高二物理 二极管是半导体物理?

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半导体二极管具有________性质;半导体三极管可以用来________。
题型:填空题难度:偏易来源:同步题
单向导电;放大电信号
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据魔方格专家权威分析,试题“半导体二极管具有________性质;半导体三极管可以用来________。..”主要考查你对&&新材料及其应用(半导体、超导体、纳米材料、绿色能源、记忆合金等)&&等考点的理解。关于这些考点的“档案”如下:
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新材料及其应用(半导体、超导体、纳米材料、绿色能源、记忆合金等)
新型材料:新材料之一:纳米材料 ①纳米定义:纳米是长度单位,1nm=10-9m即:十亿分之一米;②当材料的微粒小到纳米尺寸时,材料的性能就会发生显著变化.如:黄金在正常情况下呈金黄色,而它的纳米颗粒却变成了黑色,且熔点显著下降;新材料之二:超导材料 ①超导材料:是一种电阻为零的材料&②超导材料的应用: a、利用超导零电阻特性实现远距离大功率输电可无损耗输送强电流。 b、超导材料种类多,应用广泛。(如:超导磁悬浮列车)新材料之三:半导体材料有些材料,它的导电性能介于导体和绝缘体之间,这类材料称为半导体,锗、硅、砷化镓等都是半导体材料。新材料之四:形状记忆合金 ①形状记忆合金:形状记忆合金:加热后能随意拉长和扭曲,冷却后形状不变;再次加热可恢复到原来形状。 ②主要成分是:镍和钛; ③物理特性:当温度达到某一数值时,材料内部的晶体结构会发生变化,从而导致了外形的变化. 新材料之五:隐性材料隐性材料:能吸收电磁波、弹性好、耐拉而压硬度大 超导材料的特性:1.零电阻超导材料处于超导态时电阻为零,能够无损耗地传输电能。如果用磁场在超导环中引发感生电流,这一电流可以毫不衰减地维持下去。这种“持续电流”已多次在实验中观察到。 2.抗磁性超导材料处于超导态时,只要外加磁场不超过一定值,磁力线不能透入,超导材料内的磁场恒为零。 3.同位素效应超导体的临界温度Tc与其同位素质量M有关。M越大,Tc越低,这称为同位素效应。例如,原子量为199.55的汞同位素,它的Tc是4.18开,而原子量为203.4的汞同位素,Tc为4.146开。记忆合金的应用:1. 记忆合金已用于管道结合和自动化控制方面,用记忆合金制成套管可以代替焊接,方法是在低温时将管端内全扩大约4%,装配时套接一起,一经加热,套管收缩恢复原形,形成紧密的接合。美国海军飞机的液压系统使用了10万个这种接头,多年来从未发生漏油和破损。船舰和海底油田管道损坏,用记忆合金配件修复起来,十分方便。在一些施工不便的部位,用记忆合金制成销钉,装入孔内加热,其尾端自动分开卷曲,形成单面装配件。
2. 记忆合金特别适合于热机械和恒温自动控制,已制成室温自动开闭臂,能在阳光照耀的白天打开通风窗,晚间室温下降时自动关闭。记忆合金热机的设计方案也不少,它们都能在具有低温差的两种介质间工作,从而为利用工业冷却水、核反应堆余热、海洋温差和太阳能开辟了新途径。现在普遍存在的问题是效率不高,只有4%~6%,有待于进一步改进。
3. 记忆合金在医疗上的应用也很引人注目。例如接骨用的骨板,不但能将两段断骨固定,而且在恢复原形状的过程中产生压缩力,迫使断骨接合在一起。齿科用的矫齿丝,结扎脑动脉瘤和输精管的长夹,脊柱矫直用的支板等,都是在植入人体内后靠体温的作用启动,血栓滤器也是一种记忆合金新产品。被拉直的滤器植入静脉后,会逐渐恢复成网状,从而阻止95%的凝血块流向心脏和肺部。
4. 人工心脏是一种结构更加复杂的脏器,用记忆合金制成的肌纤维与弹性体薄膜心室相配合,可以模仿心室收缩运动。现在泵送水已取得成功。
4. 由于记忆合金是一种“有生命的合金”,利用它在一定温度下形状的变化,就可以设计出形形色色的自控器件,它的用途正在不断扩大。
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【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管
为什么本征半导体不能用于制备二极管?
我查找了一些资料,发现最确切的解释是能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层,而不是耗尽层,因而本征半导体不能用于制备二极管。
但是,为什么能带的弯曲会在本征半导体表面出现富集层,而不是耗尽层呢?而能带的弯曲能在非本征半导体表面出现耗尽层?能带的弯曲对于本征半导体、非本征半导体出现这样的差别,又应该怎么理解呢?
其中,仅仅按照论文中的实际器件,具体是指本征半导体和金属不能形成肖特基二极管。
希望,哪位牛人指点一下?最好能告诉我在具体哪一本书的哪些页能找到相关的解释?我用读秀学术搜索和google搜索,都没有找到需要的东西,可能是我的搜索能力还很缺乏。
谢谢大家!
请大家不要将金属与半导体的接触相混淆。“能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层,而不是耗尽层,因而本征半导体不能用于制备二极管。”这一说法,并没有任何前提条件,也就是不管你的功函数怎么样,这一结论都成立。
我有个新的想法,不知道能否解释这个现象。
本征半导体,或者近似本征的半导体,其多数载流子浓度与少数载流子浓度接近,多数载流子浓度较低。
一个近似本征导电的n型半导体,其与金属接触,且金属的功函数大于半导体的功函数。两者相接触,半导体中的电子将向金属流动,使金属表面带负电,半导体表面带正电,从而使得金属与半导体的费米能级逐渐接近,直到金属与半导体的费米能级相同。近似本征导电的n型半导体其电子浓度低,即使半导体中的电子全跑到金属中,仍不能使金属与半导体的费米能级相同,从而导致半导体内部的空穴也向界面移动,以减少半导体的费米能级,从而导致与金属接触的半导体近表面空穴浓度很高,富集空穴。所以能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层,而不是耗尽层。
同意这个说法!
谢谢您的回答。
你的这个解释适合于说明金属与半导体接触,是出现富集层,还是出现耗尽层,也就是欧姆接触与肖特基接触。
“能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层,而不是耗尽层,因而本征半导体不能用于制备二极管。”这一说法,并没有任何前提条件,也就是不管你的功函数怎么样,这一结论都成立。
这是很狭义的二极管概念,也被称为同质结。
而一般说的二极管包括同质结,异质结,肖特基结等二极管。
本征半导体事实上是不存在的,但是现实中有很多半导体是近似于本征半导体的,所以就有了研究的意义了。
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