无锡+外资半导体厂商+生产经理、设备经理、资深plating工程师
本人猎头，受某外资半导体厂商委托，招聘以下职位：production manager/equipment manager/senior plating engineer。
投递简历或咨询：
职位细节如下：
&&Production Manager
Responsibility:
1) Production/Shopfloor management : Manage overall assembly production systematic and shopfloor management in order to achieve good manufacturing discipline, required logistic performance, Zero Defect requirement and lowest cost.
2) Maintenance: Manage overall assembly equipment maintenance systematic, actual maintenance activities and the maintenance personnel in order to achieve best equipment efficiency and maintenance cost.
3). Coordinate overall Total Productive Management (TPM) systematic/activities within Discrete Production including skill level training and certification and cross-functional improvement team.
4) People management: Recruit, develop, train, evaluate and motivate managers and key staffs, communicate and effectively deploy department objectives in order to ensure staffs are qualified and motivated and able to operate within their own area independently.
5) Coordinate all Safety, Health and Environment activities including OSHAS 18000 and EMS ISO14000 Audits in Discrete Production
6) Coordinate and align the deployment of policy and strategy in production.
Qualification:
-4 years degree in an engineering (Electrical, Mechanical, Computer Science, Materials Engineering, Industrial Engineering and other related areas)
-Minimum 8 years experience in semiconductor backend assembly & test experience with 3 years in production function
Specific :
1) Actual semiconductor Assembly & test process knowledge.
2) Knowledge in Problem Solving Skill eg 8D and Poka Yoke
3) People Management through effective Interpersonal Skills, Self Managing Team (SMT), Small Group Activity (SGA) and Total Productive Maintenance (TPM)
4) Knowledge on Industrial Engineering, Capacity and Headcount Planning.
1) Ability to lead, motivate and develop excellent Performance among employee.
2) Well develop personal management and human organization skills.
3) Analytical and having strong decision making capabilities
4) Able to work independently and posses good communication skills
hunter.sweet at
Senior Plating Engineer
Responsibility:
Manage and drive improvement plating process in subcon
1) Coordinate and drive the plating subcon house new package qualification activities
2) Drive the subcon to increase the manufacturing flexibility
3) Coordinate with Subcon to ensure the JHAM, maintenance, 5S activities are in place.
4) Coordinate all customer audits at Subcon
5) Drive the subcon to achieve the Automotive Quality level
6) Coordinate all Safety, Health and Environment activities including OSHAS 18000 and EMS ISO14000 Audits
7) Coordinate and align the deployment of policy and strategy in Plating
Qualification:
-4 years degree in an engineering (Chemical , Mechanical, and other related areas)
-Minimum 5 years experience in semiconductor plating experience
Specific :
1) Actual semiconductor plating process knowledge.
2) Knowledge in Problem Solving Skill eg 8D and Poka Yoke
3) People Management through effective Interpersonal Skills, Self Managing Team (SMT), Small Group Activity (SGA) and Total Productive Maintenance (TPM)
4) Knowledge on Backend Semiconductor Process
1) Ability to lead, motivate and develop excellent Performance among employee.
2) Well develop personal management and human organization skills.
3) Analytical and having strong decision making capabilities
4) Able to work independently and posses good communication skills
hunter.sweet at
感兴趣的tx，请来信至，来信必复。
lichhua99 at
Which company and is there process manager or engineering manager for assemble position.
hunter.sweet at
If there is position related assemble, I will contact you ASAP.
hunter.sweet at
有tx在问，有没有PIE、设备工程师以及封装的职位。对这些职位，目前还没有，不过不久就会open的，大家如果感兴趣，可以先把简历发给我。我有职位更新，也会及时发布。
jianbo790221 at
有没有英语口语要求？？
hunter.sweet at
QUOTE:原帖由 jianbo790221 于
16:37 发表
有没有英语口语要求？？ 这位tx，manager和资深工程师的职位是有英语口语要求的，老板是老外，要能沟通。
hunter.sweet at
各位tx，关于equipment manager这个职位，需要暂时Hold一下。
面试等流程都会慢一些。
另外，又有个quality manager职位open出来，我待会放JD上来。
薪水大致在什么水平
pancloudy at
是英飞凌公司吧
工资~工资是多少？
hunter.sweet at
QUOTE:原帖由 s2135z 于
23:35 发表
薪水大致在什么水平 薪水open来谈。你可以发mail或者短我，我回复你。
hunter.sweet at
QUOTE:原帖由 s2135z 于
23:35 发表
薪水大致在什么水平 薪水问题都是open来谈的哈～～，有兴趣的可以mail我。
hunter.sweet at
自己顶起来
kingxxx at
Infineon or Hynix or concord?
康可电子喽
MS喊着招Equipment manager已经快半年了啊，还没找到?
hunter.sweet at
QUOTE:原帖由 kingxxx 于
15:55 发表
Infineon or Hynix or concord? &&The first one.
hunter.sweet at
QUOTE:原帖由 Midas 于
15:41 发表
康可电子喽
MS喊着招Equipment manager已经快半年了啊，还没找到? 呵呵，你没猜对
hunter.sweet at
tx们，职位更新啦。。。有以下openings:
Technical Market manager
Assembly process staff engineer
Quality engineer
Purchasing executive
Test equipment engineer
Test process/Product Staff engineer
Assembly process Engineer
Test process engineer
Manufacturing engineer
具体信息，请大家关注我近期的一个新帖。不能发准确的链接。。。
[ 本帖最后由 hunter.sweet 于
11:48 编辑 ]
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月度关注热点0.13微米与0.18微米技术在制程上有什么不同
小弟是个菜鸟，问个问题0.13微米与0.18微米技术在制程上有什么不同？比如会不会有方法步骤上的不同。
welcomezhuo at
Compare 0.18um technology, 0.13um is leap in semconductor manufacture.&&Simply speaking, the biggest difference is at BEOL. From 0.13um, Cu instead of Al become mainstream metal interconnect, meaningwhile, Low-K concept occurs from this generation.
楼主问的是0.13和0.18的区别，楼上的却说0.35上下的区别？？？
0.13和0.18最大的区别就是：0.18采用的是Al process，而0.13采用的是Cu 大马士革工艺。一个是长完Al再etching，另一个是etching掉OX再填Cu。。。。process完全不一样。。。。。
airmonkey at
0.13 也有用AL的，而且不少。
welcomezhuo at
QUOTE:原帖由 airmonkey 于
22:01 发表
0.13 也有用AL的，而且不少。 0.13AL is used in embedded process, such as HV or flash, these chip don't care timing. But it is different to 0.13um logic or mix-mode plantfrom.
By the way, 0.13um AL reliability is not good. however, currently pepole only care money, don't care reliability.
King963 at
QUOTE:原帖由 John86 于
21:52 发表
楼主问的是0.13和0.18的区别，楼上的却说0.35上下的区别？？？
0.13和0.18最大的区别就是：0.18采用的是Al process，而0.13采用的是Cu 大马士革工艺。一个是长完Al再etching，另一个是etching掉OX再填Cu。。。。pro ... 0.13and 0.18用的都有是STI工艺,所以没什么区别呀,0.13现在国内大多还用AL工艺,CU只有SMIC在用,同时LOW　Ｋ都可用，看你器件性能要求了
etchlover at
AL backend process is still welcome because it's possible to find the tradeoff between cost and chip performance.
zhangxiaow at
孤陋寡闻了，国内除了SMIC，还有谁在做在用0.13工艺的？和舰和华虹都是在做0.18的工艺
QUOTE:原帖由 King963 于
10:08 发表
0.13and 0.18用的都有是STI工艺,所以没什么区别呀,0.13现在国内大多还用AL工艺,CU只有SMIC在用,同时LOW　Ｋ都可用，看你器件性能要求了 请问：国内还有哪些家FAB在搞0.13的Al制程？你说的是DRAM？0.13um的DRAM的确是很多都用Al制程。但我相信楼主想要了解的应该是logic的产品。0.13LG基本上都用的是Direct STI CMP，而0.18LG都是用AR+STI CMP，相差不是一点点啊
[ 本帖最后由 John86 于
20:31 编辑 ]
King963 at
HHNEC就是0.13铝制程
china2007gs@163 at
130nm Al process?Not true 0.13 logic!
chengyenwu at
0.13 and 0.18 應該只有差異在GATE下的通道長度
用銅或鋁 都有人做
china2007gs@163 at
互连RC影响,0.18um没0.13um那么大,所以一般不采用Cu,用Al就可以.
而0.13um如采用Al,某些性能就达不到0.13um的要求.
dengzhibeijing at
范围实在有点大 不同的产品是不一样的 像是logic一般是Cu 其它也有Al的
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月度关注热点您好！欢迎来到中国制造网
& 1.25立式WAFER接线端子，显示器用排母连接器
左志华&先生
经营模式：生产制造
所在地区：广东省&
认证信息：
1.25立式WAFER接线端子，显示器用排母连接器
订货量（件）
价格（元/件）
供货总量：
广东省/深圳市
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1.25wafer接线端子：
1.25立式wafer接线端子
　　、显示器用排母连接器电气性能：
　　额定电压：AC　DC　60（V）
　　耐压：250（V/min）额定电流：
　　绝缘电阻：2000　m（Ω）
　　导通电阻：30　m（Ω）
　　温度范围：-55--85（℃）
　　规格：单卡槽、双卡槽定位柱无定位柱
　　颜色：米色咖啡色白色黑色、
　　主流材料：塑胶类铜材类：铍铜磷青铜
　　侧插：Ω℃~~＋85℃
　　二、产品介绍：
　　排针连接器
　　排针，连接器的一种，英文名称：Pin　Header.
　　这种连接器广泛应用于电子、电器、仪表中的PCB电路板中，其作用是在电路内被阻断处或孤立不通的电路之间，起到桥梁的功能，担负起电流或信号传输的任务。通常与排母配套使用，构成板对板连接；或与电子线束端子
　　配套使用，构成板对线连接；亦可独立用于板与板连接。
　　由于不同产品所需要的规格并不相同，因此排针也有多种型号规格，按电子行业的排针连接器标准分类：
　　根据间距大致可分为2.54mm，2.00mm，1.27mm，1.00mm，0.8mm五类根据排数有单排针，双排针，三排针等；根据封装用法则有贴片SMT（卧贴/立贴），插件DIP（直插/弯插）等。
　　我司是一家集专业设计开发、生产、销售各种精密连接器和接插件的专业厂商。产品广泛应用于计算机主机板、液晶显示器、电讯卡、存储器、移动硬盘、读卡器、数码相机、MP3、PDA、液晶电视、交换机、汽车防盗器、可视电话、无绳电话及各种通讯设备产品上。
　　我司本着产品专一、专业、专注的特点，主要与国内大中型知名企业和国际著名跨国公司合作，其产品远销欧美，日韩，新加坡及香港台湾等国家和地区。分别于香港，台湾，上海，北京，等地设立分公司。　
与“1.25立式WAFER接线端子，显示器用排母连接器”相关的产品信息
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寻求 CIS 封装厂
ericjsh at
有business嗎?&&還是要問問題?
QUOTE:原帖由 xzywx 于
15:35 发表
目前大陆还没听过有那家可以封装CIS的 拜脱, CMOS IMAGE SENSER 中国很多这样的封装厂好不,
保守估计珠三角就不下二十家,大大小小的..
能否请帮忙列出厂家及联系方式？谢谢！
求教楼上大哥有哪些厂家呢？需要有能力测试CSP封装的。多谢！
苏州晶放半导体啊&&专做cis的csp封装2005年就开始做了哦
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月度关注热点GPP晶片怎么不能使用探针直接测试？
GPP好像是可以用探针直接测试的呀，
但是我这种晶片GPP-1N0V怎么测不出来呢，
而且在焊接后，注塑之前无法测试（表现为反向电压偏低），注塑之后就可以正常测试了。
这样子是正常现象吗？
zhangxiaow at
同意楼上的说法，探针接触如特性还是能测到，如用的是HP4155的系列测试仪，测量是脉冲方式进行的，不会产生加热现象
LZ说的是反向耐压的测试，本身不会有太大的热量产生。
测试时耐压低其实是芯片钝化层周边的空气电离击穿了。
如果加保护气氛的话是可以测的。
谢谢各位的高见！
我在焊接后、也就是在注塑前，
使用TVR6000测试机来直接测试，反向电压测试(@2uA)结果还不到700V，
注塑之后就变成了1200V以上了，
不知道这个是何道理？
直接使用测试机来测试的话，也应该属于脉冲测试，按以上各楼的意见，脉冲测试应该可以测出来的，但我这里却不行，更不用说使用探针测试了。
如果只测反向耐压,只要有合适的负载电阻,连续加压测量也是可以的,因为漏电极小并无功耗热产生.见意您查一下电路中线是否过长.探针台本身高电压后有漏电,或您将成品直接用探针台来测试,一对一查找或许能发现问题.
QUOTE:原帖由 wqpye 于
14:21 发表
LZ说的是反向耐压的测试，本身不会有太大的热量产生。
测试时耐压低其实是芯片钝化层周边的空气电离击穿了。
如果加保护气氛的话是可以测的。 GPP晶片不是已经有玻璃钝化层了吗？怎么还会和空间电离击穿呢？QUOTE:原帖由 张旭东 于
14:24 发表
如果只测反向耐压,只要有合适的负载电阻,连续加压测量也是可以的,因为漏电极小并无功耗热产生.见意您查一下电路中线是否过长.探针台本身高电压后有漏电,或您将成品直接用探针台来测试,一对一查找或许能发现问题. 使用相同的测试机，相同的测试线，相同的测试片，注塑前后反向电压差距很大，注塑后表现正常，注塑前没有黑胶保护的情况下表现为VR严重偏低。
结论是不是说明GPP晶片无法进行裸测，像4楼wqpye所说的，需要加保护气氛才可以测。
还请高手指教。
按工艺GPP的结是用玻璃钝化的,但有一种称做OJ结构的玻璃封装产品结是需要涂胶固化后决定成品耐压的,您用显微镜确认一下pn结处的保护方式.;奇怪了.
这个问题其实我讲得已经很清楚了。
GPP芯片是有玻璃钝化保护结面，PN结本身不会有漏电大的问题。但由于芯片的两个电极之间的距离仍然是非常近的，当你进行芯片裸测时，玻璃钝化层外的空气电离导电了，所以会表现为耐压低，漏电大。你如果用图示仪在较暗的条件下测试时，就会看到明显的打火现象。你可以试试看。即使是用TVR6000，在黑暗中测试时应该也可以看到火花。
楼上就OJ的玻钝让我有点不理解，OJ者，OPEN JUNCTION，即结是开放的，没有外加保护的。所以OJ结构的玻璃钝化没见过。
感谢wqpye的耐心解答！
我基本清楚了，在晶片直接曝露在空气中的情况下是无法准确测试其反向耐压的。
8楼的朋友可能没有把GPP和OJ区分开，也很感谢你的关注。
和空气湿度和接触面积有一定关系
camry0210 at
請問樓上的先進,我在測試時,已經崩潰後看到曲線抖動,毛毛的散亂抖動,是玻璃鈍化層出問題嗎?
yangkang25 at
各位好专业啊！不知道方块电阻的测试方法有哪些，楼主或者哪位高才可以告知一下吗？
9楼正解，高伏芯片空气中裸测会有电火花产生，其实就是测试电极距离较近，将空气电离
jiaqingsun at
GPP芯片结构通常采用负角结构，即表面电场强度高于体内，另外GPP芯片对PN结的钝化保护属于半护封形式，其N+区及部分基区完全被Die之切割暴露在外，如果加测反向电压过高，极易在P+电极和切割端面间沿着玻璃膜表面产生击穿放电并导致永久性损伤乃至失效。
对GPP Die的VBR测试必须在绝缘介质中进行，方可评价其品质而不伤其电性。
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