR CURRENT
CI10TNERRUC ROT1CELLOC0.1BASE-EMMITER VOLTAGE
(V)Cob/ Cib
――VCB/ VEB100)Fp(10C
ECNATICA1PAC0.1REVERSE VOLTAGE
(V)S9014hFE
――IC1000EFh
NIAG T100NERRUC CD10COLLECTOR CURRENT
(mA)VBEsat
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E TETGIMATEL-EOSVAB0.1COLLECTOR CURRENT
(mA)f 1000――I)zHM(
Tf 100YCNEUQ ERF N10OITISNART1COLLECTOR CURRENT
(mA)P 250C
TaN200OITAPISS150)IDW RmE(
TCEL50LOC00255075100125150AMBIENT TEMPERATURE
(℃)B,Dec,2011s9014参数 S9014三极管规格书：三极管S9014参数与封装尺寸【南京南山半导体有限公司 ― 长电三极管选型资料】.cns9014参数 S9014三极管规格书：三极管S9014参数与封装尺寸s9014参数 S9014三极管规格书：三极管S9014参数与封装尺寸s9014参数 S9014三极管规格书：三极管S9014参数与封装尺寸s9014参数 S9014三极管规格书：三极管S9014参数与封装尺寸欢迎您转载分享：三极管的参数到底该怎么看啊？_电子吧_百度贴吧
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三极管的参数到底该怎么看啊？收藏
比如我在网上查S9014的参数，都是在说什么放大倍数多少多少，最大电流多少，别的就没了。我不想用它放大什么，只是想当开关用，基极应该给多少电流它才导通呢？我是新手，轻喷。
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只是基极电压高于射极0.7v 即可导通，这是三极管的通性，不过数据还是要看看…不然管子击穿，烧毁了也不好
当开关用，那么就要知道截止和饱和时三极管的状态，截止时，Uce=电源电压(近似)，Ic=0，所以Ib=0;这里要考虑Uce的最大值是多少，不可超过它，所以看参数。饱和时，Uce=0，近似，如果你在集电极加个电阻R那么此时lc=E/R,所以Ib=E/(R*放大倍数)，这里考虑lc的最大值，不可超过;三极管工作的时候只能在一个状态，要么截止状态，要么饱和状态。另外你可以百度一下&临界饱和 经验公式&
老兄买本晶体管手册，就完事了呀。
我就想通过光敏电阻和9014控制灯珠，怎么看基极电压也不会比集电极高啊
上图解析：基级电压会比集电极高的。1，设光敏电阻无光照时阻值很大，有光照时阻值很小。2，在晚上的时候，由于光敏电阻值很大，所以流过的电流很小，此时，三极管基级有很大的电流，那么根据Ic=Ib*放大倍数，即lc也很大。3，建议在LED那里串个电阻，设为R，那么在集电极电流增加的情况下，R的电压也会变大，那么集电极电压(Uce)会减小，如果你根据光敏电阻的阻值适当调整R的大小，那么Uce可以减小到接近0，这时候三级管是饱和状态，即灯是亮的。………如果是白天，光敏电阻阻值很小，那么它流过的电流较大，所以基级进去的电流相对很小，所以集电极电流也很小，所以R的电压也小，所以集电极电压会变大，如果R取值本身合适，那么集电极电压会接近电源电压，所以高于基级电压。建议楼主详细掌握三极管的基本原理，书的话，不要只看一本。
如果计算三极管的通断，是应该考虑基极的电压还是电流？假设电源电压是5V，需要带3个20mA的灯珠，三极管用9014，光敏电阻亮电阻3K，暗电阻150K，我需要在5K的时候让三极管导通。那如何计算两个串联电阻的阻值？与灯串联的R是不是只考虑能让灯正常点亮就行？与光敏串联的电阻R1就完全不会算了，求大神指导思路……
你把基基当个水龙头，
三极管是电流型控制器件，最好考虑电流，3个20ma的灯，这里你要考虑灯的类型，以及三极管最大的允许Ic是多少。假设你3个灯并联用上面那个图的话：1：Ic在三极管饱和时，为60ma,然后根据放大倍数求出Ib，9014的放大倍数你可以自己去查，把后缀也输进去。2:Ib知道了，假设流过光敏电阻的电流为I2，我们取I2=10*Ib，这样可以求出I2,在把你的5k乘进去，就是光敏的电压，最后在求出Rb.3:说明一下，其实上面那个电路并不会说亮就亮，说关就关，如果LED在一定范围的电流内都能发光的话，因为，上面那个电路的三极管从截止开始，随着光敏电阻慢慢的变化，路过放大区，在到达饱和区，所以，在一定时间内，LED是微亮，然后逐渐达到很亮。说明一下I2=10*Ib,光敏电阻和Rb其实已经组成了一个分压偏置，在设计的时候，我们一般取I2的1/10作为Ib.
又用画笔画了一下。。
你可以有两种选择，换个放大倍数较大的三极管或者提升电源电压。原因在于:就按你上面说的，饱和时的基级电流为0.18ma,那么前面的Rb和光敏满不满足这个条件呢？如果我们不要Rb，换成光敏电阻在Rb的位置，那么此时的Ib=5/25k=0.2ma，的确可以满足，但是Rb和光敏电阻一起存在就不一定了，总电阻增加，电流减小，而且这时的Ib还是光敏电阻电流的十分之一，显然不能满足饱和要求，那么所以从集电极那边算过来，光敏电阻的电压自然就高了，因为要满足饱和。至于为什么Ib=l2/10,你可以自行百度，另外其实原型是：至少10倍。所以，你只能换个放大倍数更大的三极管或者提升电源电压。当然，你也可以改电路，Rb去掉不要,光敏放在Rb的位置。此时上面算过，电流是0.2ma,满足饱和.
又画了一个图片来自：
5/225k=0.02ma,Ib=0.02/10=0.002ma，0.002*300=0.3,0.3*300=90ma，这这时第二个三极管已经饱和 ，这里说一下，不是继续放大，只是与放大倍数有关，我们这些计算都是在临界饱和范围。即放大区与饱和区的分界线。
做开关也得看这参数啊
哈哈，我做成功了！其实我做的是键盘照明灯，灯珠粘在了电脑桌上，从电脑内部取的5V电，白天或开室内灯的时候键盘灯不亮，关灯后照着键盘容易打字。感谢各位大神的指点，尤其感谢@Andlyf对我不厌其凡的指点，让我对NPN三极管有了一定的认识。我最后没用您那个光敏电流是基极电流10倍的原理，只是按照2楼说的0.7V导通就一次成功了。因为这样按照光敏分压0.7V比较容易计算RB的阻值。我又给电路加了4.7u的滤波电容和5V的稳压管，电路不受影响，哈哈。
这就是电路，我把RB从200K降到了180K，灯珠亮度有所增加。
开室内灯时键盘灯不亮
关室内灯时键盘灯亮
———有的人跌跌撞撞受了伤，有的人不明真相瞎嚷嚷。
不要顶了，当年问的都是白痴问题，汗颜
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集电极漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA
发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA&&---
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9014三极管参数
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集电极漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA
发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA
集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V
发射极、基极击穿电压BVEBO IE=10&A,IC=0 5 V
集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100&A,IE=0 60 V
集电极、发射极饱和压降VCE(sat
IC=100mA,IB=10mA 0.25 V
基极、发射极饱和压降VBE(sat
IC=100mA,IB=10mA 1.0 V
直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700
HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25
参数符号标称值单位
集电极、基极击穿电压VCBO 60 V
集电极、发射极击穿电压VCEO 50 V
发射极、基极击穿电压VEBO 5 V
集电极电流IC 150 mA
集电极功率PC 625 mW
结温TJ 150 ℃
贮存温TSTG -55-150 ℃
△电参数（Ta=25℃）
9013三极管
s，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示：
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