考研:中科院半导体所就业的研究方向是进去以...

我是2013考进中科院半导体研究所的,学弟学妹们有什么问题可以…_中科院吧_百度贴吧
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我是2013考进中科院半导体研究所的,学弟学妹们有什么问题可以…
你好哈!学长。。。我想向你了解一下中科院的研究所的情况哈!
哥们,你考了多少分啊
同学,你考了多少?加入2013年新生QQ群么?
半导体所的今年初试线多少啊?看重本科科研经历吗?我本科根本没进过实验室。。。
我是到你们所里实习的!想上个网求账号密码!就10天!网费我付!求助
貌似同学哎~
2014考半导体所 求指导啊
有想法明年考啊~请问住宿条件怎么样啊,有独立卫浴咩&看招生简章木有看懂啊,考试科目里只表明了考英语一&半导体光电子学&固体物理啊。。。木有说政治和数学,是不考么烦请楼主解惑~~~~感激不尽啊!!!
学长是什么方向的?我想询问一下凝聚态物理这方面的信息
加不了群~我13年的 群主看见加我下!
你好~学长~~麻烦问下暑假学校会有测试吗?如果有的话一般测试什么啊?(*^__^*)
贵校的考研分数得多少啊
亲爱的学姐
贵校的考研分数得多少啊
我只是大一新生一枚,大二转专业进入北科黄昆班。前50%保中科院半导体,请问中科院半导体以后的就业以及行业的前景如何?
楼主是什么专业啊?是微固吗
楼主你好,我是光电专业的,是想问一下,中科院的半导体所好不好考。。。。
学长,有历年的真题吗?
半导体物理
今年所里不提供真题
安全工程能考哪个所啊?跪求学长回答
学长加我扣扣吧,
学长还能看到消息么,求过来人指导
夏令营有用么
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为兴趣而生,贴吧更懂你。&或中国科学院国家天文台2014年接收推荐免试攻读硕士学位研究生工作已经开始,相关事项已公布。请同学们做好准备,沪江考研第一时间为您更新动态,敬请关注!浅浅& 时间 5/24/:35 PM& 453次关注中国科学院物理研究所2014年入学推免生面试工作即将启动,并将于7月上旬至10月中旬开展四批次公开面试,具体时间安排已公布。请同学们做好准备,沪江考研第一时间为您更新动态,敬请关注!浅浅& 时间 5/24/:51 PM& 394次关注中国科学院物理研究所2014年接收推荐免试硕士研究生工作已经开始,相关事项已公布。请同学们做好准备,沪江考研第一时间为您更新动态,敬请关注!浅浅& 时间 5/24/:31 PM& 475次关注据新华社北京5月21日电(记者 江国成)记者21日从国家发改委获悉,从2014年秋季学期起,高校向所有纳入全国研究生招生计划的新入学研究生收取学费,学费标准的制定或调整实行属地化管理。各地今年8月底前出...依然是汤圆& 时间 5/24/:36 AM& 536次关注目前复旦大学遗传工程国家重点实验室和生命科学学院、 了解生命科学学院2014年推荐免试研究生/直博生夏令营活动通知公布,请相关考生注意及时申请,以免错过机会。依然是汤圆& 时间 5/24/:10 PM& 744次关注英语在考研中是让很多学子头疼的问题,其实大家的英语能力并不代表考研英语分数的高低。考研英语的核心理念就是洞察大家的英语思维能力,所以大家在复习过程中要形成自己的英语思路,培养起自己的英语语感,这以亦& 时间 5/27/:43 PM& 468次关注“中科院半导体所2014年推荐免试生申请报名通知...”的原文信息:&&硕士研究生及直博生网上报名工作现已开始,欢迎各重点大学获得母校推荐免试(外推...浅浅&
9/29/:59 PM& 563中国科学院国家天文台2014年接收推荐免试攻读硕士学位研究生工作已经开始,相关事项已公布。请同学们做好准备,沪江考研第一时间为您更新动态,敬请关注!浅浅& 时间 5/24/:35 PM& 453次关注中国科学院物理研究所2014年入学推免生面试工作即将启动,并将于7月上旬至10月中旬开展四批次公开面试,具体时间安排已公布。请同学们做好准备,沪江考研第一时间为您更新动态,敬请关注!浅浅& 时间 5/24/:51 PM& 394次关注中国科学院物理研究所2014年接收推荐免试硕士研究生工作已经开始,相关事项已公布。请同学们做好准备,沪江考研第一时间为您更新动态,敬请关注!浅浅& 时间 5/24/:31 PM& 475次关注一年一度的考研推免开始了哦!南开大学化学学院2014年外校推荐免试生接收工作现已开始,接收程序及要求已公布。沪江考研第一时间为您更新动态,敬请关注!浅浅& 时间 5/24/:31 PM& 437次关注中国科学院紫金山天文台2014年接收推荐免试攻读硕士学位研究生工作已经开始,相关事项已公布。请同学们提前做好准备,沪江考研第一时间为您更新动态,敬请关注!浅浅& 时间 5/24/:06 PM& 557次关注中国科学院上海光学精密器械研究所2014年接收推荐免试攻读硕士学位研究生工作已经开始,相关事项已公布。沪江考研第一时间为您更新动态,敬请关注!浅浅& 时间 5/24/:36 PM& 471次关注
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研究员赵建华 赵建华,女,博士,研究员,博士生导师。分别于1985年、1988年在吉林大学系固体专业获理学学士、硕士学位,于1999年在中科院所凝聚态专业获理学博士学位。年于燕山大学任讲师、副教授。2000年在中科院半导体所博士后出站后进入日本东北大学研究所HideoOhno教授实验室做博士后,2002年9月至今在中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室工作,任研究员。  2000年以来主要从事半导体自旋学研究工作,具体进行磁性半导体、半金属、铁磁金属及其异质结构的分子束外延生长;半导体磁性量子结构自旋调控;半导体自旋器件及其原理研究。带领其研究团队取得了多项重要的前沿性成果,部分成果进入国际先进行列。例如,制备出高质量的(Ga,Mn)As磁性半导体薄膜,两次刷新其居里温度的国际纪录,目前达到200K,居国际领先位置;利用Co2FeAl与(Ga,Mn)As双层膜界面处的磁近邻效应将界面处(Ga,Mn)As层中厚度约1.6nm薄层中的Mn离子的铁磁有序保持到400K;在GaAs上制备出了高质量具有超大垂直磁各向异性L10相Mn1.5Ga单晶薄膜,该类不含贵金属和稀土的薄膜在制备高热稳定性、抗电磁干扰的半导体自旋器件方面具有较大潜力;国际上率先利用Ga液滴自催化方法Si上生长出全闪锌矿结构GaAs/(Ga,Mn)As核-壳同轴纳米线等。  近年来在半导体自旋学方面的国际会议上做邀请报告25次,与美国、德国、法国和日本等国家的多个半导体自旋学领域著名实验室保持着密切合作的关系。迄今以第一作者、通讯作者和合作者身份在国内外著名刊物上发表论文120篇。其中PRL1篇,NanoLett.3篇,Adv.Mater.1篇,APL17篇,PRB3篇,邀请综述4篇,邀请专著1章。SCI引用600余次,单篇引用最高163次。申请专利7项,授权专利4项。曾获2000年国家技术发明二等奖等多项省部级奖励。培养的研究生曾获国家奖学金、中科院院长奖学金优秀奖、美国超导奖学金、北京市优秀毕业生、中科院三好学生标兵等奖项。  目前是国家自然科学基金重点项目“新型半导体基垂直磁各向异性及器件”负责人、国家自然科学基金委专项基金项目“基于超导量子干涉仪的磁学和电学性质同步测量系统研制”负责人。曾任中科院知识创新工程三期重要方向项目“半导体自旋量子结构中的器件效应”项目首席科学家、国家重大科学研究计划项目“半导体量子结构中的自旋量子调控”课题负责人、国家自然科学基金重点项目“磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究”负责人、国家自然科学基金重大国际(地区)合作研究项目“半导体/铁磁体异质纳米结构的磁性质及依赖于自旋的电学性质”负责人、国家自然科学基金重点项目“高品质半导体自旋制备及其自旋量子调控”负责人。  现任中国学会磁学专业委员会委员,低温专业委员会委员,英国皇家学会出版社主办的国际期刊《SemiconductorScienceandTechnology》编委,APL、JAP、CPL和中国科学等国内外核心期刊审稿人。曾任固态器件与国际会议(SSDM)自旋分会副主席(日本),2011MMM(美国)、4thWUN(澳洲)、3rdWUN(美国)、37th和40thISCS(日本)、ICMFS2012(中国)等国际会议组委会委员。    目前主要研究方向为半导体自旋学,具体进行高品质磁性半导体、半金属、铁磁金属及其异质结构的分子束外延生长和自旋相关性质研究;半导体磁性量子结构自旋调控;新一代高性能半导体自旋器件研发。    招收博士生和硕士生、招聘博士后  联系电话:010-  E-mail:jhzhao@red.    在研/完成主要项目:  (1)国家自然科学基金重点项目“新型半导体基垂直磁各向异性及器件”(,主持)  (2)国家自然科学基金专项基金项目“基于超导量子干涉仪的磁学和电学性质同步测量系统研制”(,主持)  (3)国家重大科学研究计划量子调控项目课题“基于铁磁体/半导体异质结构的自旋量子器件”(,参加。)  (4)国家自然科学基金重大国际(中美)合作研究项目“半导体/铁磁体异质纳米结构的磁性质及依赖于自旋的电学性质”(,主持)  (5)国家自然科学基金重点项目“高品质半导体自旋制备及其自旋量子调控”(,主持)  (6)国家重大科学研究计划项目"半导体量子结构中的自旋量子调控"课题"高品质半导体磁性异质结构分子束外延生长和磁性研究"(,主持)  (7)中科院知识创新工程三期重要方向项目"半导体自旋量子结构中的器件效应"(,主持)  (8)国家自然科学基金重点项目:"磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究" (,主持)      近期代表性论文目录:  (1)S.H.Nie,Y.Y.Chin,W.Q.Liu,J.C.Tung,J.Lu,H.J.Lin,G.Y.Guo*,K.K.Meng,L.Chen,L.J.Zhu,D.Pan,C.T.Chen,Y.B.Xu,W.S.Yan,andJ.H.Zhao*,erromagneticInterfacialInteractionandtheProximityEffectinaCo2FeAl/(Ga,Mn)AsBilayer,Phys.Rev.Lett.111(  (2)X.Z.Yu,H.L.Wang,D.Pan,J.H.Zhao*,J.Misuraca,S.vonMolnár,andP.Xiong,Allzinc-blendeGaAs/(Ga,Mn)Ascore-shellnanowireswithferromagneticordering,NanoLett.,13(  (3)L.J.Zhu,andJ.H.Zhao*,PerpendicularlymagnetizedMnxGafilms:promisingmaterialforfuturespintronicdevices,magneticrecordingandpermanentmagnets,Appl.Phys.A111((invitedreview)  (4)L.J.Zhu,S.H.Nie,K.K.Meng,D.Pan,J.H.Zhao*andH.Z.Zheng,MultifunctionalL10-Mn1.5GaFilmswithUltrahighCoercivity,GiantPerpendicularMagnetocrystallineAnisotropyandLargeMagneticEnergyProduct,Adv.Mater.24(  (5)X.Z.Yu,H.L.Wang,J.Lu,J.H.Zhao*,J.Misuraca,P.Xiong,andS.vonMolnár,EvidenceforStructuralPhaseTransitionsInducedbytheTriplePhaseLineShiftinSelf-CatalyzedGaAsNanowires,NanoLett.,12(  (6)L.Chen,X.Yang,F.H.Yang,J.H.Zhao*,J.Misuraca,P.Xiong,andS.vonMolnár,EnhancingtheCurieTemperatureofFerromagneticSemiconductor(Ga,Mn)Asto200KviaNanostructureEngineering,NanoLett.,11(  (7)K.K.Meng,S.L.Wang,P.F.Xu,L.Chen,W.S.YanandJ.H.Zhao*,Magneticpropertiesoffull-HeusleralloyCo2Fe1-xMnxAlfilmsgrownbymolecular-beamepitaxy,Appl.Phys.Lett.,97(  (8)K.K.Meng,J.Lu,S.L.Wang,H.J.Meng,J.H.Zhao*,J.Misuraca,P.Xiong,andS.vonMolnár,MagneticanisotropiesoflaterallyconfinedstructuresofepitaxialFefilmsonGaAs(001),Appl.Phys.Lett,97(  (9)P.F.Xu,S.H.Nie,K.K.Meng,S.L.Wang,L.Chen,andJ.H.Zhao*,CodopingenhancedgiantmagnetocaloriceffectinMn1?xCoxAsfilmsepitaxiedonGaAs(001),Appl.Phys.Lett.,97(  (10)L.Chen,S.Yan,P.F.Xu,J.Lu,W.Z.Wang,J.J.Deng,X.Qian,Y.Ji,andJ.H.Zhao*,Low-temperaturemagnetotransportbehaviorsofheavilyMn-doped(Ga,Mn)Asfilmswithhighferromagnetictransitiontemperature,Appl.Phys.Lett.,95(  
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14:52&&作者:&&来源:新东方考研&&字号:|
  中国科学院北京半导体研究所2015年考研复试时间基本上是每年3-4月底之间。小编查阅了各高校《2015年攻读硕士学位研究生招生简章》发现,今年各高校的复试与往年并无太大变化,具体详细的时间可能会有些出入,新东方网考研频道第一时间提供2015年考研复试相关信息,请考生关注带来的最全最新信息。
  中国科学院北京半导体研究所考研复试注意事项  
&&&&中国科学院半导体研究所成立于1960年,建有材料和器件大楼、基础理论和理化楼、电子楼、超净楼、离子楼及专业图书馆等。所内还建有研究生公寓、医务室、食堂、浴室、游泳池及家属宿舍等生活设施。本所现有研究员69..
  中国科学院北京半导体研究所对初试公共科目成绩略低于全国初试成绩基本要求,但专业科目成绩特别优异或在科研创新方面具有突出表现的考生,可破格参加第一志愿报考单位第一志愿专业复试。中国科学院北京半导体研究所破格复试优先考虑基础学科、艰苦专业以及国家急需但生源相对不足的学科、专业。破格复试考生不得调剂。在录取方面,各招生单位破格复试录取人数原则上不超过本单位硕士生招生计划的3%。
  中国科学院北京半导体研究所考研复试备考准备
  接到报考单位的录取通知之后,一定要及时、仔细研读复试单位的相关规定。然后,提前一天到达复试单位,提前准备好:"本人一寸免冠照片若干、学生证、准考证、身份证、本科成绩单(要有学校教务处公章)、毕业证、学历证、四六级证书等证书、大学期间获得的奖状或者工作期间取得的一些成果、实验数据等实验成果"等,证件类材料最好携带复印件及原件。其次,就是英语、专业课的备考了。最后,复试结果一般会在当天或者第二天出来,紧接着就是政审及常规体检,不出意外的话,这一环节不会影响最终结果。
(责任编辑:张婵)&
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