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MEMS传感器百花齐放 哪些是未来的主流？
从汽车到智能手机，再到智能穿戴、IOT等，各种MEMS传感应用而生，百花齐放，都有哪些种类的MEMS传感器？他们的需求排名如何？
　　中国手机与智能穿戴等厂商采用的MEMS传感器越来越多，杨潇表示，他们所占全球MEMS的市场份额，已从2011年的9%，提升到2015年的30%，后面还会持续增长。另一方面，中国本土的传感器厂商也在迅速增长，我们看到如下图，2015年，中国的有一定规模的传感器厂商已增至超过50家。　　中国的有一定规模的MEMS传感器厂商数量已超过50家　　从MEMS供应链上来看，杨潇表示SITRI可以提供从设计到制造到生态链的几乎全产业链支援。而基它的重要供应链厂商还包括华虹宏力、华天科技、长电科技、SMIC、南通富士通、上海先进半导体等等。&我们会360度全方位地支持M2M与IOT的创新。&他说道。　　MEMS与CMOS集成的工艺演进　　中芯国际技术研究发展执行副总裁李序武在会上从半导体工艺的角度对传感器的技术演讲进行了分享。他指出，未来CMOSSensor将会向3D-CIS发展，而MEMS传感器则是向TSV，WLCSP方向发展。　　李序武指出，未来需要CMOS与MEMS工艺的无缝集成。他对这两个工艺进行了分析比较，MEMS演进需要新的工艺，包括深硅刻蚀、晶园级绑定、高精度晶园减薄、真空封装以及TSV与WLP封装；而CMOS演进则是需要新的材料，包括Cr/Au/Ti/Cu/Al等金属化物、磁材料以及压电材料。此外，MEMS还需要特殊的测试方式、机械压力与可靠性测试、IR与超声探测以及3D测绘等。　　他认为CMOS与MEMS集能带来诸多优势，&集成带来SoC级别的设计和架构，集成会带来更低量产成本，集成会在与寄生性能等方面带来更高的性能。&下图，是他分享的一些CMOS-MEMS集成的工艺。　　一些CMOS-MEMS集成的工艺　　SMIC目前和未来将能提供的各种工艺　　SMIC在MEMS传感品上的演进图，今年已可以量产硅麦与一些运动传感器包括9轴传感器；预计明年可以生产压力传感器，而未来将向高端的RF MEMS、各种生物传感器、微投传感器等迈进。
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MEMS传感器市场的创新，比你想象的要多得多！
上网时间：
作者：Aileen Zhu?
“请创新而不是一味降低成本！我们宁要新功能不要低成本。” 在最近上海举办的第二届MEMS传感器盛会MIG Asia 2015上，华为传感部门的首席技术专家丁险峰的呼吁引起了MEMS产业界的极大反响。此外，来自虚拟现实产品初创企业Virtuix董事长David Allen也强烈表示“需要集成度更高的MEMS传感器产品”。技术创新与传感器融合，在本届会议被反复重申。MEMS传感器的一组市场数据首先来看看一组数据。Yole Développement调查数据指出，从2000年到2020年间，MEMS市场将保持20年的连续增长，MEMS产品的市场规模将在2020年超过250亿美元，是2000年的5倍。MEMS传感器市场的爆发，将成为带动物联网市场前进的重要因素。MIG执行总监Karen Lightman介绍以器件划分的MEMS传感器市场MEMS传感器在几大主流应用中的市场机会快速成长的中国MEMS应用市场全球MEMS产业供应链然而物联网的蓬勃发展，一直被诟病标准的缺失。好消息是IEEE已经制定了物联网的相关标准“27000”和“2413”，据IEEE SA Ravi Subramaniam解释，“27000项目是制订致力于全球IOT方面的标准，促进物联网包括云计算、模拟的药物研发和虚拟的沟通，全球的沟通，以及实际世界与互联世界的互通等新的技术的互联互通问题。还有一个，也是很令人振奋的项目叫IEEE2413，这个也是一个致力于构建物联网实际体系的计划。”在MEMS测试方面，Ravi Subramaniam表示，“有关MEMS测试方法的标准，IEEE在MEMS方面确实在着手做传感器测试方法的标准化，我们确实看到未来对于标准化测试手段有实际的需求，所以未来很有可能会有相关的新项目。还有可能做的项目是传感器的认证，所有购买并用在终端产品上的传感器都是经过测试认证的。”本文下一页：《国际电子商情》原创，版权所有，转载请注明原文地址和链接
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4、全新论坛、问答，体验升级、手机阅读更方便。&&&&据IHSiSuppli的MEMS专题报告，苹果与三星是2012年手机与平板电脑MEMS动作的最大买家，合计控制了将近五分之三的市场，因此在与供应商谈判价格时握有巨大的筹码。
&&&&在采购动作传感器方面，苹果与三星都远远领先于诺基亚、LG电子、HTC、索尼和摩托罗拉等对手。苹果这方面的支出是4.224亿美元，市场份额是31%。三星的支出是3.408亿美元，市场份额是25%。这两家合计占有56%的份额，合计支出达到7.632亿美元，让厂商望尘莫及。苹果与三星以外的买家包括中国的灰市手机产业，以及其它台湾与美国规模较小的买家，如表1所示。
&&&&去年用于手机与平板电脑的MEMS动作传感器总体营业收入为13.4亿美元，比2011年的11.1亿美元劲增21%。&&
&&&&苹果与三星的动作传感器需求量巨大，使之获得了令人难以置信的购买力。与其它买家相比，苹果与三星支付的价格要低20-25%。据IHSiSuppli公司的计算，3轴陀螺仪的情况相似，苹果与三星支付的价格要比别人便宜10-15%。&&&&
&&&&预计苹果与三星将保持MEMS动作传感器主要买家的地位，至少保持到2016年，届时二者的合计市场份额约为55%。责任编辑：陈虹
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国家能源局
10 广东志成冠军集团有限公司
广东志成冠军集团有限公司MEMS传感器的封装
MEMS传感器的封装
&&&&1&引言
&&&&MEMS作为21世纪的前沿高科技，在产业化道路上已经发展了20多年，今天，MEMS产品由于其具有大批量生产、低成本和高性能等特点，已经有了很大的市场，早期的封装技术大多数是借用半导体集成IC领域中现成的封装工艺，MEMS产品中，由于各类产品的使用范围和应用环境的差异，其封装也没有一个
&&&&1&引言
&&&&MEMS作为21世纪的前沿高科技，在产业化道路上已经发展了20多年，今天，MEMS产品由于其具有大批量生产、低成本和高性能等特点，已经有了很大的市场，早期的封装技术大多数是借用半导体集成IC领域中现成的封装工艺，MEMS产品中，由于各类产品的使用范围和应用环境的差异，其封装也没有一个统一的形式[1]，应根据具体的使用情况选择适当的封装，同时，在MEMS产品的制造过程中，封装只能单个进行而不能大批量同时生产，因此封装在MEMS产品总费用中占据70％－80％，封装技术已成为MEMS生产中的瓶颈。CSP和WLP封装是MEMS进行批量生产和微型化的主要途径。
&&&&2&MEMS封装的挑战[2－4]
&&&&目前的MEMS封装技术大都是由集成电路封装技术发展和演变而来，但是由于其应用环境的复杂性，使其与集成电路封装相比又有很大的特殊性[5]，不能简单将集成电路封装直接去封装MEMS器件。
与IC封装类似，MEMS封装主要实现3个功能：机械支撑、环境保护和电气连接[6]。
&&&&2.1&机械支撑
&&&&MEMS芯片有的带有腔体，有的带有悬梁，这些微机械结构的尺寸很小，强度极低，容易因机械接触而损坏和因暴露而沾污，特别是单面加工的器件，是在很薄的薄膜上批量加工的，结构的强度就更低，它能承受的机械强度远远小于IC芯片，对封装的机械性能提出了更高要求。
&&&&2.2&环境保护
&&&&MEMS封装一方面需要对微结构、电路和电气连接进行保护，确保系统的稳定性和可靠性：另一方面又必须对传感器芯片提供一个或多个环境接口，使其能充分感知待测物理量的变化，从信号界面来说，MEMS的输入信号界面复杂，可能为光信号（光电探测器）、磁信号（磁敏器件），还有机械力的大小（压力传感器）、温度的高低（温度传感器）、气体的成分（敏感气体探测器）等，这种复杂的信号界面给封装带来很大的难度。
&&&&2.3&电气连接[7]
&&&&电气连接不仅指MEMS器件与上一级系统之间的信号连接（包括提供通往芯片的电源和接地连接），而且包括MEMS器件内部的信号通路连接。当MEMS器件与电路集成时，就需要考虑系统的信号分配和功率分配。
除此之外，在实际的MEMS封装中，其必须考虑下面一些因素，首先，封装必须给传感器带来的应力要尽可能小，材料的热膨胀系数（CTE）必须与硅的热膨胀系数相近或稍大，由于材料的不匹配，很容易导致界面应力，从而使芯片发生破裂或者分层。对于应力传感器，在设计时就必须考虑封装引起的应力给器件性能的影响，其次，对于一般的MEMS结构和电路封装，散热是必须要给予充分重视的，高温下器件失效的可能性会大大增加，而对于热流量计和红外传感器，适当的热隔离会提高传感器的灵敏度。再次，对于一些特殊的传感器和执行器，需要对封装的气密性进行考虑，封装的气密性和漏气对于提高压力传感器的精度和使用寿命是至关重要的。而对于一些有可动部件的传感器，进行真空封装可以避免振动结构的空气阻尼，提高使用寿命，最后，由于MEMS传感器的输出信号都是微纳量级的，所以必须考虑封装给器件带来的寄生效应。
&&&&3&先进的MEMS封装技术[8－10]
&&&&传统的MEMS封装主要有金属封装，陶瓷封装和塑料封装三种形式，金属封装和陶瓷封装由于其导热性能好，气密性好等优点在一些单个器件的封装中经常使用，铸模塑料由于密封性能不够好，而限制了塑料封装在某些对密封性能要求较高的领域的应用，目前，吸气剂方面的研究成果则给了塑料封装在MEMS方面应用的新契机。吸气剂可以用来去除MEMS器件内部的湿气以及其他一些会影响器件可靠性的微粒，使用适量的吸气剂和塑料封装技术就可能获得准密封的封装效果，从而在降低封装成本的同时保证了MEMS器件的可靠性。
最近几年，MEMS封装技术取得了很大进展，出现了众多的MEMS封装技术，大多数研究都集中在特殊应用的不同封装工艺，但有开发了一些较通用、较完善的封装设计，尽管要区分出不同封装方法之间的细微差别十分困难，但通常可将其分为3个基本的封装层次：（1）芯片级封装；（2）圆片级封装；（3）系统级封装[11]。
&&&&3.1&芯片级封装
&&&&随着集成IC电路的MEMS系统的发展，MEMS芯片的面积越来越大，管脚越来越多，使得原有的封装形式不再适合，芯片尺寸封装CSP（Chip&Scale&Package）的出现，使长期以来芯片小而封装大的矛盾终于得到解决。
芯片尺寸封装是指芯片封装面积不大于其芯片面积的120％，或其芯片封装每边不大于1mm的产品，CSP的种类很多，有柔性封装CSP（FPBGA）、刚性基板CSP（CSTP）、引线框架CSP（LOC型CSP）、栅阵引线型CSP（LGA型CSP）和微小模塑型CSP等，不同的CSP结构，其技术也不尽相同，但都是基于两个根本技术：倒装焊（FCB）和球栅阵列（BGA）。
&&&&3.1.1&倒装焊技术[12，13]
&&&&倒装芯片技术源于IBM的C4技术（Controlled&Collapse&Chip&Connection），是一种将晶片直接与基板相互连接的先进封装技术。在封装过程中，芯片以面朝下的方式让芯片上的结合点透过金属导体与基板的结合点相互连接的封装技术，和传统的引线键合技术相比，使用倒装芯片技术后，引脚可以放在芯片正下方的任何地方，而不是只能排列在其四周，这样就能使得引线电感变小、串扰变弱、信号传输时间缩短，从而提高电性能；同时，由于倒装芯片技术可以将芯片直接覆盖的在基板上，从而能够大副缩小封装的尺寸，实现芯片尺寸封装（CSP）。
&&&&倒装焊技术有3种电气连接方法：焊球凸点法（Solder&bump），热压焊法（和热超声焊法）（见图1）、导电胶粘接法（见图2）。无论哪一种电气连接方式，凸点的制作是非常关键的。凸点根据组分的不同分为软凸点（焊料金属）和硬凸点（Au或Cu），根据形状分为球状凸点和柱状凸点，柱状凸点可以实现小节距，并且间隙可调。[14、15]焊球凸点法是IC中最常用的FC技术，工艺成熟，成本低。其采用软凸点，回流（Reflow）焊实现凸点焊接，最后用Underfill工艺进行填充，热压焊法（和热超声焊法）采用硬凸点，通过加热加压或超声的方法焊接，最后也采用Underfill工艺进行填充，缓解热应力失配。导电胶粘接法包括两种：各向导性导电胶和各向同性导电胶。各向异性导电胶施加在整个空隙之间，只在垂直方向导电，可以实现小节距工艺（Fine&pitch）。各向同性导电胶只加在接触点空隙之间，一般采用含银颗粒的环氧树脂浆液。
&&&&倒装焊的凸点具有高精度的自对准，并且可以通过控制凸点高度来调整芯片与基板间隙，采用AuSn的柔性凸点还可以用来补偿凸点高度的不一致性。热压焊法的凸点材料为Au，其制作工艺可以用来实现隔离环，流体通道，热沉等，如果结合光刻可以用来制造一些特殊的MEMS结构。值得注意的是倒装焊技术需要底部填充物来完全填充芯片间隙，但对MEMS器件来说，填满间隙会影响活动部件的运动，从而在一定程度上限制了其在MEMS中的应用。
&&&&3.1.2&球栅阵列技术
&&&&球栅阵列技术（BGA）是利用球状焊盘作为连接点进行表面安装的芯片封装技术，BGA通过穿过底板的电通孔（Through&hole）和底面的电互联图形，将底板上的节距很少的焊点再分布（Redistribute）到底板底面节距较大（约几百微米量级）的焊球阵列上。与TSOP相比，BGA最大的进步是从四周引脚变为面阵列引脚，从而可以大大提高其封装密度。这种封装的特点是结构紧凑、多引脚和低的感应参数。
BGA封装包括PBGA（Plastic&BGA）基板、CBGA（Ceramic&BGA）基板和TBGA（Tape&BGA）基板。PBGA底板为2－4层有机材料构成的多层硬质板，即Laminate&rigid&Substrate（见图3）。芯片和载体底板（Carrier&substrate）的电连接方式可以是wire&bonding，也可以是FC。CBGA采用陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（Flip&Chip）的安装方式（见图4）。陶瓷封装可实现芯片的真空气密封装要求，留有空腔，不妨碍MEMS器件可动结构的工作，TBGA是载带自动焊接技术的延伸，利用载带互连实现芯片到焊料球和基板的连接，陶瓷封装的BGA和塑料封装的BGA并不是真正意义上的芯片尺寸封装。微球栅阵列μBGA是真正的芯片尺寸封装，它采用薄的柔性基板作为衬底，低应力的弹性体作为模片固定。安装时，薄片面朝下并且电路的焊盘与衬底相连接进行键合，键合后，引线用环氧材料密封进行保护，焊锡球附着在衬底上的焊盘上形成矩形阵列，模片的背面裸露以利于散热。
&&&&3.2&圆片级封装[16－20]
圆片级封装WLP（Wafer&Level&Package）是一种全新的封装思想，和传统的工艺将封装的各个步骤分开来加工不同，WLP用传统的IC工艺一次性完成后道几乎所有的步骤，包括装片、电连接、封装、测试、老化，所有过程均在圆片加工过程中完成，之后再划片，划完的单个芯片即是已经封装好的成品，然后利用该芯片成品上的焊球阵列，倒装焊到PCB板上实现组装。WLP的封装面积与芯片面积比为1：1，而且标准工艺封装成本低，便于圆片级测试和老化。
&&&&实现圆片级封装的方法很多，主要有再分布WLP、包封WLP和柔性载带WLP，其中再分布WLP应用最为广泛，再分布WLP的核心工艺是利用二级钝化层（薄膜聚合物）和金属层将芯片的周边布局的焊盘重新分布成面阵列布局，常用的介质层材料是BCB和聚酰亚胺（PI），常用的再分布金属连线材料为铝和铜。
&&&&是一种典型的再分布工艺，最终形成的焊料凸点呈面阵列布局，该工艺中，采用BCB作为再分布的介质层，Cu作为再分布连线金属，采用溅射法淀积凸点底部金属层（UBM），丝网印刷法淀积焊膏并回流，其中底部金属层工艺对于减少金属间化合反应和提高互连可靠性来说十分关键。
&&&&包封WLP技术的关键工艺为键合，包括硅直接键合、阳极键合、共晶键合和熔融玻璃键合等，在Shellcase的工艺中，芯片包封在玻璃板中，通过玻璃表面凸点实现外界互连，该技术采用与再分布工艺类似的材料和技术将芯片的周边焊盘扩展到划片槽的位置，圆片的正面键合到玻璃板上，对圆片背面进行研磨或抛光，减薄到100μm，是整个封装的最终厚度在0.3－0.5mm。然后将圆片的背面与玻璃进行键合。对这种玻璃－芯片－玻璃的结构进行划片，露出划片槽处的扩展焊盘。对圆片表面进行金属化，刻蚀出图形用于淀积焊球阵列，淀积UBM，刻出图形，淀积凸点，回流，测试并切片分割。
柔性载带WLP技术将常规的柔性载带合引线键合工艺结合起来，采用柔性铜箔聚酰亚胺载带进行周边焊盘的再分布，通过引线键合实现IC周边焊盘与载带焊盘的互连。
对于MEMS光器件来说，封装必须在保证芯片能够充分接触到光线的前提下进行，SCHOTT提出OPTO－WLP的解决方法：芯片正面与光线接触，而背面应用BGA等封装方法安装到PWB上，OPTO－WLP的主要工艺步骤如图7所示，其核心工艺为利用通孔再分布和键合，是WLP封装原理的一种典型应用。
&&&&3.3&系统级封装
&&&&利用标准的IC工艺和MEMS后处理工艺，在单芯片上实现简单的MEMS系统即SoC（System&on&Chip）是可行的。但是在单芯片上实现复杂的MEMS系统，往往因为工艺的兼容性和成本问题变的不可行。为了要达到高度整合的目的，同时保持系统应有的功能及可接受的成本，System－In－Package（SIP）被提出来，成为系统单芯片之外的另一种选择，目前，主要有日本业界所领导的SIP（System－in－Package）与美国乔治亚理工学院（Georgia&Institute&of&Technology）大力提倡的SOP（System－on－Package）。SIP利用多层薄膜封装与组装技术，来达到3D集成电路堆栈，或是含集成电路的封装堆栈，而整合成系统，美国乔治亚理工学院率先从事SOP的研究，以创造最精巧的多功的结合系统（convergent&systems）为目的，本文中两者不予区分，统称为SIP。实现SIP的方法很多，主要包括多芯片组件技术和3D封装两大技术。
3.3.1&多芯片组件技术[21，22]
&&&&多芯片组件MCM与芯片封装MCP一般不予区分，两者的主要区别在于，MCP是安装的IC及各种元器件，而MCM是以安装多个芯片为主，多芯片组件MCM技术是将MEMS芯片和信号处理芯片封装在一个管壳内，以减小整个器件的体积，适应小型化的要求，还可以缩短信号从MEMS芯片到驱动器或执行器的距离，减小信号衰减和外界干扰的影响，是MEMS封装的一个重要趋势。
&&&&基板是MCM技术中的关键单元，提供了新品的机械支撑，芯片间的信号以及芯片组件与下一级系统单元的互连接口，根据基板材料不同，MCM有3种基本类型：（1）基于多层有机层压板结构的MCM－L，（2）基于多层共烧陶瓷技术的MCM－C，（3）基于多层薄膜结构的MCM－D。MCM－L是常规PWB技术发展而来，但与PWB相比，它改进了材料和工艺，提高了光刻技术的分辨率，加强了工艺控制，因此可以加工更小的特征尺寸，实现更高的元器件对准精度，MCM－C的核心技术为共烧陶瓷工艺，包括高温共烧陶瓷（HTCC）和低温共烧陶瓷（LTCC）。所谓LTCC技术，就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压在一起，900摄氏度下烧结，制成三维电路网络的无源集成组件，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块。MCM－D在3种MCM技术中电路密度最高，但工艺最多，成本最高，在MCM－D中，用薄膜淀积法依次淀积金属层和介质层，再用光刻法刻出图形。
&&&&对于包含MEMS器件的MCM封装来说，需要考虑释放结构与封装的先后次序以及封装材料与释放工艺的兼容性问题。大多数的MEMS器件都需要释放牺牲层形成三维结构，但是释放以后的结构都是易碎的，然后利用大规模生产的标准封装工艺进行封装成品率很低。采用先进行封装后释放结构的方法，需要考虑在释放结构过程中对电路以及封装材料的保护。
&&&&3.3.2&三维（3D）封装
&&&&各类SMD的日益微小型化，引线特征尺寸减小，实质上为实现x、y平面（2D）上微电子组装的高密度化；而三维（3D）封装技术则是在2D的基础上，进一步向z方向，即向空间发展的微电子组装高密度化，实现3D封装，不但使电子产品的组装密度更好，也使其功能更多的，传输速度更高，功耗更低，性能更好，而可靠性也更高，3D封装主要有3种类型：埋置型3D、有源基板型3D和叠层型3D。埋层型主要是指在基础板内或多层布线介质中埋置IC或无源器件，最上层贴装SMD来实现立体封装，以硅圆片规模集成（WSI）作为有源基板，然后在上面实现多层布线，最上层贴装SMD，构成立体封装，这种结构形式称为有源基板型，叠层型指在2D封装的基础上，将每一层封装上下叠装互连起来，或直接将两个芯片面对面&对接&起来或背对背封装起来，从而实现立体封装。
&&&&4&MEMS系统的封装[23]
&&&&由于IC制造技术的发展，采用与标准的IC制造技术相兼容的MEMS结构越来越多，同时，随着CMOS技术的不断成熟，使得将预放和A/D等信号条理调理电路和微传感器可以和做在一个芯片成为可能，形成真正的SoC。
通常与标准的IC电路制造技术相兼容的MEMS制作方法有3种：一种是pre－CMOS，在标准工艺之前采用MEMS工艺，（包括表面加工和体加工）对芯片进行处理；一种是pre－CMOS，在标准工艺之后采用MEMS工艺对芯片进行处理；还有一种是intermediate&processing，在标准工艺过程中插入一些MEMS工艺步骤。目前应用最广泛的是pre－CMOS，比较成熟的产品有压力传感器，热流量传感器和化学传感器等。[24－26]
&&&&4.1&采用倒装焊封装的电容式化学传感器
&&&&下面以瑞士苏黎世大学物理电子实验室制作的电容式化学传感器为例，说明全集成MEMS系统的封装，图8是该芯片的SEM照片，包括3个叉指状敏感电容，3个参考电容，一个多路选择器和一个Σ－Δ调制器，其中，叉指状电容是利用CMOS工艺中的金属层制作的，敏感电容表面有聚合物薄膜作为化学敏感元件，而参考电容则没有，传感器将两个电容之差通过片上Σ－Δ调制器转换成数字输出信号。
&&&&电容式传感器采用倒装焊封装，传感器芯片通过倒装焊在一个化学惰性的陶瓷衬底上，通过封装，必须确保使得敏感电容与待测气体相接触，同时使得参考电容和片上电路与待测气体相隔离，如图9所示，采用一个金属框架可以使敏感电容与待测气体保持充分接触，而且这个金属框架与倒装工艺制造凸点工艺完全兼容，凸点高度决定了芯片与衬底直接的距离，而普遍电镀形成的Au凸点一般用最大10％的高度不均匀性，在与基板倒装互联时，为了使所有凸点都能很好连接，必然加大焊接压力，使较高的凸点过分变形，在实际应用中，采用了柔性凸点，凸点制作工艺中最为关键的是UBM（under－bump&metallization）的制作，采用TiW作为粘附层和阻挡层。在进行基板和新片互连的同时，形成金属框架将参考电容和片上电路隔离，最后，在芯片和基板之间填充环氧树脂，形成underfill。
&&&&4.2&采用BGA封装的红外传感器
&&&&为100像素红外传感器，面积为3.3mm×3.3mm。通过电镀一层25μm厚的金线，将薄膜分隔成10×10的阵列，对相邻的像素进行热隔离。红外辐射被薄膜吸收，对像素进行加热，温度的变化通过由多晶硅和铝条组成的热电偶转换成电压输出，热电偶的电压输出利用多路选择器进行选址，然后由一个低噪声放大器进行放大输出。
&&&&红外传感器的封装必须要保护芯片不受机械损伤，并且能够屏蔽远红外干扰，解决的办法为利用非流动等温凝固的方法在芯片上直接安装一个高通的红外滤波器，贴有滤波器的芯片进一步利用标准的PBGA工艺进行封装，电路和引线都利用覆顶式液状材料进行包封（见图11）。
&&&&4.3&采用WLP封装的压力传感器
&&&&新加坡国立大学报道的一种用WLP封装的基于压阻原理的压力传感器。该传感器芯片面积为4mm×4mm，采用4k欧姆的压阻组成惠斯通电桥测量压力变化，其剖面图如图12所示。传感器芯片为100mm（4英寸）的N型双面抛光SOI片，利用湿法腐蚀出空腔。正面为一个450μm厚的100mm（4英寸）硅片，利用40％的KOH和异丙醇IPA在80摄氏度腐蚀到120μm，然后利用LPCVD在硅片两面都淀积一层低应力氮化硅。利用熔融玻璃将传感器芯片和正面芯片键合，然后利用等离子刻蚀出通孔，底部为一个450μm厚的100mm（4英寸）硅片，利用LPVCD淀积一层250nm的低应力氮化硅，然后利用各向异性刻蚀出通气孔并与传感器芯片键合，最后制作凸点，进行引线互联。
&&&&5&结论
&&&&MEMS是21世纪最有发展前途的产业，目前，MEMS器件已经开始实用化，MEMS设计开始走向系统化，集成MEMS系统的实现方式主要有两种：一种是系统级芯片SOC（system&on&chip），另一种是SIP（system&in&a&chip）。利用SOC集成MEMS的优势很明显：具有最小的尺寸、最短的内部连接长度、最佳电气特性、最高输出/输入接点密度、最小功耗。SIP虽然整合程度不如SOC高，但是其可以在同一基板上集成不同的芯片，从而无需考虑电路与MEMS器件材料和工艺的兼容性。降低了设计和制作的难度，两种实现方式各有利弊，也可互为补充，都是MEMS发展的重要趋势。
&&&&要实现MEMS的产业化，封装必须跟上MEMS产品设计的步伐，在设计器件的时候就开始考虑封装。目前的MEMS封装技术大都是由集成电路封装技术发展和演变而来，但是特殊的信号界面、外壳要求，三维结构和可靠性要求决定了MEMS封装的难点所在，需要重点研究，德国Fraunhofer&IZM提出了模块式MEMS（MOMEMS）的概念，MOMEMS使用标准化的外部接口，从而MEMS器件能够使用统一的、标准化的封装批量生产，降低了成本，缩短了进入市场的时间，模块式MEMS封装设计的思路也许是MEMS封装的一个重要突破口。
&&&&1&引言
&&&&MEMS作为21世纪的前沿高科技，在产业化道路上已经发展了20多年，今天，MEMS产品由于其具有大批量生产、低成本和高性能等特点，已经有了很大的市场，早期的封装技术大多数是借用半导体集成IC领域中现成的封装工艺，MEMS产品中，由于各类产品的使用范围和应用环境的差异，其封装也没有一个统一的形式[1]，应根据具体的使用情况选择适当的封装，同时，在MEMS产品的制造过程中，封装只能单个进行而不能大批量同时生产，因此封装在MEMS产品总费用中占据70％－80％，封装技术已成为MEMS生产中的瓶颈。CSP和WLP封装是MEMS进行批量生产和微型化的主要途径。
&&&&2&MEMS封装的挑战[2－4]
&&&&目前的MEMS封装技术大都是由集成电路封装技术发展和演变而来，但是由于其应用环境的复杂性，使其与集成电路封装相比又有很大的特殊性[5]，不能简单将集成电路封装直接去封装MEMS器件。
与IC封装类似，MEMS封装主要实现3个功能：机械支撑、环境保护和电气连接[6]。
&&&&2.1&机械支撑
&&&&MEMS芯片有的带有腔体，有的带有悬梁，这些微机械结构的尺寸很小，强度极低，容易因机械接触而损坏和因暴露而沾污，特别是单面加工的器件，是在很薄的薄膜上批量加工的，结构的强度就更低，它能承受的机械强度远远小于IC芯片，对封装的机械性能提出了更高要求。
&&&&2.2&环境保护
&&&&MEMS封装一方面需要对微结构、电路和电气连接进行保护，确保系统的稳定性和可靠性：另一方面又必须对传感器芯片提供一个或多个环境接口，使其能充分感知待测物理量的变化，从信号界面来说，MEMS的输入信号界面复杂，可能为光信号（光电探测器）、磁信号（磁敏器件），还有机械力的大小（压力传感器）、温度的高低（温度传感器）、气体的成分（敏感气体探测器）等，这种复杂的信号界面给封装带来很大的难度。
&&&&2.3&电气连接[7]
&&&&电气连接不仅指MEMS器件与上一级系统之间的信号连接（包括提供通往芯片的电源和接地连接），而且包括MEMS器件内部的信号通路连接。当MEMS器件与电路集成时，就需要考虑系统的信号分配和功率分配。
除此之外，在实际的MEMS封装中，其必须考虑下面一些因素，首先，封装必须给传感器带来的应力要尽可能小，材料的热膨胀系数（CTE）必须与硅的热膨胀系数相近或稍大，由于材料的不匹配，很容易导致界面应力，从而使芯片发生破裂或者分层。对于应力传感器，在设计时就必须考虑封装引起的应力给器件性能的影响，其次，对于一般的MEMS结构和电路封装，散热是必须要给予充分重视的，高温下器件失效的可能性会大大增加，而对于热流量计和红外传感器，适当的热隔离会提高传感器的灵敏度。再次，对于一些特殊的传感器和执行器，需要对封装的气密性进行考虑，封装的气密性和漏气对于提高压力传感器的精度和使用寿命是至关重要的。而对于一些有可动部件的传感器，进行真空封装可以避免振动结构的空气阻尼，提高使用寿命，最后，由于MEMS传感器的输出信号都是微纳量级的，所以必须考虑封装给器件带来的寄生效应。
&&&&3&先进的MEMS封装技术[8－10]
&&&&传统的MEMS封装主要有金属封装，陶瓷封装和塑料封装三种形式，金属封装和陶瓷封装由于其导热性能好，气密性好等优点在一些单个器件的封装中经常使用，铸模塑料由于密封性能不够好，而限制了塑料封装在某些对密封性能要求较高的领域的应用，目前，吸气剂方面的研究成果则给了塑料封装在MEMS方面应用的新契机。吸气剂可以用来去除MEMS器件内部的湿气以及其他一些会影响器件可靠性的微粒，使用适量的吸气剂和塑料封装技术就可能获得准密封的封装效果，从而在降低封装成本的同时保证了MEMS器件的可靠性。
最近几年，MEMS封装技术取得了很大进展，出现了众多的MEMS封装技术，大多数研究都集中在特殊应用的不同封装工艺，但有开发了一些较通用、较完善的封装设计，尽管要区分出不同封装方法之间的细微差别十分困难，但通常可将其分为3个基本的封装层次：（1）芯片级封装；（2）圆片级封装；（3）系统级封装[11]。
&&&&3.1&芯片级封装
&&&&随着集成IC电路的MEMS系统的发展，MEMS芯片的面积越来越大，管脚越来越多，使得原有的封装形式不再适合，芯片尺寸封装CSP（Chip&Scale&Package）的出现，使长期以来芯片小而封装大的矛盾终于得到解决。
芯片尺寸封装是指芯片封装面积不大于其芯片面积的120％，或其芯片封装每边不大于1mm的产品，CSP的种类很多，有柔性封装CSP（FPBGA）、刚性基板CSP（CSTP）、引线框架CSP（LOC型CSP）、栅阵引线型CSP（LGA型CSP）和微小模塑型CSP等，不同的CSP结构，其技术也不尽相同，但都是基于两个根本技术：倒装焊（FCB）和球栅阵列（BGA）。
&&&&3.1.1&倒装焊技术[12，13]
&&&&倒装芯片技术源于IBM的C4技术（Controlled&Collapse&Chip&Connection），是一种将晶片直接与基板相互连接的先进封装技术。在封装过程中，芯片以面朝下的方式让芯片上的结合点透过金属导体与基板的结合点相互连接的封装技术，和传统的引线键合技术相比，使用倒装芯片技术后，引脚可以放在芯片正下方的任何地方，而不是只能排列在其四周，这样就能使得引线电感变小、串扰变弱、信号传输时间缩短，从而提高电性能；同时，由于倒装芯片技术可以将芯片直接覆盖的在基板上，从而能够大副缩小封装的尺寸，实现芯片尺寸封装（CSP）。
&&&&倒装焊技术有3种电气连接方法：焊球凸点法（Solder&bump），热压焊法（和热超声焊法）（见图1）、导电胶粘接法（见图2）。无论哪一种电气连接方式，凸点的制作是非常关键的。凸点根据组分的不同分为软凸点（焊料金属）和硬凸点（Au或Cu），根据形状分为球状凸点和柱状凸点，柱状凸点可以实现小节距，并且间隙可调。[14、15]焊球凸点法是IC中最常用的FC技术，工艺成熟，成本低。其采用软凸点，回流（Reflow）焊实现凸点焊接，最后用Underfill工艺进行填充，热压焊法（和热超声焊法）采用硬凸点，通过加热加压或超声的方法焊接，最后也采用Underfill工艺进行填充，缓解热应力失配。导电胶粘接法包括两种：各向导性导电胶和各向同性导电胶。各向异性导电胶施加在整个空隙之间，只在垂直方向导电，可以实现小节距工艺（Fine&pitch）。各向同性导电胶只加在接触点空隙之间，一般采用含银颗粒的环氧树脂浆液。
&&&&倒装焊的凸点具有高精度的自对准，并且可以通过控制凸点高度来调整芯片与基板间隙，采用AuSn的柔性凸点还可以用来补偿凸点高度的不一致性。热压焊法的凸点材料为Au，其制作工艺可以用来实现隔离环，流体通道，热沉等，如果结合光刻可以用来制造一些特殊的MEMS结构。值得注意的是倒装焊技术需要底部填充物来完全填充芯片间隙，但对MEMS器件来说，填满间隙会影响活动部件的运动，从而在一定程度上限制了其在MEMS中的应用。
&&&&3.1.2&球栅阵列技术
&&&&球栅阵列技术（BGA）是利用球状焊盘作为连接点进行表面安装的芯片封装技术，BGA通过穿过底板的电通孔（Through&hole）和底面的电互联图形，将底板上的节距很少的焊点再分布（Redistribute）到底板底面节距较大（约几百微米量级）的焊球阵列上。与TSOP相比，BGA最大的进步是从四周引脚变为面阵列引脚，从而可以大大提高其封装密度。这种封装的特点是结构紧凑、多引脚和低的感应参数。
BGA封装包括PBGA（Plastic&BGA）基板、CBGA（Ceramic&BGA）基板和TBGA（Tape&BGA）基板。PBGA底板为2－4层有机材料构成的多层硬质板，即Laminate&rigid&Substrate（见图3）。芯片和载体底板（Carrier&substrate）的电连接方式可以是wire&bonding，也可以是FC。CBGA采用陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（Flip&Chip）的安装方式（见图4）。陶瓷封装可实现芯片的真空气密封装要求，留有空腔，不妨碍MEMS器件可动结构的工作，TBGA是载带自动焊接技术的延伸，利用载带互连实现芯片到焊料球和基板的连接，陶瓷封装的BGA和塑料封装的BGA并不是真正意义上的芯片尺寸封装。微球栅阵列μBGA是真正的芯片尺寸封装，它采用薄的柔性基板作为衬底，低应力的弹性体作为模片固定。安装时，薄片面朝下并且电路的焊盘与衬底相连接进行键合，键合后，引线用环氧材料密封进行保护，焊锡球附着在衬底上的焊盘上形成矩形阵列，模片的背面裸露以利于散热。
&&&&3.2&圆片级封装[16－20]
圆片级封装WLP（Wafer&Level&Package）是一种全新的封装思想，和传统的工艺将封装的各个步骤分开来加工不同，WLP用传统的IC工艺一次性完成后道几乎所有的步骤，包括装片、电连接、封装、测试、老化，所有过程均在圆片加工过程中完成，之后再划片，划完的单个芯片即是已经封装好的成品，然后利用该芯片成品上的焊球阵列，倒装焊到PCB板上实现组装。WLP的封装面积与芯片面积比为1：1，而且标准工艺封装成本低，便于圆片级测试和老化。
&&&&实现圆片级封装的方法很多，主要有再分布WLP、包封WLP和柔性载带WLP，其中再分布WLP应用最为广泛，再分布WLP的核心工艺是利用二级钝化层（薄膜聚合物）和金属层将芯片的周边布局的焊盘重新分布成面阵列布局，常用的介质层材料是BCB和聚酰亚胺（PI），常用的再分布金属连线材料为铝和铜。
&&&&是一种典型的再分布工艺，最终形成的焊料凸点呈面阵列布局，该工艺中，采用BCB作为再分布的介质层，Cu作为再分布连线金属，采用溅射法淀积凸点底部金属层（UBM），丝网印刷法淀积焊膏并回流，其中底部金属层工艺对于减少金属间化合反应和提高互连可靠性来说十分关键。
&&&&包封WLP技术的关键工艺为键合，包括硅直接键合、阳极键合、共晶键合和熔融玻璃键合等，在Shellcase的工艺中，芯片包封在玻璃板中，通过玻璃表面凸点实现外界互连，该技术采用与再分布工艺类似的材料和技术将芯片的周边焊盘扩展到划片槽的位置，圆片的正面键合到玻璃板上，对圆片背面进行研磨或抛光，减薄到100μm，是整个封装的最终厚度在0.3－0.5mm。然后将圆片的背面与玻璃进行键合。对这种玻璃－芯片－玻璃的结构进行划片，露出划片槽处的扩展焊盘。对圆片表面进行金属化，刻蚀出图形用于淀积焊球阵列，淀积UBM，刻出图形，淀积凸点，回流，测试并切片分割。
柔性载带WLP技术将常规的柔性载带合引线键合工艺结合起来，采用柔性铜箔聚酰亚胺载带进行周边焊盘的再分布，通过引线键合实现IC周边焊盘与载带焊盘的互连。
对于MEMS光器件来说，封装必须在保证芯片能够充分接触到光线的前提下进行，SCHOTT提出OPTO－WLP的解决方法：芯片正面与光线接触，而背面应用BGA等封装方法安装到PWB上，OPTO－WLP的主要工艺步骤如图7所示，其核心工艺为利用通孔再分布和键合，是WLP封装原理的一种典型应用。
&&&&3.3&系统级封装
&&&&利用标准的IC工艺和MEMS后处理工艺，在单芯片上实现简单的MEMS系统即SoC（System&on&Chip）是可行的。但是在单芯片上实现复杂的MEMS系统，往往因为工艺的兼容性和成本问题变的不可行。为了要达到高度整合的目的，同时保持系统应有的功能及可接受的成本，System－In－Package（SIP）被提出来，成为系统单芯片之外的另一种选择，目前，主要有日本业界所领导的SIP（System－in－Package）与美国乔治亚理工学院（Georgia&Institute&of&Technology）大力提倡的SOP（System－on－Package）。SIP利用多层薄膜封装与组装技术，来达到3D集成电路堆栈，或是含集成电路的封装堆栈，而整合成系统，美国乔治亚理工学院率先从事SOP的研究，以创造最精巧的多功的结合系统（convergent&systems）为目的，本文中两者不予区分，统称为SIP。实现SIP的方法很多，主要包括多芯片组件技术和3D封装两大技术。
3.3.1&多芯片组件技术[21，22]
&&&&多芯片组件MCM与芯片封装MCP一般不予区分，两者的主要区别在于，MCP是安装的IC及各种元器件，而MCM是以安装多个芯片为主，多芯片组件MCM技术是将MEMS芯片和信号处理芯片封装在一个管壳内，以减小整个器件的体积，适应小型化的要求，还可以缩短信号从MEMS芯片到驱动器或执行器的距离，减小信号衰减和外界干扰的影响，是MEMS封装的一个重要趋势。
&&&&基板是MCM技术中的关键单元，提供了新品的机械支撑，芯片间的信号以及芯片组件与下一级系统单元的互连接口，根据基板材料不同，MCM有3种基本类型：（1）基于多层有机层压板结构的MCM－L，（2）基于多层共烧陶瓷技术的MCM－C，（3）基于多层薄膜结构的MCM－D。MCM－L是常规PWB技术发展而来，但与PWB相比，它改进了材料和工艺，提高了光刻技术的分辨率，加强了工艺控制，因此可以加工更小的特征尺寸，实现更高的元器件对准精度，MCM－C的核心技术为共烧陶瓷工艺，包括高温共烧陶瓷（HTCC）和低温共烧陶瓷（LTCC）。所谓LTCC技术，就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压在一起，900摄氏度下烧结，制成三维电路网络的无源集成组件，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块。MCM－D在3种MCM技术中电路密度最高，但工艺最多，成本最高，在MCM－D中，用薄膜淀积法依次淀积金属层和介质层，再用光刻法刻出图形。
&&&&对于包含MEMS器件的MCM封装来说，需要考虑释放结构与封装的先后次序以及封装材料与释放工艺的兼容性问题。大多数的MEMS器件都需要释放牺牲层形成三维结构，但是释放以后的结构都是易碎的，然后利用大规模生产的标准封装工艺进行封装成品率很低。采用先进行封装后释放结构的方法，需要考虑在释放结构过程中对电路以及封装材料的保护。
&&&&3.3.2&三维（3D）封装
&&&&各类SMD的日益微小型化，引线特征尺寸减小，实质上为实现x、y平面（2D）上微电子组装的高密度化；而三维（3D）封装技术则是在2D的基础上，进一步向z方向，即向空间发展的微电子组装高密度化，实现3D封装，不但使电子产品的组装密度更好，也使其功能更多的，传输速度更高，功耗更低，性能更好，而可靠性也更高，3D封装主要有3种类型：埋置型3D、有源基板型3D和叠层型3D。埋层型主要是指在基础板内或多层布线介质中埋置IC或无源器件，最上层贴装SMD来实现立体封装，以硅圆片规模集成（WSI）作为有源基板，然后在上面实现多层布线，最上层贴装SMD，构成立体封装，这种结构形式称为有源基板型，叠层型指在2D封装的基础上，将每一层封装上下叠装互连起来，或直接将两个芯片面对面&对接&起来或背对背封装起来，从而实现立体封装。
&&&&4&MEMS系统的封装[23]
&&&&由于IC制造技术的发展，采用与标准的IC制造技术相兼容的MEMS结构越来越多，同时，随着CMOS技术的不断成熟，使得将预放和A/D等信号条理调理电路和微传感器可以和做在一个芯片成为可能，形成真正的SoC。
通常与标准的IC电路制造技术相兼容的MEMS制作方法有3种：一种是pre－CMOS，在标准工艺之前采用MEMS工艺，（包括表面加工和体加工）对芯片进行处理；一种是pre－CMOS，在标准工艺之后采用MEMS工艺对芯片进行处理；还有一种是intermediate&processing，在标准工艺过程中插入一些MEMS工艺步骤。目前应用最广泛的是pre－CMOS，比较成熟的产品有压力传感器，热流量传感器和化学传感器等。[24－26]
&&&&4.1&采用倒装焊封装的电容式化学传感器
&&&&下面以瑞士苏黎世大学物理电子实验室制作的电容式化学传感器为例，说明全集成MEMS系统的封装，图8是该芯片的SEM照片，包括3个叉指状敏感电容，3个参考电容，一个多路选择器和一个Σ－Δ调制器，其中，叉指状电容是利用CMOS工艺中的金属层制作的，敏感电容表面有聚合物薄膜作为化学敏感元件，而参考电容则没有，传感器将两个电容之差通过片上Σ－Δ调制器转换成数字输出信号。
&&&&电容式传感器采用倒装焊封装，传感器芯片通过倒装焊在一个化学惰性的陶瓷衬底上，通过封装，必须确保使得敏感电容与待测气体相接触，同时使得参考电容和片上电路与待测气体相隔离，如图9所示，采用一个金属框架可以使敏感电容与待测气体保持充分接触，而且这个金属框架与倒装工艺制造凸点工艺完全兼容，凸点高度决定了芯片与衬底直接的距离，而普遍电镀形成的Au凸点一般用最大10％的高度不均匀性，在与基板倒装互联时，为了使所有凸点都能很好连接，必然加大焊接压力，使较高的凸点过分变形，在实际应用中，采用了柔性凸点，凸点制作工艺中最为关键的是UBM（under－bump&metallization）的制作，采用TiW作为粘附层和阻挡层。在进行基板和新片互连的同时，形成金属框架将参考电容和片上电路隔离，最后，在芯片和基板之间填充环氧树脂，形成underfill。
&&&&4.2&采用BGA封装的红外传感器
&&&&为100像素红外传感器，面积为3.3mm×3.3mm。通过电镀一层25μm厚的金线，将薄膜分隔成10×10的阵列，对相邻的像素进行热隔离。红外辐射被薄膜吸收，对像素进行加热，温度的变化通过由多晶硅和铝条组成的热电偶转换成电压输出，热电偶的电压输出利用多路选择器进行选址，然后由一个低噪声放大器进行放大输出。
&&&&红外传感器的封装必须要保护芯片不受机械损伤，并且能够屏蔽远红外干扰，解决的办法为利用非流动等温凝固的方法在芯片上直接安装一个高通的红外滤波器，贴有滤波器的芯片进一步利用标准的PBGA工艺进行封装，电路和引线都利用覆顶式液状材料进行包封（见图11）。
&&&&4.3&采用WLP封装的压力传感器
&&&&新加坡国立大学报道的一种用WLP封装的基于压阻原理的压力传感器。该传感器芯片面积为4mm×4mm，采用4k欧姆的压阻组成惠斯通电桥测量压力变化，其剖面图如图12所示。传感器芯片为100mm（4英寸）的N型双面抛光SOI片，利用湿法腐蚀出空腔。正面为一个450μm厚的100mm（4英寸）硅片，利用40％的KOH和异丙醇IPA在80摄氏度腐蚀到120μm，然后利用LPCVD在硅片两面都淀积一层低应力氮化硅。利用熔融玻璃将传感器芯片和正面芯片键合，然后利用等离子刻蚀出通孔，底部为一个450μm厚的100mm（4英寸）硅片，利用LPVCD淀积一层250nm的低应力氮化硅，然后利用各向异性刻蚀出通气孔并与传感器芯片键合，最后制作凸点，进行引线互联。
&&&&5&结论
&&&&MEMS是21世纪最有发展前途的产业，目前，MEMS器件已经开始实用化，MEMS设计开始走向系统化，集成MEMS系统的实现方式主要有两种：一种是系统级芯片SOC（system&on&chip），另一种是SIP（system&in&a&chip）。利用SOC集成MEMS的优势很明显：具有最小的尺寸、最短的内部连接长度、最佳电气特性、最高输出/输入接点密度、最小功耗。SIP虽然整合程度不如SOC高，但是其可以在同一基板上集成不同的芯片，从而无需考虑电路与MEMS器件材料和工艺的兼容性。降低了设计和制作的难度，两种实现方式各有利弊，也可互为补充，都是MEMS发展的重要趋势。
&&&&要实现MEMS的产业化，封装必须跟上MEMS产品设计的步伐，在设计器件的时候就开始考虑封装。目前的MEMS封装技术大都是由集成电路封装技术发展和演变而来，但是特殊的信号界面、外壳要求，三维结构和可靠性要求决定了MEMS封装的难点所在，需要重点研究，德国Fraunhofer&IZM提出了模块式MEMS（MOMEMS）的概念，MOMEMS使用标准化的外部接口，从而MEMS器件能够使用统一的、标准化的封装批量生产，降低了成本，缩短了进入市场的时间，模块式MEMS封装设计的思路也许是MEMS封装的一个重要突破口。
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