如图所示在空间四边形对角线vabc中,vc等于bc,va等于vb,对角线ac等于b,vb等于adefg

三棱锥V-ABC中,VA=VB=AC=BC=2,AB=23,VC=1,D为AB中点,则下列结论错误的是(  )A.二面角V-AB-C为6_百度知道
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baidu.baidu:1px"><td style="border-background: height,得∠CDV=60°.故A不错,故D项不错故选.jpg') no-wordSpacing:90%">1+1-<div style="wordWwordWrap,由前面的分析可得三棱锥V-ABC的体积为V==×S△VCD×AB=×: hidden" muststretch="v"><div style="/zhidao/pic/item/dcd1099efce906d258ccbf6c814d62;wordS height?平面VCD得AB⊥VC即直线AB;wordWpadding- height:90%"><td style="font-size、VB所成的角∵△DFE中.jpg') no-repeat、CD是平面VCD内的相交直线∴AB⊥平面VCD:1px:nowrap://hiphotos: url('wordS border-top:0;/zhidao/pic/item/72f082025aafa40fead0b65faf01919、BC的中点E:1px"><td style="border-bottom,可得∠CDV就是二面角V-AB-C的平面角∵VC=CD=VD=1: url('http:1px: 0px"><td style="border-bottom,D为AB中点:normal: 7wordWrap.hiphotos: url('padding-bottom: /zhidao/pic/item/dcd1099efce906d258ccbf6c814d62;∵VD⊥AB;font-size: black 1background.background:normal"><td style="padding: 2px、EF可得∠DFE或其补角就是直线AC; overflow:6px:normal">32∴cos∠DFE==;padding- border-top
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出门在外也不愁如图所示,a、b、c、d为4个正离子,电荷量相等均为q,同时沿图示方向进入速度选择器后,a粒子射向P1板,b粒子射向P2板,c、d两粒子通过速度选择器后,进入另一磁感应强度为B2的磁场,分别打在A1和A2两点,A1和A2两点相距△x.已知速度选择器两板电压为U,两板距离为d,板间磁感应强度为B1(1)试判断a、b、c、d四粒子进入速度选择器的速度va、vb、vc、vd大小关系.(用<、>或=表示)(2)试求出vc、vd,(3)试判断c、d粒子的质量mc与md是否相等,若不等,求出它们的质量差△m.-乐乐题库
& 带电粒子在匀强磁场中的运动知识点 & “如图所示,a、b、c、d为4个正离子,电...”习题详情
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如图所示,a、b、c、d为4个正离子,电荷量相等均为q,同时沿图示方向进入速度选择器后,a粒子射向P1板,b粒子射向P2板,c、d两粒子通过速度选择器后,进入另一磁感应强度为B2的磁场,分别打在A1和A2两点,A1和A2两点相距△x.已知速度选择器两板电压为U,两板距离为d,板间磁感应强度为B1(1)试判断a、b、c、d四粒子进入速度选择器的速度va、vb、vc、vd大小关系.(用<、>或=表示)(2)试求出vc、vd,(3)试判断c、d粒子的质量mc&与md是否相等,若不等,求出它们的质量差△m. 
本题难度:一般
题型:解答题&|&来源:网络
分析与解答
习题“如图所示,a、b、c、d为4个正离子,电荷量相等均为q,同时沿图示方向进入速度选择器后,a粒子射向P1板,b粒子射向P2板,c、d两粒子通过速度选择器后,进入另一磁感应强度为B2的磁场,分别打在A1和A2两点,...”的分析与解答如下所示:
1、粒子进入速度选择器,只有满足qvB=qE,即速度满足v=EB,才能通过速度选择器,不发生偏转.当粒子的速度大于EB,洛伦兹力大于电场力,粒子向右偏转,当粒子的速度小于EB,洛伦兹力小于电场力,粒子向左偏转.2、由于c、d不偏转,故满足电场力等于洛伦兹力Eq=Bqv,即:Udq=B1qv,化简可得c、d的速度.3、c、d进入磁场中做圆周运动,洛伦兹力提供向心力qvB2=mv2RR=mvqB2,由于Rc<Rd,故mc<md.根据几何关系△x=2(Rd-Rc)=2(mdvdqB2
解:(1)粒子进入速度选择器,只有满足qvB=qE,即速度满足v=EB,才能通过速度选择器,不发生偏转.当粒子的速度大于EB1,洛伦兹力大于电场力,粒子向右偏转,当粒子的速度小于EB1,洛伦兹力小于电场力,粒子向左偏转.故va<vc=vd<vb(2)c、d不偏转,故满足电场力等于洛伦兹力Eq=Bqv即:Udq=B1qv得,vc=vd=UdB1(3)c、d进入磁场中做圆周运动,洛伦兹力提供向心力qvB2=mv2RR=mvqB2由于Rc<Rd,故mc<md.c、d两粒子分别打在A1和A2两点,A1和A2两点相距△x.根据几何关系得:△x=2(Rd-Rc)=2(mdvdqB2c=vd=UdB1代入上式中,化简得△m=md-mc=B1B2dq△x2Ua、vb、vc、vd大小关系为va<vc=vd<vb.(2)vc=vd=UdB1.(3)c、d粒子的质量mc&与md不相等,它们的质量差△m为B1B2dq△x2U.
本题关键是要能判断在速度选择器中四个粒子的速度大小关系,带电粒子进入速度选择器,只有满足qvB=qE,即速度满足v=EB,才能通过速度选择器,不发生偏转.当粒子的速度大于EB,洛伦兹力大于电场力,粒子向右偏转,当粒子的速度小于EB,洛伦兹力小于电场力,粒子向左偏转.
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如图所示,a、b、c、d为4个正离子,电荷量相等均为q,同时沿图示方向进入速度选择器后,a粒子射向P1板,b粒子射向P2板,c、d两粒子通过速度选择器后,进入另一磁感应强度为B2的磁场,分别打在A1和...
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经过分析,习题“如图所示,a、b、c、d为4个正离子,电荷量相等均为q,同时沿图示方向进入速度选择器后,a粒子射向P1板,b粒子射向P2板,c、d两粒子通过速度选择器后,进入另一磁感应强度为B2的磁场,分别打在A1和A2两点,...”主要考察你对“带电粒子在匀强磁场中的运动”
等考点的理解。
因为篇幅有限,只列出部分考点,详细请访问。
带电粒子在匀强磁场中的运动
与“如图所示,a、b、c、d为4个正离子,电荷量相等均为q,同时沿图示方向进入速度选择器后,a粒子射向P1板,b粒子射向P2板,c、d两粒子通过速度选择器后,进入另一磁感应强度为B2的磁场,分别打在A1和A2两点,...”相似的题目:
如图,质量为m、电量为e的电子,由a点以速率v竖直向上射入匀强磁场,经过一段时间后从b点以不变的速率v反方向飞出,已知ab长为L.不计重力作用,则&&&&电子在磁场中作匀速圆周运动匀强磁场的方向垂直纸面向外匀强磁场的方向垂直纸面向里匀强磁场的磁感应强度B=2mveL
如图所示,在直角坐标系内自左向右依次有四个区域,在I区内有沿x轴正方向的匀强电场;在Ⅱ区内存在垂直于纸面的匀强磁场;在Ⅲ区内有大小不变,方向平行于y轴的匀强电场,已知Ⅱ、Ⅲ区的宽度均为L.在Ⅳ区内的半圆形通道内有均匀辐射分布的电场,虚线圆弧上电场强度大小处处相等,方向指向圆心.在x轴上x=L的A点有一个质量为m、电荷量为q的带正电的粒子,以速度v沿与x轴负方向成45°的夹角垂直于磁场方向射出.粒子到达y轴时速度方向与y轴刚好垂直,一段时间后,粒子进入Ⅳ区且恰能沿虚线圆弧运动并再次进入Ⅲ区,此时Ⅲ区电场恰好反向,粒子刚好能够返回A点.(不计粒子的重力)(1)判断Ⅱ区内磁场的方向,并计算磁感应强度B的大小;(2)求Ⅲ区内电场强度E的大小;(3)求虚线圆弧的半径R和粒子在Ⅳ区内的运动时间.&&&&
如图所示,在x轴下方有竖直向上的匀强电场其场强E=mg/q,在x轴下方的虚线(虚线与y轴成45°&)右侧有垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度为B.有一长为L的轻绳一端固定在第一象限内的O'点且可绕O'点在竖直平面内转动,另一端栓一质量为m的小球,小球电荷量为+q,OO'间距为L与x轴成45°,先将小球放在O'左边同一水平面上,使绳恰好伸直,让小球由静止释放,并设法使绳子在小球正好进入磁场的瞬间断开.求:(1)小球刚进入磁场时的速度大小;(2)在磁场中运动的时间;(3)小球进入磁场后第一次回到x轴时到O&点的距离.&&&&
“如图所示,a、b、c、d为4个正离子,电...”的最新评论
该知识点好题
1如图,半径为R的圆柱形匀强磁场区域的横截面(纸面),磁感应强度大小为B,方向垂直于纸面向外.一电荷量为q(q>0)、质量为m的粒子沿平行于直径ab的方向射入磁场区域,射入点与ab的距离为R2.已知粒子射出磁场与射入磁场时运动方向间的夹角为60°,则粒子的速率为(不计重力)&&&&
2在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+&&&&
3如图,两个初速度大小相同的同种离子a和b,从O点沿垂直磁场方向进人匀强磁场,最后打到屏P上.不计重力.下列说法正确的有&&&&
该知识点易错题
1如图所示,边长为L、不可形变的正方形导线框内有半径为r的圆形磁场区域,其磁感应强度B随时间t的变化关系为B=kt(常量k>0).回路中滑动变阻器R的最大阻值为R0,滑动片P位于滑动变阻器中央,定值电阻R1=R0、R2=R02.闭合开关S,电压表的示数为U,不考虑虚线MN右侧导体的感应电动势,则&&&&
2如图,两个初速度大小相同的同种离子a和b,从O点沿垂直磁场方向进人匀强磁场,最后打到屏P上.不计重力.下列说法正确的有&&&&
3图a为测量分子速率分布的装置示意图.圆筒绕其中心匀速转动,侧面开有狭缝N,内侧贴有记录薄膜,M为正对狭缝的位置.从原子炉R中射出的银原子蒸汽穿过屏上的S缝后进入狭缝N,在圆筒转动半个周期的时间内相继到达并沉积在薄膜上.展开的薄膜如图b所示,NP,PQ间距相等.则&&&&
欢迎来到乐乐题库,查看习题“如图所示,a、b、c、d为4个正离子,电荷量相等均为q,同时沿图示方向进入速度选择器后,a粒子射向P1板,b粒子射向P2板,c、d两粒子通过速度选择器后,进入另一磁感应强度为B2的磁场,分别打在A1和A2两点,A1和A2两点相距△x.已知速度选择器两板电压为U,两板距离为d,板间磁感应强度为B1(1)试判断a、b、c、d四粒子进入速度选择器的速度va、vb、vc、vd大小关系.(用<、>或=表示)(2)试求出vc、vd,(3)试判断c、d粒子的质量mc与md是否相等,若不等,求出它们的质量差△m.”的答案、考点梳理,并查找与习题“如图所示,a、b、c、d为4个正离子,电荷量相等均为q,同时沿图示方向进入速度选择器后,a粒子射向P1板,b粒子射向P2板,c、d两粒子通过速度选择器后,进入另一磁感应强度为B2的磁场,分别打在A1和A2两点,A1和A2两点相距△x.已知速度选择器两板电压为U,两板距离为d,板间磁感应强度为B1(1)试判断a、b、c、d四粒子进入速度选择器的速度va、vb、vc、vd大小关系.(用<、>或=表示)(2)试求出vc、vd,(3)试判断c、d粒子的质量mc与md是否相等,若不等,求出它们的质量差△m.”相似的习题。如图所示, 小球沿足够长的斜面向上做匀变速运动, 依次经a、b、c、d到达最高点e. 已知ab=bd=6m, bc=1m, 小球从a到c和从c到d 所用的时间都是2s, 设小球经b、c时的速度分别为vb、vc, 则&& (&&& )
A.vb &&&&&&&&B. vc=3m/s&
C. de=3m&&&&&nb
试题及解析
学段:高中
学科:物理
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如图所示, 小球沿足够长的斜面向上做匀变速运动, 依次经a、b、c、d到达最高点e. 已知ab=bd=6m, bc=1m, 小球从a到c和从c到d 所用的时间都是2s, 设小球经b、c时的速度分别为vb、vc, 则&& (&&& )
A.vb &&&&&&&&B. vc=3m/s&
C. de=3m&&&&&&&&&&&& D. 从d到e所用时间为4s
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一个人从雪坡上匀加速下滑,他依次通过a,b,c三个标志旗,已知ab=6m,bc=10m,人通过ab和bc所用的时间都等于2s,则人通过a,b,c三个标志旗的速度分别为 答案为va=3m/s vb=5m/s vc=7m/s
S=vt+1/2at的平方v(b)=v(a)+atv(c)=v(b)+at这是需要的几个公式S,t已知全部带入求解就可以拉算出加速度a=1va=2vb=4vc=6
您可能关注的推广一道物理题,请大家帮帮忙一物体做加速直线运动,依次经过A、B、C三点,B为AC中点.物体在AB段加速度恒为a,在BC段加速度恒为b,两者方向相同,若Vb=(Va+Vc)/2则(
B、a=b C、a<b
D、无法确定.麻烦写出解题_百度作业帮
一道物理题,请大家帮帮忙一物体做加速直线运动,依次经过A、B、C三点,B为AC中点.物体在AB段加速度恒为a,在BC段加速度恒为b,两者方向相同,若Vb=(Va+Vc)/2则(
B、a=b C、a<b
D、无法确定.麻烦写出解题过程,谢谢.
应选C这就是个判断题,不用计算用图像法判断如图所示:所示为V-t图像Vb=(Va+Vc)/2,说明Va、Vb、Vc成等差数列,图中用等距三条平行线表示这三个速度假如从B点开始,BC段物体以同样的加速度加速到Vc(黑线所示),则AB段的长度(前面梯形面积)必定小于BC段长度(后面梯形面积),不符合“B为AC中点”的条件,所以排除B选项而如果BC段加速度变小加速到Vc的话(蓝线所示),则后面梯形的面积会更比前面的大,所以排除A只有当后面的加速度比前面小的话(红线所示),AB段的长度(前面梯形面积)才可能等于BC段长度(后面梯形面积).所以C选项是对的
选C.a<b.由Vb=(Va+Vc)/2可知a点和b点的速度差与b点和c点的速度差相等,再由题可知加速度a,b都不为零且同一方向,所以通过ab的平均速度肯定小于bc的,所以通过bc的时间比ab的小,由于速度差相等,所以所用时间短的加速度就大

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