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提问者：易车网友|分类：
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08年款双龙雷斯特发动机故障灯亮故障码：P1173-3号喷油嘴MDP故障是什么意思怎样解决？
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您好，故障码需要到维修站用电脑读取的。
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1. The complex 99 m Tc - MAAG 2 is prepared by directly labeling method.
通过直接标记法制备了水溶性配合物99mTc-MAAG2,并对其体外稳定性进行了检测.
来自互联网
2. NGA was labeled directly with Na 99 mTcO 4. The radiochemical purity of 99 mTc - NGA was over 90 %.
用直接法制备99mTc - NGA, 其放化纯大于90%,且室温下可稳定6h以上,符合显像要求.
来自互联网
3. The labelling yields of 99 mTc - EDP is more than 95 % under the selected labelling condition.
经99mTc标记后,标记率高于95%.
来自互联网
4. Conclusion: 99 mTC - TRODAT - 1 SPECT DAT imaging may help to confirm the diagnosis of PD at early stage.
结论: 脑99mTC-TRODAT-1SPECTDAT显像有助于PD早期诊断.
来自互联网
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mdpv是什么意思
中文翻译番鸭细小病毒
例句与用法1.88 . 2 % , 87 . 4 % separately . according to the phylogenetic tree analysis , they are divided into two groups : gpv - like and mdpv - like系统进化树分析可知：所有比较毒株分为两大分支gpv和mdpv 。 2.The most variable regions between hi and b strain reside in vp2 and vp3 overlap region ( 319 - 470 ) , which are supposedly exposed to the surface of the capsid . it is possible due to the selective pressure from host immune system . the largest divergence between the gpv - h1 and mdpv capsid polypeptides located between the start cordons of vp2 and vp3H1株与gpv - b株氨基酸的差异集中在vp2 、 vp3重叠区的319 - 470位之间，这与预期暴露于病毒最表面的区域相吻合，可能是宿主免疫筛选导致的变异； gpv - h1株和mdpv之间还存在另一高变区，位于vp2和vp3起始密码子之间，这可能与两病毒有不同宿主域相关。
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MSM8930、MSM8230和MSM8630是属于骁龙400处理平台下的三款芯片产品，被统称为MSM8x30。[1]这三款芯片是骁龙400系列中面向中高端智能手机的处理器，采用28nm工艺制造，整合双Krait架构CPU，主频包括1.2GHz、1.4GHz等版本，并集成Adreno305 GPU。这三款芯片分别支持不同的网络模式，其中MSM8930是世界模，MSM8230配备 UMTS集成调制解调器，MSM8630配备UMTS/CDMA集成多模调制解调器。[2]CPU双Krait CPU显示屏QHD
Krait CPU微架构是高通公司基于ARMv7-A指令集自主设计的新型高性能架构，采用异步对称式多核处理技术（aSMP）。被使用在骁龙系列最顶级的S4 Pro、Plus和Prime处理器上，如APQ8064、MSM8960、MSM8660A等。Krait采用了使用新电路技术的定制设计流程以提高性能，降低功耗。Krait的电源效率也带来了更佳的热曲线，与竞争解决方案相比，能够以峰值性能运行更长时间。[1]
在指令集方面，Krait兼容Cortex A-15 系列相应的ARM指令如 VFP3/v4和NEON Adv SIMD，而且在性能上Krait 也和Mobile 版Cortex A-15 旗鼓相当，但功耗却远低于Cortex-A-15。根据相关评测数据，现有的Krait CPU在12项不同测试中均领先于竞品，骁龙双核Krait CPU性能超越四核CPU竞品。[3]
28nm制程是目前最先进的工艺技术，在提升运算能力的同时，还能够非常有效地降低功耗。
Adreno305 GPU将提供更加先进的图形渲染能力，其性能是原有Adreno处理器的6倍以上。Adreno GPU拥有最大的移动图形生态系统，覆盖Android、Windows Phone 7 Xbox游戏及Playstation认证游戏在内的众多游戏。[3]
MSM8x30集成了行业领先的调制解调器，可实现单一平台支持中国全部三个运营商的网络制式：TD-SCDMA、TD-LTE、LTE-FDD、CDMA 1x / 1xADV / DoRA / DorB、UMTS等。其中MSM8930是世界上首款集成LTE调制解调器、针对大众市场LTE智能手机的单芯片解决方案，其世界模同时支持UMTS、CDMA TD-SCDMA和TD-LTE、LTE-FDD等制式。MSM8230配备 UMTS集成调制解调器，MSM8630配备UMTS/CDMA集成多模调制解调器。
2012年9月份，高通公司宣布高通参考设计（QRD）计划将支持MSM8x30。QRD计划包括丰富完整的手机开发平台以及生态系统计划，提供经过测试和验证的第三方软件和硬件元器件，使客户能够快速地为价格敏感消费者提供差异化的智能手机。Wi-Fi、蓝牙和FM连接技术已在QRD平台上完成验证及测试，以加快产品上市速度。CPU
双Krait CPU，主频包括1.2GHz、1.4GHz等版本[4]
Adreno 305
调制解调器
世界模(LTE FDD/TDD CAT 3, SVLTE-DB, TD-SCDMA, Rel9 DCHSPA+, GSM/GPRS/EDGE, EGAL, 1x Adv., 1x EV-DO Rev. A/B)
最高达13.5MP
gpsOneGen 8A及GLONASS
高速USB 2.0
BT 3.x的分立式解决方案
802.11a/b/g/n*
双Krait CPU，主频包括1.2GHz、1.4GHz等版本
Adreno 305
调制解调器
UMTS (DC-HSPA+, TD-SCDMA)
最高达13.5MP
gpsOneGen 8A及GLONASS[5]
高速USB 2.0
BT 3.x的分立式解决方案
802.11a/b/g/n*
双Krait CPU，主频包括1.2GHz、1.4GHz等版本
Adreno 305
调制解调器
CDMA/UMTS (21 HSPA+, 1x Adv./DOr0/A/B, SVDO-DB)
最高达13.5MP
gpsOneGen 8A及GLONASS
高速USB 2.0
BT 3.x的分立式解决方案
802.11a/b/g/n*
高通公司还推出一款面向开发者的MSM8x30移动开发平台（Mobile Developer Platform， MDP），配备1.4GHz Krait CPU、Adreno 305 GPU、4.3英寸940x540分辨率屏幕、1GBRAM和1300万像素摄像头，运行4.1系统。[4]
在AnTuTu跑分评测中，MSM8x30 MDP得分超过12000，在双核领域遥遥领先竞争对手；在Linpack单线程多线程测试，MSM8x30 MDP得分甚至能够轻易超过不少四核；在Vellamo的HTML5测试项中，MSM8x30 MDP也彰显了不俗的网页浏览性能。
在与多款四核手机的评测对比中可以看到，除了与采用高通公司骁龙APQ8064的小米2有一定差距外，8x30 MDP的多项跑分可以与Tegra 3、三星Exynos4412、华为海思K3V2等比肩。特别在Antutu、Basemark OS和3D绘图性能测试中，除了与APQ8064有一定差距外，已经超越了大部分参加对比的四核手机。[5]已经上市的采用MSM8x30的商用终端包括：华为Ascend W1、HTC One SV等。HTC One SV采用了MSM8930全模处理器，已经于号在香港上市。8X30是在中国最早设计开发的平台之一,使用高通骁龙处理器在平板领域的海外运营和品牌厂商居多居多,再加之高通MSM8X30曾经是HTC、索尼、诺基亚、MOTO、LG等全球品牌智能手机的主要使用的芯片之一。
在国内，华为、中兴、联想、小米、海信、海尔等厂商的智能手机也大多采用骁龙处理器。许多耳熟能详的智能手机和明星终端都比如诺基亚，，， ,T6, Tab,HTC DNA联想K71、K81智能电视、HTC One V、HTC One S、，、步步高vivo S1、联想乐Phone等.[6]上海:上海市黄浦区北京东路668号B区712,711,710,708,706室
深圳：深圳市宝安区宝源路名优大厦B座B418
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固体物理中的重要概念，即能量介于E[1]～E+△E之间的量子态数目△Z与能量差△E之比，即单位频率间隔之内的模数。N-E关系反映出固体中电子能态的结构，固体中的性质如电子比热，磁化率等与之关系密切。在技术上，可利用X射线发射光谱方法测定态密度。对而言，N(E)=4πVEl/2(2m)3/2/h3，式中V为晶体体积，h为，m为电子质量。(1)对于晶体中的准自由电子，具有m*，导带底的等能面是球形等能面，导带底附近的能态密度函数为Nc(E)=(1/2π2) (2m*/ħ2)3/2 (E－Ec)1/2 ∝ (E－Ec)1/2 。
(2)对于实际Si和Ge的底，因是旋转椭球等能面 (s个)，并且存在有纵向有效质量ml*和横向有效质量mt*，则根据
E(k) = Ec + (ħ2/2) { [(k12+k22) / mt*] + [k32/ml*] } ，同样可求得以上形式的Nc(E)，但其中的有效质量m*应该代之为所谓底电子的状态密度有效质量 mdn* = (s2ml mt2)1/3。对于顶附近的函数，类似地可求得为 Nv(E) = (1/2π2) (2m*/ ħ2)3/2 (Ev－E)1/2 ∝ (Ev－E)1/2 ，其中价带顶空穴的状态密度有效质量为 mdp* = [ (m*)l3/2 + (m*)h3/2 ]2/3，(m*)l和(m*)h分别是轻空穴和的有效质量。对于Si：s=6, mdn=1.08mo；mdp=0.59mo 。对于Ge：s=4, mdv=0.56mo；mdp=0.37mo。总之，对于三维自由电子，函数与的平方根成正比。但是，对于二维自由电子，函数将与无关。
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