戴A,B,C,D,E,F,G,H,I,J,K,L,M,N,O,P,Q,R,S,T,U,V,W,X,Y,Z罩杯的女性胸部到底有多大？(附明星图片)_k罩杯-牛bb文章网
戴A,B,C,D,E,F,G,H,I,J,K,L,M,N,O,P,Q,R,S,T,U,V,W,X,Y,Z罩杯的女性胸部到底有多大？(附明星图片) k罩杯
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选择胸罩，基本上要注意两个尺寸，一是“胸围”，二是“罩杯”。胸围=通过乳房最高点，水平绕量前后背的数字下胸围=通过乳房下缘，水平绕量前后背的数字罩杯=胸围-下胸围市面上大部分的内衣尺寸标示，一般为下胸围尺寸/罩杯尺寸，如70/A，意思是下胸围为70cm，罩杯为A型。下胸围的尺寸标准多数采用两种，一是日本尺寸（如70、75、80），每个型号尺寸相差5cm；二是欧美尺寸（如32、34、36），每个型号尺寸约相差2.5cm。一般来说，上下差在10cm左右选择A罩杯，12.5cm左右选择B罩杯，15cm左右选择C罩杯，17.5cm左右选择D罩杯，20cm左右选择E罩杯，20cm以上选择F罩杯。例如：胸围是85厘米，下胸围是70厘米。那么85－70＝15厘米。那么就应该选择70B的纹胸。70是下胸围的尺寸，用来确定号型。而欧美尺寸的34B相当于75B，36B想当于80B。市面上两种尺寸都存在，主要是各个产地不同。各种罩杯尺寸AA 7.5cmA 10cmB 12.5cmC 15cmD17.5cmE20cmF22.5cmG 25cmH27.5cmI30cmJ32.5cmK 35cmL37.5cmM40cmN42.5cm文胸尺码对照表：下胸围上胸围上下胸围之差距杯型尺码 　　70cm80cm10cm左右A70A　　70cm82.5cm12.5cm左右B70B　　70cm85cm15cm左右C70C　　75cm85cm10cm左右A75A　　75cm87.5cm12.5cm左右B75B　　75cm90cm15cm左右C75C　　80cm90cm10cm左右A80A　　80cm92.5cm12.5cm左右B80B　　80cm95cm15cm左右C80C　　85cm95cm10cm左右A85A　　85cm97.5cm12.5cm左右B85B　　85cm100cm15cm左右C85C　　90cm100cm10cm左右A90A　　90cm102.5cm12.5cm左右B90B　　90cm105cm15cm左右C90C　　英寸尺寸换算：有时候会看到32，34，36这样尺寸字样，这是以英寸为单位的~这个与通常所说的下胸围的换算关系是:　　英寸――厘米1英寸=2.54cm　　40in――101.6cm　　38in――96.52cm　　36in――91.44cm　　34in――86.36cm　　32in――81.28cm罩杯的定义：　　罩杯这个词是由法国人（具体应该说是胸罩设计师）确定的，具体是哪个法国人已无从考证。因为胸罩是1920年代由法国人发明的，它的前名是紧身衣(Corset)在十八世纪时就已出现，当时妇女穿它以保持体态。但因Corset非常不舒服，逐渐演变成分上下两件(束胸及束腹)，再经过巴黎设计师们的巧艺，式样愈来愈简单，终演变成今日的胸罩和束裤。不过胸罩惊人的款式变化是近一、二十年才有的。胸罩简称为bra，此词就是源于法文。在法国人发明胸罩的同时，也确定了由此衍生的胸部或乳房大小的单位。　　而罩杯此词被国人翻译得相当形像，因为胸罩除了带子，就剩下两个像杯子一样罩在胸部的罩子，近而由罩杯的大小来测量乳房的大小，这样既简便又易懂。胸罩源自法国，称之为“Brassi&re”，但现在一般都简称为“Bra”。“Brassi&re”在法语的原来意思是婴儿的围嘴。以前的欧洲贵族流行穿一种非常紧身的束衣。但后来因为这种束衣太麻烦，所以改用两条手帕改制胸衣，成为了现代胸罩的雏型。胸罩的作用，女性的乳房大部分是脂肪组织，有一些韧带与皮肤提供内部支撑。但是这些支撑有时候不够支撑乳房（特别是对年长女性来说）或是不让乳房移动，因此造成疼痛不适。穿戴胸罩的主要理由，就是提供乳房外部支撑，增加舒适性与活动力。也有人相信胸罩能保持乳房的年轻形状（自然状况是随年纪增长下垂一些），胸罩厂商特别支持这点。但是医学界对此则有疑问。另外也没有决定性证据支持不穿胸罩的女性下垂情形会更多的说法。还有医师相信让乳房活动与下垂本来就有益健康。这也尚未证实。胸罩至少可以保护乳头。　　罩杯的尺寸则由其深度决定。乳房最高点的乳围（三围之一）减去乳房下围一圈的长度，AA7.5cm A 10cm B 12.5cm C 15 cm D 17.5cm E 20 cm F 22.5cm G 25cm H27.5cm I 30cm，两种罩杯间的尺寸则以够长的背扣来解决。罩杯的式样　　另外胸罩也因为不同的罩杯，分出了各种不同的式样，　　全罩胸罩：可以将全部的乳房包容于罩杯内,具有支撑与提升集中的效果,是最具功能形的罩杯。任何体型皆适合，适合乳房丰满及肉质柔软的人。　　3/4罩杯胸罩：3/4罩杯是四款胸罩中，集中效果最好的款式，如果你想让乳沟明显的显现出来，那您一定要选择3/4罩杯来凸显乳房的曲线。任何体形皆适合。　　1/2罩杯胸罩：利于搭配服装，此种胸罩通常可将肩带取下，成为无肩带内衣，适合露肩的衣服。　　5/8罩杯胸罩：与3/4罩杯非常相似，适合胸部小巧玲珑的女孩，更显丰满。AA罩杯AA罩杯――“太平公主”　　代表明星：孙燕姿、郑秀文、郭可盈孙燕姿　　AA罩杯对于大多数男士眼光来说，也实在有点“平平无奇”，但那又怎样?孙燕姿一样红得发紫，成为少男少女的偶像。之前在北京成功举办的演唱会就可见一斑。其实孙燕姿全身都瘦瘦，胸部又怎能例外?孙燕姿曾斩钉截铁地说：“我绝对不会隆胸。胸部太大会很重的，很容易会跌倒。要是男朋友真的喜欢大胸部，我也不会隆胸，叫他弄大自己的胸部好了”。但这种身姿在如今流行骨感的年代却也赶上了潮流。郑秀文　　虽然被喻为标准的太平公主，可是，也并不妨碍她作为知性女子的代表。已超过两年未踏足红馆的郑秀文，在为好友何韵诗的“处女演唱会”担任嘉宾。精神饱满的她俯身摇摆露出胸骨，她还抚胸自嘲道：“一看就知道我是‘平辈’啦!”A罩杯A罩杯――“平地波澜”　　代表明星：袁咏仪　　 袁咏仪简洁而干练、柔情却坚韧，袁咏仪柔媚中总带着男人般的爽朗和刚毅，连她的身材似乎也为了配合她的性格般，没有“大起大伏”。但这丝毫无损她的魅力，“她总是能在最短的时间内让你开怀大笑”，她的亲密爱人张智霖如是说。B罩杯B罩杯――“微波荡漾”　　代表明星：舒淇、林心如、杨千桦、杨思敏、徐若萱、MaggieQ舒淇　　B罩杯虽然算不上大，但舒淇的胸很美，饱满而上翘，生活中的美女们也多数是B罩杯的胸部。现已成功洗脱艳星形象的舒淇，正在让我们用另一种眼光去审视她的美，而不只只是身体。林心如　　林心如、杨千桦似乎在一个级别上，不大不小，而后者似乎不象前者那么喜欢拍点写真什么的而是以爽朗的笑容转移大家的注意力。C罩杯C罩杯――“波澜起伏”　　代表明星：林熙蕾、关之琳、张柏芝、萧蔷、蒋怡林熙蕾　　C杯的火辣激情与纯净甜美让林熙蕾演绎得恰到好处，真是多一分嫌太胖，少一分嫌太瘦，让我们不得不感叹上帝是否有时也有点偏心!张柏芝　　到现在的Cup尺寸，绝对已经称得上是波霸了，尤其是瘦弱的张柏芝，居然可以有这样的胸围，当初说星爷看上她的凹凸有致，也不无道理。D罩杯D罩杯――“轩然大波”　　代表明星：李玟、林志玲、钟丽缇、吴佩慈、许佳蓉、林嘉绮、翁虹李玟　　调查显示，李玟的D罩杯是女性最欣赏的胸部。D杯的胸部使李玟颇具女性曲线美而又不失活力，S形的好身材更让COCO在舞台上自信满满。E罩杯E罩杯――“波涛汹涌”　　代表明星：田丽、顾婕、姚乐怡、唐林田丽　　因电影“别来无恙”勇夺金钟影后的田丽，拥有34E的好身材，被称为“胸部最美女艺人”。身材已经十分惹火的田丽表示，她一直在追求美感的极致，同时她也不忘适时秀出她的好身材。F罩杯F罩杯――“波澜壮阔”　　代表明星：天心、叶子楣天心　　拥有这样爆杯的身材，天心自然成为了青年男性眼中最棒胸部的代表。其时F杯大小的胸部不仅要承受男士们上下打量的眼光，更重要的是如何抵挡强大的“地心引力”。G罩杯G罩杯――“惊波骇浪”　　代表明星：“波霸”乔丹乔丹　　乔丹?凯特靠什么出名?除了她的那对豪乳之外，我们实在找不出其他的“卖点”了。G罩杯的女人别说东方人之中非常之少有，就是在西方也不多见，所以乔丹就这么红了。H罩杯H罩杯代表明星:日本模特-松金洋子松金洋子I罩杯H罩杯代表明星:泷泽乃南泷泽乃南J罩杯J罩杯代表明星:日本北海道摄影模特┷辔┷辔K罩杯K罩杯代表明星: 日本冈田真由香冈田真由香L罩杯L罩杯代表明星:松坂南 日本松坂南M罩杯N罩杯O罩杯P罩杯Q罩杯R罩杯S罩杯T罩杯U罩杯V罩杯W罩杯X罩杯Y罩杯Z罩杯本文关键词：罩杯 多大 胸围尺寸 乳房 奶子 二奶 三围 文胸 胸罩 纹胸杯型 尺码女性乳房是集哺乳功能，性感功能及特有的女牲美象征为一体的器官。在现代社会，随着文明的发展和服饰的变化，女性乳房“美”的功能已渐被人们高度重视，成为女性美的必备条件。每一个女性都希望有一对丰满和富于弹性的乳房。使之构成女性特有的流畅、圆润、优美的曲线美。古希腊艺术家雕刻的裸体女性和文艺复兴时期欧洲画家创作的美丽女神中都突出完美的乳房。做为现代女性应对自身乳房加深了解认识。懂得乳房美的重要性，及如何保护维持乳房美中每位女性的必修课。什么样的乳房称得上理想的乳房呢？乳房的形态美：1、丰满、匀称、柔韧而富有弹牲；2、乳房位置较高，在第二至第六肋间，乳头位于第四肋间；3、两乳头的间隔大于2O厘米，乳房基底面直径为10-12厘米，乳轴（由基底面到乳头的高度）为5-6厘米；4、形状挺拔，呈半球形。通常按乳轴高度与基底间直径比例大小将乳房分为三种类型。1、碗型：乳轴度为2-3cm，小于乳房基底直径的1／2。属于比较平坦的乳房。2、半球型：乳轴高度为3-5cm，约为乳房基底直径的1／2。3、圆锥型：乳轴高度在6cm以上，大于乳房基底直径的1／2。也有按乳房的软硬度、张力、弹力及乳轴与胸壁的角度来分型的。1、挺立型：乳房张力大，弹性好，乳轴与胸壁几乎呈9O度。2、下倾型：乳轴稍向下，柔软且富于弹性。3、悬垂型：乳轴显著向下，松软而弹性较差。乳房的健美标准包括乳房形态，乳房皮肤质地及乳头形态等多方面的因素。为了比较容易判断，以下乳房健美标准的评分表可供参考。满分为1OO分，一般情况以74分以上为健美。标准胸围：达到――30分；相差1厘米以内――25分；相差2厘米以内――20分；相差2厘米以上――10分；乳房类型：半球型――30分；圆锥型――25分；圆盘型――20分；下垂型――10分；乳房位置：正常――10分；过高――8分；一侧高一侧低――5分；过低――2分；乳房弹性：紧张有弹性――10分；较有弹性――8分；尚有弹性――5分；松驰――2分；乳房外观：正常――10分；颜色异常――8分；皮肤凹陷、皱褶、疤痕皮肤――5分；凹陷、皱褶、疤痕、颜色异常――2分；乳头形状：挺出、大小正常――10分；过小――8分；下垂――5分；凹陷或皲裂――2分。欢迎您转载分享：
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数据手册，版本1.2 ， 2004年2月HYB25D256400B[T/C](L)HYB25D256800B[T/C](L)HYB25D256160B[T/C](L)256兆双倍数据速率SDRAMDDR SDRAM存储器产品的Ne V é ?S T O·P吨H I N·K I N克。版2004-02出版英飞凌科技股份公司，圣 - 马丁大街53 ，81669慕尼黑，德国(C)英飞凌科技股份公司2004年。版权所有。请注意！此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证的特点。交货条件和权利，以技术变革保留。在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于电路，说明和图表说明本发明。信息有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的英飞凌科技厅（
） 。警告由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息的问题，请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面的在网络连接氖技术批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持装置或系统，意在被植入人体，或支持和/或保持和维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其他人的健康可能受到威胁。数据手册，版本1.2 ， 2004年2月HYB25D256400B[T/C](L)HYB25D256800B[T/C](L)HYB25D256160B[T/C](L)256兆双倍数据速率SDRAMDDR SDRAM存储器产品的Ne V é ?S T O·P吨H I N·K I N克。HYB25D256400B [T / C ] （L ） ， HYB25D256800B [T / C ] （L ） ， HYB25D256160B [T / C]（ L）修订历史：以前的版本：页面修订版1.2所有62-66所有产品附加值HYB25D256800BT - 5 ， HYB25D256160BT - 5 ， HYB25D256400BC - 5表19和20纠正AC时序值是符合JEDEC标准编辑修改修订版1.2V1.12004-022003-01科目（自上次调整的重大变化）我们倾听您的意见你觉得本文件中的任何信息是错误的，不明确或缺少呢？您的反馈将帮助我们不断改进本文档的质量。请将您的建议（包括参照本文档） ：techdoc.模板：mp_a4_v2.2_.fmHYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)256兆位双数据速率SDRAM的11.11.2233.13.23.2.13.2.23.2.33.2.43.33.3.13.3.23.43.53.5.13.5.23.5.33.5.43.5.53.644.14.24.34.44.4.156概观. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6引脚配置. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9功能说明. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .初始化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。模式寄存器定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。突发长度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。突发类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。读取延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。扩展模式寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。DLL使能/禁用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出驱动强度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。银行/行激活。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。读取。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写道。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。预充电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。掉电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。简化的状态图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。电气特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。一般强度拉下来，拉特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。实力弱上拉下来，拉特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。IDD目前的测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。151516171718192020202124242533474853545456586068时序图. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69包装纲要. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81数据表5修订版1.2 ， 2004-02-TSR1-4ZWWHYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)256 - Mbit的双数据速率SDRAM ，模具版本B数据表2003年1月， V1.1特点CAS延迟和频率CAS延迟22.5最大工作频率（MHz ）DDR200 DDR266 DDR266ADDR333-8-7-7F-6100133133133125143143166o双倍数据速率的架构：两个数据传输在每个时钟周期o双向数据选通（ DQS ）被发送与数据接收，以便在拍摄中使用在接收数据o DQS是边沿对齐的数据进行读取，并中心对齐与写入数据o差分时钟输入（ CK和CK ）o四个内部银行的并发操作o数据掩模（DM）写入数据o DLL对齐DQ和DQS转换与CKTRANSITIONSo进入每个积极的CK边缘的命令;数据和数据屏蔽参考的两个边缘的DQo突发长度：2， 4或8个o CAS延时： （1.5） ，2， 2.5 ，（3）o自动预充电选项，每个突发访问o自动刷新和自刷新模式o 7.8ms最大平均周期刷新间隔（ 8K刷新）o 2.5V （ SSTL_2兼容）I / Oo VDDQ= 2.5V ± 0.2V / VDD= 2.5V ± 0.2Vo TSOP66封装o 60球BGA W / 3消除爆音行（ “ chipsize封装年龄“ ） 12毫米×8毫米。描述256MB的DDR SDRAM是高速CMOS ，含动态随机存取存储器位。它在内部配置为四银行DRAM 。256MB的DDR SDRAM采用双数据速率架构设计师用手工tecture以实现高速操作。双数据率的架构基本上是一个2n预取架构以设计成每两个数据字传送的接口时钟周期的I / O引脚。一个单一的读或写访问为256Mb的DDR SDRAM有效地由一个赎罪的GLE2n-bit宽，一个时钟周期的数据在间转移最终DRAM核心，两个对应的正位宽，单半个时钟周期数据传输的I / O引脚。双向数据选通（ DQS ）是外部发送。与数据一起，用于在接收器中的数据采集应用。DQS是在由DDR SDRAM传输频闪读取和写操作过程中的内存控制器。 DQS是边沿对齐的数据进行读取和居中对齐与写入数据。256MB的DDR SDRAM的差分工作时钟（ CK和CK ， CK的交叉变为高电平和CK变低被称为CK的上升沿） 。命令（地址和控制信号）被登记在CK的每个上升沿。输入数据被登记在两个DQS的边缘，和输出数据是参照两DQS的边缘，以及与CK的两个边缘。读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发导向;存取开始在一个选定的位置和反对tinue的位置在一个亲一个设定的号码编程序列。访问开始报名激活命令，然后接着读了或写命令。地址位重合注册在激活命令用于选择银行和, V1.1要访问的行。地址位注册coinci-凹痕的读或写命令用于选择银行和突发的起始列位置访问。在DDR SDRAM提供了可编程只读或写的2，4或8个位置脉冲串长度。在自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电的脉冲串的端部被启动，它将访问。与标准的SDRAM ，流水线，多组架构设计师用手工的DDR SDRAM的tecture允许并发操作，从而通过隐藏行提供高效带宽预充电及激活时间。自动刷新模式用功率储蓄提供沿荷兰国际集团掉电模式。所有的输入都与兼容JEDEC标准SSTL_2 。所有输出SSTL_2 ，II级兼容。注意：所描述的功能和定时specifi-包含在此数据表的阳离子是启用的DLL操作模式。第77页1HYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)256 - Mbit的双数据速率SDRAM ，模具版本B订购信息产品型号aHYB25D256400BT(L)-6HYB25D256800BT(L)-6HYB25D256160BT(L)-6HYB25D256400BT(L)-7HYB25D256800BT(L)-7HYB25D256160BT(L)-7HYB25D256400BT(L)-7FHYB25D256800BT(L)-7FHYB25D256160BT(L)-7FHYB25D256400BT(L)-8HYB25D256800BT(L)-8HYB25D256160BT(L)-8HYB25D256400BC(L)-6HYB25D256800BC(L)-6HYB25D256160BC(L)-6HYB25D256400BC(L)-7HYB25D256800BC(L)-7HYB25D256160BC(L)-7HYB25D256400BC(L)-7FHYB25D256800BC(L)-7FHYB25D256160BC(L)-7FHYB25D256400BC(L)-8HYB25D256800BC(L)-8HYB25D256160BC(L)-8组织。x4x8x16x4x8x16x4x8x16x4x8x16x4x8x16x4x8x16x4x8x16x4x8x16125100DDR2002-2-2DDR266143DDR266A2.5-3-31662-3-3133DDR33360球P- FBGA125100DDR2002-2-2DDR266143DDR266ACAS- RCD -RP潜伏期2.5-3-3时钟（兆赫）166CAS- RCD -RP潜伏期2-3-3时钟（兆赫）133速度DDR333包66引脚P- TSOP - II一。 HYB ：代号为内存组件25D ： DDR -I在VDDQ = 2.5V的SDRAM256 ： 256Mb的密度400/800/160 ：产品差异x4，x8和x16的B：模具修订版BC / T：包装类型FBGA和TSOPL：低功耗版本（可选） - 这些组件是专门选择低IDD6自刷新电流-5 / 6/7 / 7F / 8 ：速度等级 - 见附表第77页2, V1.1HYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)256 - Mbit的双数据速率SDRAM ，模具版本B引脚配置（ TSOP66 ）VDDNCVDDQNCDQ0VSSQNCNCVDDQNCDQ1VSSQNCNCVDDQNCNCVDDNCNCWECASRASCSNCBA0BA1A10/APA0A1A2A3VDDVDDDQ0VDDQNCDQ1VSSQNCDQ2VDDQNCDQ3VSSQNCNCVDDQNCNCVDDNCNCWECASRASCSNCBA0BA1A10/APA0A1A2A3VDDVDDDQ0VDDQDQ1DQ2VSSQDQ3DQ4VDDQDQ5DQ6VSSQDQ7NCVDDQLDQSNCVDDNCLDMWECASRASCSNCBA0BA1A10/APA0A1A2A3VDD12345678910111213141516171819202122232425262728293031323316MB ×1632MB ×864MB ×4666564636261605958575655545352515049484746454443424140393837363534VSSDQ15VSSQDQ14DQ13VDDQDQ12DQ11VSSQDQ10DQ9VDDQDQ8NCVSSQUDQSNCVREFVSSUDMCKCKCKENCA12A11A9A8A7A6A5A4VSSVSSDQ7VSSQNCDQ6VDDQNCDQ5VSSQNCDQ4VDDQNCNCVSSQ的DQNCVREFVSSDMCKCKCKENCA12A11A9A8A7A6A5A4VSSVSSNCVSSQNCDQ3VDDQNCNCVSSQNCDQ2VDDQNCNCVSSQ的DQNCVREFVSSDMCKCKCKENCA12A11A9A8A7A6A5A4VSS第77页3, V1.1HYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)256 - Mbit的双数据速率SDRAM ，模具版本B引脚配置（ FBGA ）1VSSQNCNCNCNCVREF2NCVDDQVSSQVDDQVSSQVSSCLKA12A11A8A6A43VSSDQ3NCDQ2的DQDMCLKCKEA9A7A5VSSABCDEFGHJKLM7VDDDQ0NCDQ1NCNCWERASBA1A0A2VDD8NCVSSQVDDQVSSQVDDQVDDCASCSBA0A10/APA1A39VDDQNCNCNCNCNC1VSSQNCNCNCNCVREF2DQ7VDDQVSSQVDDQVSSQVSSCLKA12A11A8A6A43VSSDQ6DQ5DQ4的DQDMCLKCKEA9A7A5VSSABCDEFGHJKLM7VDDDQ1DQ2DQ3NCNCWERASBA1A0A2VDD8DQ0VSSQVDDQVSSQVDDQVDDCASCSBA0A10/APA1A39VDDQNCNCNCNCNC(x4)顶视图（看穿包球）123VSSABCDEFGHJKLM7VDDDQ2DQ4DQ68DQ0VSSQVDDQVSSQ9VDDQDQ1DQ3DQ5DQ7NC( x8 )VSSQ DQ15DQ14 VDDQ DQ13DQ12 VSSQ DQ11DQ10 VDDQDQ8VREFDQ9VSSQ UDQSVSSCLKA12A11A8A6A4UDMCLKCKEA9A7A5VSSLDQS VDDQLDMWERASBA1A0A2VDDVDDCASCSBA0A10/APA1A3( x 16 )第77页4, V1.1HYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)256 - Mbit的双数据速率SDRAM ，模具版本B输入/输出功能描述符号CK ， CKTYPE输入功能时钟：CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号SAM-PLED的CK和CK的下降沿的正面边缘的交叉。输出（读出）数据是相对于CK和CK的交叉（交叉的两个方向） 。时钟使能：CKE高激活，并且CKE低停用，内部时钟信号和装置的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE低提供预充电断电和自刷新操作（所有银行闲置） ，或Active掉电（行活动在任何一家银行） 。CKE是同步进行断电的入口和出口，以及用于自刷新进入。 CKE是异步的异步的自刷新退出。 CKE必须保持高通量读写访问。输入缓冲器，但不包括CK ， CK和CKE是在断电期间禁用。输入缓冲区，不包括CKE ，是在自刷新无效。片选：当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS为克斯特在与多家银行系统，银行最终选择。 CS被认为是命令的一部分代码。该标准引脚包括一个CS引脚。输入命令：RAS ， CAS和WE （连同CS ）被定义输入的命令。输入数据掩码：DM为输入掩码信号为写入数据。输入数据被屏蔽时的DM在写访问权限进行采样与输入数据的高重合。 DM进行采样DQS的两个边缘。虽然DM引脚的输入而已， DM加载的DQ和匹配DQS装载。银行地址输入：BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或预充电指令被施加。 BA0和BA1还确定了模式寄存器或扩展模式寄存器中一个MRS或EMRS周期要被访问。地址输入：提供行地址为有效命令，并且列地址和自动预充电位为读/写命令，以选择一个位置从存储器中阵列中的各行。预充电命令时A10进行采样，以确定无论是预充电适用于一家银行（ A10 LOW）或所有银行（ A10 HIGH ） 。如果只有一个银行要预充电，该行被选中BA0 ， BA1 。地址输入还提供了一个模式寄存器设置命令在操作码。数据输入/输出：数据总线。数据选通：输出读取数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，岑在篇幅中写入数据。用于捕获写数据。无连接：无内部电气连接是否存在。供应供应供应供应供应DQ电源：2.5V±0.2V.DQ地面电源：2.5V±0.2V.地SSTL_2参考电压：(VDDQ/ 2)CKE输入CSRAS ， CAS ， WE输入输入DM输入BA0 ， BA1输入A0 - A12输入DQ的DQNCVDDQVSSQVDDVSSVREF输入/输出输入/输出第77页5, V1.1数据手册，版本1.2 ， 2004年2月HYB25D256400B[T/C](L)HYB25D256800B[T/C](L)HYB25D256160B[T/C](L)256兆双倍数据速率SDRAMDDR SDRAM存储器产品的Ne V é ?S T O·P吨H I N·K I N克。版2004-02出版英飞凌科技股份公司，圣 - 马丁大街53 ，81669慕尼黑，德国(C)英飞凌科技股份公司2004年。版权所有。请注意！此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证的特点。交货条件和权利，以技术变革保留。在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于电路，说明和图表说明本发明。信息有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的英飞凌科技厅（
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Mbit的双数据速率SDRAM ，模具版本B数据表2003年1月， V1.1特点CAS延迟和频率CAS延迟22.5最大工作频率（MHz ）DDR200 DDR266 DDR266ADDR333-8-7-7F-6100133133133125143143166o双倍数据速率的架构：两个数据传输在每个时钟周期o双向数据选通（ DQS ）被发送与数据接收，以便在拍摄中使用在接收数据o DQS是边沿对齐的数据进行读取，并中心对齐与写入数据o差分时钟输入（ CK和CK ）o四个内部银行的并发操作o数据掩模（DM）写入数据o DLL对齐DQ和DQS转换与CKTRANSITIONSo进入每个积极的CK边缘的命令;数据和数据屏蔽参考的两个边缘的DQo突发长度：2， 4或8个o CAS延时： （1.5） ，2， 2.5 ，（3）o自动预充电选项，每个突发访问o自动刷新和自刷新模式o 7.8ms最大平均周期刷新间隔（ 8K刷新）o 2.5V （ SSTL_2兼容）I / Oo VDDQ= 2.5V ± 0.2V / VDD= 2.5V ± 0.2Vo TSOP66封装o 60球BGA W / 3消除爆音行（ “ chipsize封装年龄“ ） 12毫米×8毫米。描述256MB的DDR SDRAM是高速CMOS ，含动态随机存取存储器位。它在内部配置为四银行DRAM 。256MB的DDR SDRAM采用双数据速率架构设计师用手工tecture以实现高速操作。双数据率的架构基本上是一个2n预取架构以设计成每两个数据字传送的接口时钟周期的I / O引脚。一个单一的读或写访问为256Mb的DDR SDRAM有效地由一个赎罪的GLE2n-bit宽，一个时钟周期的数据在间转移最终DRAM核心，两个对应的正位宽，单半个时钟周期数据传输的I / O引脚。双向数据选通（ DQS ）是外部发送。与数据一起，用于在接收器中的数据采集应用。DQS是在由DDR SDRAM传输频闪读取和写操作过程中的内存控制器。 DQS是边沿对齐的数据进行读取和居中对齐与写入数据。256MB的DDR SDRAM的差分工作时钟（ CK和CK ， CK的交叉变为高电平和CK变低被称为CK的上升沿） 。命令（地址和控制信号）被登记在CK的每个上升沿。输入数据被登记在两个DQS的边缘，和输出数据是参照两DQS的边缘，以及与CK的两个边缘。读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发导向;存取开始在一个选定的位置和反对tinue的位置在一个亲一个设定的号码编程序列。访问开始报名激活命令，然后接着读了或写命令。地址位重合注册在激活命令用于选择银行和, V1.1要访问的行。地址位注册coinci-凹痕的读或写命令用于选择银行和突发的起始列位置访问。在DDR SDRAM提供了可编程只读或写的2，4或8个位置脉冲串长度。在自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电的脉冲串的端部被启动，它将访问。与标准的SDRAM ，流水线，多组架构设计师用手工的DDR SDRAM的tecture允许并发操作，从而通过隐藏行提供高效带宽预充电及激活时间。自动刷新模式用功率储蓄提供沿荷兰国际集团掉电模式。所有的输入都与兼容JEDEC标准SSTL_2 。所有输出SSTL_2 ，II级兼容。注意：所描述的功能和定时specifi-包含在此数据表的阳离子是启用的DLL操作模式。第77页1HYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)256 - Mbit的双数据速率SDRAM ，模具版本B订购信息产品型号aHYB25D256400BT(L)-6HYB25D256800BT(L)-6HYB25D256160BT(L)-6HYB25D256400BT(L)-7HYB25D256800BT(L)-7HYB25D256160BT(L)-7HYB25D256400BT(L)-7FHYB25D256800BT(L)-7FHYB25D256160BT(L)-7FHYB25D256400BT(L)-8HYB25D256800BT(L)-8HYB25D256160BT(L)-8HYB25D256400BC(L)-6HYB25D256800BC(L)-6HYB25D256160BC(L)-6HYB25D256400BC(L)-7HYB25D256800BC(L)-7HYB25D256160BC(L)-7HYB25D256400BC(L)-7FHYB25D256800BC(L)-7FHYB25D256160BC(L)-7FHYB25D256400BC(L)-8HYB25D256800BC(L)-8HYB25D256160BC(L)-8组织。x4x8x16x4x8x16x4x8x16x4x8x16x4x8x16x4x8x16x4x8x16x4x8x16125100DDR2002-2-2DDR266143DDR266A2.5-3-31662-3-3133DDR33360球P- FBGA125100DDR2002-2-2DDR266143DDR266ACAS- RCD -RP潜伏期2.5-3-3时钟（兆赫）166CAS- RCD -RP潜伏期2-3-3时钟（兆赫）133速度DDR333包66引脚P- TSOP - II一。 HYB ：代号为内存组件25D ： DDR -I在VDDQ = 2.5V的SDRAM256 ： 256Mb的密度400/800/160 ：产品差异x4，x8和x16的B：模具修订版BC / T：包装类型FBGA和TSOPL：低功耗版本（可选） - 这些组件是专门选择低IDD6自刷新电流-5 / 6/7 / 7F / 8 ：速度等级 - 见附表第77页2, V1.1HYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)256 - Mbit的双数据速率SDRAM ，模具版本B引脚配置（ TSOP66 ）VDDNCVDDQNCDQ0VSSQNCNCVDDQNCDQ1VSSQNCNCVDDQNCNCVDDNCNCWECASRASCSNCBA0BA1A10/APA0A1A2A3VDDVDDDQ0VDDQNCDQ1VSSQNCDQ2VDDQNCDQ3VSSQNCNCVDDQNCNCVDDNCNCWECASRASCSNCBA0BA1A10/APA0A1A2A3VDDVDDDQ0VDDQDQ1DQ2VSSQDQ3DQ4VDDQDQ5DQ6VSSQDQ7NCVDDQLDQSNCVDDNCLDMWECASRASCSNCBA0BA1A10/APA0A1A2A3VDD12345678910111213141516171819202122232425262728293031323316MB ×1632MB ×864MB ×4666564636261605958575655545352515049484746454443424140393837363534VSSDQ15VSSQDQ14DQ13VDDQDQ12DQ11VSSQDQ10DQ9VDDQDQ8NCVSSQUDQSNCVREFVSSUDMCKCKCKENCA12A11A9A8A7A6A5A4VSSVSSDQ7VSSQNCDQ6VDDQNCDQ5VSSQNCDQ4VDDQNCNCVSSQ的DQNCVREFVSSDMCKCKCKENCA12A11A9A8A7A6A5A4VSSVSSNCVSSQNCDQ3VDDQNCNCVSSQNCDQ2VDDQNCNCVSSQ的DQNCVREFVSSDMCKCKCKENCA12A11A9A8A7A6A5A4VSS第77页3, V1.1HYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)256 - Mbit的双数据速率SDRAM ，模具版本B引脚配置（ FBGA ）1VSSQNCNCNCNCVREF2NCVDDQVSSQVDDQVSSQVSSCLKA12A11A8A6A43VSSDQ3NCDQ2的DQDMCLKCKEA9A7A5VSSABCDEFGHJKLM7VDDDQ0NCDQ1NCNCWERASBA1A0A2VDD8NCVSSQVDDQVSSQVDDQVDDCASCSBA0A10/APA1A39VDDQNCNCNCNCNC1VSSQNCNCNCNCVREF2DQ7VDDQVSSQVDDQVSSQVSSCLKA12A11A8A6A43VSSDQ6DQ5DQ4的DQDMCLKCKEA9A7A5VSSABCDEFGHJKLM7VDDDQ1DQ2DQ3NCNCWERASBA1A0A2VDD8DQ0VSSQVDDQVSSQVDDQVDDCASCSBA0A10/APA1A39VDDQNCNCNCNCNC(x4)顶视图（看穿包球）123VSSABCDEFGHJKLM7VDDDQ2DQ4DQ68DQ0VSSQVDDQVSSQ9VDDQDQ1DQ3DQ5DQ7NC( x8 )VSSQ DQ15DQ14 VDDQ DQ13DQ12 VSSQ DQ11DQ10 VDDQDQ8VREFDQ9VSSQ UDQSVSSCLKA12A11A8A6A4UDMCLKCKEA9A7A5VSSLDQS VDDQLDMWERASBA1A0A2VDDVDDCASCSBA0A10/APA1A3( x 16 )第77页4, V1.1HYB25D256[400/800/160]B[T/C](L)256 - Mbit的双数据速率SDRAM ，模具版本B输入/输出功能描述符号CK ， CKTYPE输入功能时钟：CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号SAM-PLED的CK和CK的下降沿的正面边缘的交叉。输出（读出）数据是相对于CK和CK的交叉（交叉的两个方向） 。时钟使能：CKE高激活，并且CKE低停用，内部时钟信号和装置的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE低提供预充电断电和自刷新操作（所有银行闲置） ，或Active掉电（行活动在任何一家银行） 。CKE是同步进行断电的入口和出口，以及用于自刷新进入。 CKE是异步的异步的自刷新退出。 CKE必须保持高通量读写访问。输入缓冲器，但不包括CK ， CK和CKE是在断电期间禁用。输入缓冲区，不包括CKE ，是在自刷新无效。片选：当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS为克斯特在与多家银行系统，银行最终选择。 CS被认为是命令的一部分代码。该标准引脚包括一个CS引脚。输入命令：RAS ， CAS和WE （连同CS ）被定义输入的命令。输入数据掩码：DM为输入掩码信号为写入数据。输入数据被屏蔽时的DM在写访问权限进行采样与输入数据的高重合。 DM进行采样DQS的两个边缘。虽然DM引脚的输入而已， DM加载的DQ和匹配DQS装载。银行地址输入：BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或预充电指令被施加。 BA0和BA1还确定了模式寄存器或扩展模式寄存器中一个MRS或EMRS周期要被访问。地址输入：提供行地址为有效命令，并且列地址和自动预充电位为读/写命令，以选择一个位置从存储器中阵列中的各行。预充电命令时A10进行采样，以确定无论是预充电适用于一家银行（ A10 LOW）或所有银行（ A10 HIGH ） 。如果只有一个银行要预充电，该行被选中BA0 ， BA1 。地址输入还提供了一个模式寄存器设置命令在操作码。数据输入/输出：数据总线。数据选通：输出读取数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，岑在篇幅中写入数据。用于捕获写数据。无连接：无内部电气连接是否存在。供应供应供应供应供应DQ电源：2.5V±0.2V.DQ地面电源：2.5V±0.2V.地SSTL_2参考电压：(VDDQ/ 2)CKE输入CSRAS ， CAS ， WE输入输入DM输入BA0 ， BA1输入A0 - A12输入DQ的DQNCVDDQVSSQVDDVSSVREF输入/输出输入/输出第77页5, V1.1
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