高温下电子元器件采购网的性能会发生什么变化

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元器件靠得住性基础试验[1][精品]
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&embed src='/DocinViewer-4.swf' width='100%' height='600' type=application/x-shockwave-flash ALLOWFULLSCREEN='true' ALLOWSCRIPTACCESS='always'&&/embed&
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碳化硅MOS器件电学特性研究
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应是已经厦门大学保密委员会审定过的学位论文,未经厦门大学保密
委员会审定的学位论文均为公开学位论文。此声明栏不填写的,默认
为公开学位论文,均适用上述授权。
声明人 签名 :引、丽
≯哆年6月7日
GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学性质,已被广泛用于全彩
显示、信息指示和照明领域,成为当今半导体技术发展的热点。目前,GaN及
GaN基器件的研究已经取得了巨大的进展,但是GaN的生长和器件制备方面还
存在一些困难。P型掺杂困难是限制GaN基材料和器件发展的主要因素之一。
热退火是用于提高P型GaN空穴浓度的常用方法,但具体的实验条件还有待进
一步优化。
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